반도체 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020010023248

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 가상선을 따른 상기 저항 소자 각 부의 포텐셜이 상기 가상선을 따른 상기 반도체 기판 표면의 각부의포텐셜있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 가상선의 단위 길이당의 상기 저항 소자의 저항값nan은최외주의상기필드제한링의내측과외측서로상이한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 가상선의 단위 길이당의 상기 저항 소자의 저항값nan은단계적변화하고있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는, 저항 소자의 시단과 종단 사이에 사행(蛇行)부분갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 저항 소자의 시단과 종단 사이에 사행 부분을 가짐과 함께,상기사행부분의사행피치상이한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 사행 부분을 가짐과 함께 사행하는 폭이 넓은 부분과, 사행하는 폭이 좁은부분갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 저항 소자의 시단과 종단 사이에 사행하는 사행 부분과, 상기 가상 선분을 따른직선부분갖는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는선폭상이한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 상기 가상선을 따른 직선 형상의 저항 소자로 됨과 함께, 선폭이일부상이한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 불순물이 첨가된폴리실리콘층형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 금속 부분과, 이 금속 부분에 전기적으로 접속되는 불순물이 첨가된폴리실리콘층형성되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 저항 소자는 그 위치에 따라시트저항상이한것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 저항 소자의 하측에 위치하는 상기 필드 절연막의 두께는 3 ∼ 5㎛정도있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,필드 제한 링과, 각 필드 제한 링에 중첩되는 상기 저항 소자 부분은각각전기적접속되어있는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,신호가 공급되는 제1 단자와, 기준 전위가 공급되는 제2 단자와, 제어 단자와, 기동 회로용 제어 단자와, 기동 회로용 기준 전위가 공급되는 기동 회로용 제2 단자와, 상기 제1 단자에 접속되는 제1 전극과, 상기 제2 단자에 접속되는 제2 전극과, 상기 제어 단자에 접속되는 제어 전극을 갖는 주 스위치용 트랜지스터와, 상기 제1 단자에 접속되는 기동용 제1 전극과, 상기 기동 회로용 제2 단자에 접속되는 기동용 제2 전극과, 상기 기동 회로용 제어 단자에 접속되는 기동용 제어 전극을 갖는 기동 스위치용 트랜지스터를 더 가지며, 상기 저항 소자는 상기 제1 단자와 상기 기동용 제어 전극 사이에직렬접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제1항에 있어서,신호가 공급되는 제1 단자와, 기준 전위가 공급되는 제2 단자와, 제어 단자와, 전류 검출 단자와, 기동 회로용 제어 단자와, 기동 회로용 기준 전위가 공급되는 기동 회로용 제2 단자와, 상기 제1 단자에 접속되는 제1 전극과, 상기 제2 단자에 접속되는 제2 전극과, 상기 제어 단자에 접속되는 제어 전극과, 상기 전류 검출 단자에 접속되며 상기 제1 전극의 출력 전류를 검출하는 전류 검출 전극을 갖는 주 스위치용 트랜지스터와, 상기 제1 단자에 접속되는 기동용 제1 전극과, 상기 기동 회로용 제2 단자에 접속되는 기동용 제2 전극과, 상기 기동 회로용 제어 단자에 접속되는 기동용 제어 전극을 갖는 기동 스위치용 트랜지스터를 더 가지며, 상기 저항 소자는 상기 제1 단자와 상기 기동용 제어 전극 사이에직렬접속되는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 저항 소자의 시단과 종단을 직선적으로 연결하는 