문맥 (context)
[청구항 1]
제 1 내지 제 4의 끝변으로 둘러싸이며, 반도체 웨이퍼의 반도체 칩 형성부에 소정의 패턴을 노광하는 회로 패턴 영역과
상기 제 1 내지 제 4의 끝변중 서로 직교하는 상기 제 1 및 제 2의 끝변에만 인접하며, 반도체 웨이퍼로부터 반도체 칩을 분리하기 위한 절단 영역의 패턴을 노광하는 스크라이브 라인 영역과
상기 제 3 및 제 4의 끝변에 인접하며, 상기 회로 패턴 영역과 상기 스크라이브 라인 영역을 둘러싸도록 형성된 광 실드 영역과
상기 제 1 및 제 2의 끝변에 각각 대면하는 상기 스크라이브 라인 영역의 소정의 부분에 형성된 제 1의 얼라인먼트 측정 마크와
상기 제 3및 제 4의 끝변에 각각 대면하는 상기 광 실드 영역의 소정의 부분에 형성된 오목부와
상기 오목부에 각각 형성된 제 2의 얼라인먼트 측정 마크와
인접하는 부분으로의 노광 샷에 의해 발생하는 상기 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 각각 형성된 차광용 광 실드막 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 제조용 레티클
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기제 1의 얼라인먼트 측정 마크와 상기 제 2의 얼라인먼트 측정 마크가 동일한형태인것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 광 실드 영역의 내주에 상기 광 실드막 패턴으로서볼록부가형성된것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기제 2의 얼라인먼트 측정 마크 중 하나와 상기 광 실드막 패턴 중 하나가 상기 끝변중 하나에 평행한직선상배열된것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 스크라이브 라인 영역의 폭이 w일 때, 상기 제 1 및 제 2의 얼라인먼트 측정 마크는 상기 회로 패턴 영역의 각각의 끝변에서 w/2 이내 거리의 부분에 형성되고, 상기 광 실드막 패턴이 상기 스크라이브 라인 영역의 외주에서 w/2이내거리의부분형성되는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 6]
제 1항에 있어서,상기 광 실드막 패턴의 형태가상기오목부의형태동일한것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 얼라인먼트 측정 마크가 각각의 끝변을 따라하나씩형성되어있는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 8]
제 1항에 있어서,상기의 얼라인먼트 측정 마크가 각각의 끝변을 따라복수개씩형성되어있는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,하나의 반도체 칩에 대한 패턴이상기회로패턴영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 10]
제 1항에 있어서,복수개의 반도체 칩에 대한 패턴이상기회로패턴영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
[청구항 11]
제 1항에 있어서,얼라인먼트 패턴이나 teg 패턴, 혹은 상기 패턴 양자가상기스크라이브 라인 영역형성되어있는것을특징으로 하는반도체 집적 회로 제조용 레티클.
지시문 (instruction)
본문에서 필요한 정보를 찾아 질문에 답변하라.
질문 (question)
반도체 집적 회로 제조용 레티클에서 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상을 방지하기 위해 형성되는 차광용 광 실드막 패턴은 어느 영역에 위치하며, 그 위치 관계는 어떠한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation차광용 광 실드막 패턴의 위치와 제 2의 얼라인먼트 측정 마크와의 위치 관계를 추출하는 작업이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 차광용 광 실드막 패턴이 형성되는 위치와 제 2의 얼라인먼트 측정 마크의 위치를 확인한다.
- 인접하는 부분으로의 노광 샷에 의해 발생하는 상기 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 각각 형성된 차광용 광 실드막 패턴
-
3근거 선택
evidence_selection차광용 광 실드막 패턴이 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 형성된다는 구절을 선택한다.
- 상기 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 각각 형성된 차광용 광 실드막 패턴
-
4논리 통합
logical_integration차광용 광 실드막 패턴은 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인해 발생하는 잠상이 형성되는 영역에 위치하여 이를 방지하는 관계를 가진다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation차광용 광 실드막 패턴은 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 위치한다.
- 상기 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 각각 형성된 차광용 광 실드막 패턴
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대해 문맥에 근거하여 직접적인 위치 관계를 답변으로 작성한다.
- 상기 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 각각 형성된 차광용 광 실드막 패턴
최종 답변 (final_answer)
차광용 광 실드막 패턴은 제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인한 잠상이 형성되는 부분에 각각 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
제 2의 얼라인먼트 측정 마크로 인해 발생하는 잠상을 방지하기 위해, 해당 잠상이 형성되는 위치에 차광용 광 실드막 패턴을 배치하는 기술적 구성을 나타낸다.