반도체 칩의 기능을 검사하기 위한 테스트 장치 document_id 1020010017980

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 전력원(3)은, 무접촉 방식으로 공급되는 광학빔(31)에 의해서 반도체 칩(1)상에 작동 전류(ib)를 생성하기 위해적어도하나의태양전지포함하는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,다수개의 반도체 칩(1)이 그 위에 제공되는 반도체 디스크(10)를 포함하며;- 상기 반도체 디스크(10)는 반도체 칩(1)을 서로 분리시키는 하나의 스크래치 프레임(11)을 포함하며; 및- 상기 태양 전지(30)는 상기 스크래치 프레임(1)내배치되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 태양 전지(30)는 반도체 칩(1)상배치되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,반도체 칩(1)이 그 위에 제공되는 반도체 디스크(10)를 포함하며;- 상기 태양 전지(30)는 상기 반도체 디스크(10)의 표면상에 평탄하게배치되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 6] 제 2 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 태양 전지(30)는 반도체 칩(1)으로부터 떨어져서 마주하는 캐리어 재료(10)의 표면상에 배치되고;- 상기 태양 전지(30)와 반도체 칩(1) 사이에는 전도성 관통 커넥션(13)이 캐리어 재료(10)내에 배치되며;- 상기 관통 커넥션(13)과 캐리어 재료(10) 사이의 전류 흐름을 방해할 목적으로, 캐리어 재료(10)에 대한 관통 커넥션(13)의 경계부에서 pn-접합(14)이 상기 관통 커넥션(13)을 따라배치되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 7] 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,상기 태양 전지(30)와 반도체 칩(1) 사이에광선흡수층제공되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 8] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 칩(1)이 테스트 실행 및/또는 테스트 결과에 대한 정보를 포함하고 있는 데이터(da)를 무접촉 방식으로 전송하기 위해하나의기능 유닛포함하는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 9] 제 8 항에 있어서,상기 기능 유닛(4)이 전송될 데이터(da)에 상응하게, 반도체 칩(1)의 외부에 있는 하나의 수신기(5)에 의해 수신 가능한, 광학빔 임펄스(41)를 생성할 수형성되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 10] 제 8 항에 있어서,상기 기능 유닛(4)이 하나의 출력 단자(a)를 포함하며, 상기 단자를 통해 전송될 데이터(da)가 용량성 결합에 의해 반도체 칩(1)의 외부에 있는 하나의 수신기(5)로 전송될 수있는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 11] 제 8 항에 있어서,하나의 재료(42)가 상기 기능 유닛(4)의 단자(a)와 연결되어 있으며, 상기 단자에는 상기 기능 유닛(4)에 의해 제어 가능한 전위(ua)가 전송될 데이터(da)에 상응하게 인가되며;- 상기 재료(42)는 전위(ua)에 의해 제어 가능한, 광학빔(43)의 광 굴절각도(α)를 야기하며;- 상기 재료(42)는 광학빔(43)으로 조사될 수 있고, 상기 재료(42)에 의해 굴절된 광학빔(44)은 반도체 칩(1)의 외부에 있는 하나의 수신기(5)에 의해 수신될 수있는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 12] 제 8 항에 있어서,상기 반도체 칩(1)이 하나의 전압 디텍터(6) 또는 하나의 전류 디텍터(6)를 포함하고 있으며, 상기 디텍터는, 검출된 특성 전압 시퀀스 내지 전류 시퀀스에 따라 기능 유닛(4)에 의해 데이터 전송을 개시할 수 있도록, 전력원(3)및기능 유닛연결되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 13] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 칩(1)이 테스트 실행 및/또는 테스트 결과에 대한 정보를 포함하는 데이터(da)를 저장하기 위해 하나의 비휘발성 메모리 유닛(7)을 포함하고;- 상기 비휘발성 메모리 유닛(7)은 반도체 칩(1)의 하나의 단자(ex)와 연결되며, 상기 단자를 통해 상기 메모리 유닛(7)의 데이터(da)가 반도체 칩(1)의 외부 방향으로 인출될 수있는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 14] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,검사할 다수개의 반도체 칩(1)을 포함하고;- 검사할 반도체 칩(1)들 중에서 하나는 기능 검사가 이루어지는 동안 각각의 다른 반도체 칩(1)의 전력 공급과 관련하여결합해제되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 15] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,검사할 다수개의 반도체 칩(1)을 포함하고;- 검사할 다수개의 반도체 칩(1)을 위해 하나의 공통 전력원(3)을 포함하며;- 작동 전류(ib)의 한계치를 초과하는 경우, 상기 검사할 반도체 칩(1)은 상기 전력원(3)으로부터 각각의 반도체 칩(1)을 전기적으로 분리하기 위해전류 제한 회로포함하는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 16] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 칩(1)이 하나의 전압 디텍터(6) 혹은 하나의 전류 디텍터(6)를 포함하고 있으며, 상기 디텍터는 검출된 특성 전압 시퀀스 내지 전류 시퀀스에 따라 기능 검사를 개시할 수 있도록 전력원(3)및셀프 테스트유닛연결되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 17] 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체 칩(1)이 기능 검사를 받을 수 있는 메모리 셀(mc)을 가지는 하나의 집적 메모리를 포함하며;- 상기 반도체 칩(1)은 테스트 정보를 생성하고 메모리 셀(mc)의 기능 검사를 실행할 수 있는셀프 테스트유닛포함하는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,집적 메모리는 표준 메모리 셀(mc) 및 표준 메모리 셀(mc)을 대체하기 위한 리던던시 메모리 셀(rmc)을 포함하며;- 셀프 테스트 유닛(2)은 표준 메모리 셀(mc)의 기능성을 점검하고, 어떠한 표준 메모리 셀(mc)을 어떠한 리던던시 메모리 셀(rmc)로 대체해야 하는지에 대하여 분석하며, 상기 분석 결과에 상응하게 리던던시 메모리 셀(rmc)을 활성화하도록형성되는것을특징으로 하는테스트 장치. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 집적 메모리가 리던던시 메모리 셀(rmc)의 활성화를 위해 전기적으로 프로그램 가능한 메모리 유닛(9)을 포함하며, 상기 메모리 유닛 내에서 셀프 테스트 유닛(2)에 의해 검출된 복구 결과가 프로그래밍될 수있는것을특징으로 하는테스트 장치.