선분의 저항 소자 각 부의 포텐셜이, 상기 시단과 종단을 직선적으로 연결하는 선분에 대응하는 상기 반도체 기판 표면의 각부의포텐셜일치하거나있는반도체 장치. [청구항 28] 제26항 또는 제27항에 있어서,최외주의 상기 필드 제한 링 부분을 사이에 두고 그 내측과 외측의 상기 선분에서의 단위 길이당의 저항값은 상이하며, 상기 저항 소자의 각 부의 포텐셜과 상기 반도체 기판 표면의 각부의포텐셜일치하거나있는반도체 장치. [청구항 29] 제26항 또는 제28항에 있어서,상기 선분에서의 단위 길이당의 저항값은 단계적으로 변화하며, 상기 저항 소자의 각 부의 포텐셜과 상기 반도체 기판 표면의 각부의포텐셜일치하거나있는반도체 장치. [청구항 30] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 저항 소자의 시단과 종단 사이에 사행 부분갖는반도체 장치. [청구항 31] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 저항 소자의 시단과 종단 사이에 사행 부분을 가짐과 함께, 상기 사행 부분의 복수 부분에서는 사행 피치상이한반도체 장치. [청구항 32] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는 사행 부분을 가짐과 함께, 사행하는 폭이 넓은 광사행 부분과, 사행하는 폭이 좁은 협사행 부분갖는반도체 장치. [청구항 33] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 저항 소자의 시단과 종단 사이에 사행하는 사행 부분과, 상기 선분을 따른 직선 부분갖는반도체 장치. [청구항 34] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 복수 부분에서 저항선 폭상이한반도체 장치. [청구항 35] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 상기 선분을 따른 직선 형상의 저항 소자로 됨과 함께, 선 폭이 일부상이한반도체 장치. [청구항 36] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는 불순물이 첨가된 폴리실리콘층형성되는반도체 장치. [청구항 37] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 금속 부분과, 상기 금속 부분에 전기적으로 접속되는 불순물이 첨가된 폴리실리콘층형성되는반도체 장치. [청구항 38] 제26항에 있어서,상기 저항 소자는, 복수 부분에서 시트 저항상이한반도체 장치. [청구항 40] 제26항에 있어서,상기 저항 소자각 부의 포텐셜과 상기 반도체 기판 표면의 각 부의 포텐셜의 차를 작게 하도록 상기 필드 절연막의 두께는 3 ∼5 ㎛정도있는반도체 장치. [청구항 41] 제26항에 있어서,필드 제한 링과, 각 필드 제한 링에 중첩되는 상기 저항 소자 부분은 각각 전기적접속되는반도체 장치. [청구항 42] 제26항에 있어서,신호가 공급되는 제1 단자와, 기준 전위가 공급되는 제2 단자와, 제어 단자와, 기동 회로용 제어 단자와, 기동 회로용 기준 전위가 공급되는 기동 회로용 제2 단자와, 상기 제1 단자에 접속되는 제1 전극과, 상기 제2 단자에 접속되는 제2 전극과, 상기 제어 단자에 접속되는 제어 전극을 갖는 주 스위치용 트랜지스터와, 상기 제1 단자에 접속되는 기동용 제1 전극과, 상기 기동 회로용 제2 단자에 접속되는 기동용 제2 전극과, 상기 기동 회로용 제어 단자에 접속되는 기동용 제어 전극을 갖는 기동 스위치용 트랜지스터와, 상기 제1 단자와 상기 기동용 제어 전극 사이에 직렬로 접속되는 기동 저항을 가지며, 상기 기동 저항은 상기 저항 소자구조인반도체 장치. [청구항 43] 제26항에 있어서,신호가 공급되는 제1 단자와, 기준 전위가 공급되는 제2 단자와, 제어 단자와, 전류 검출 단자와, 기동 회로용 제어 단자와, 기동 회로용 기준 전위가 공급되는 기동 회로용 제2 단자와, 상기 제1 단자에 접속되는 제1 전극과, 상기 제2 단자에 접속되는 제2 전극과, 상기 제어 단자에 접속되는 제어 전극과, 상기 전류 검출 단자에 접속되며 상기 제1 전극의 출력 전류를 검출하는 전류 검출 전극을 갖는 주 스위치용 트랜지스터와, 상기 제1 단자에 접속되는 기동용 제1 전극과, 상기 기동 회로용 제2 단자에 접속되는 기동용 제2 전극과, 상기 기동 회로용 제어 단자에 접속되는 기동용 제어 전극을 갖는 기동 스위치용 트랜지스터와, 상기 제1 단자와 상기 기동용 제어 전극 사이에 직렬로 접속되는 기동 저항을 갖고, 상기 기동 저항은 상기 저항 소자구조인반도체 장치.