유도결합형 플라즈마 에칭 장치 document_id 1020010031916

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 제 1 차 유도코일은 상기 외부 안테나의 안쪽에 위치하고, 상기 제 2 차 유도코일은상기내부안테나의안쪽위치하는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 내부 안테나와 상기 외부 안테나는 rf powered 와 접지단 사이에서 발생한 전압 및 전류분포의 불균일성으로 인해 발생하는 회전방향의 불균일도 및 플라즈마 대칭성 향상을 위해하는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 외부 안테나는 외부안테나 상단부의 1차 코일을 통해 인가된 고주파 전력을 병렬로 분기해 대면적화에 따른 코일 크기의 증가로 인한 종래 직렬코일에서 발생하는 커패시터용량의 제한적인 사용없이 안정적인매칭네트워크구성가능하게하는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 5] 제 2 항에 있어서,상기 내부 안테나와 상기 외부 안테나는 동일선상에 위치하며,상기 제 1 차 유도코일과 상기 제 2 차 유도코일은동일선상위치하는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,상기 제 1 차 유도코일과 상기 제 2 차 유도코일은 상기 내부 안테나로부터 일정 높이로이격되게위치되는것을특징으로 하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 내부 및 외부 안테나 그리고 상기 제 1 차 및 제 2 차 유도코일은 고주파 인가시 발생되는 과열을 방지하기 위해 수냉식 또는 공냉식으로 이루어지는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 외부 안테나와 내부 안테나의 내경은 1-50mm이고,상기 외부 안테나와 내부 안테나는 상기 절연 플레이트로부터 2mm에서 100mm 사이에 위치시켜, 상기 절연 플레이트에 형성되는 이온 밤바드먼트 현상저감시키는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 공정 챔버의 측면으로부터 지지되어 설치되는 그리고 상기 플라즈마로 소정의 처리가 실시되는 피처리체가 놓여지는 유지수단 및;상기 유지수단에 놓인 피처리체를 기준으로 가스 배출이 수직 하방으로 이루어지도록 상기 공정 챔버 하단에 설치되는 배기부더 포함하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 유지수단은 상기 공정 챔버의 중앙에 위치하는 서셉터와;상기 공정 챔버의 측면으로부터 수평으로 설치되는 그리고 상기 서셉터를 지지하기 위한 적어도 3개의 수평 지지대들포함하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 유지수단은 상기 서셉터에 피처리체를 안착시키는데 사용하는 웨이퍼 리프트장치를 더 포함하되;상기 리프트 장치는 상기 서셉터 내부에 설치되고 웨이퍼의 저면을 지지하기 위한 적어도 3개의 리프트 핀과;상기 공정 챔버의 일측면에 설치되고 상기 리프트 핀들을 상하 수직 이동시키기 위한 구동 장치와;각각의 끝단부에 상기 리프트 핀이 설치되는 y"자형의 포크와; 상기 포트와 연결되며 상기 수평 지지대의 내부 공간을 통해 상기 공정 챔버 외부로 노출되어 상기 구동 장치의 구동축과 연결되는 수평 샤프트포함하는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 12] 제 10 항에 있어서,셉터는 음극과;상기 음극상에 설치되는 웨이퍼가 놓여지는 정전척과;상기정전척과음극사이설치되는절연체로 이루어지는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 수평 지지대는 내부 통로를 갖으며, 각각의 수평 지지대의 내부 통로들을 통해서는 상기 음극으로 rf파워가, 상기 척으로 dc전원 그리고 불활성냉각 가스공급되는유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기와 같은 박막을 식각시 공정 온도는 -30도에서 600도, 공정 압력은 0.1mt-300mt의 범위에서 실시하며,상기 외부 안테나로 공급되는 공정 주파수는 1mhz-500mhz 범위이고, 음극으로 공급되는 공정 주파수는 100khz-100mhz 범위이며, 외부 안테나에 공급되는 공정 주파수의 전력은 0w-5000w 범위이고, 음극으로 공급되는 공정 주파수 전력범위인유도결합형 플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치. [청구항 15] 제 1 항에 있어서,상기 공정 가스는 통상 반도체 공정에 사용하는 가스를 사용하며, 이때 각각 사용되는 가스의 양인플라즈마를 이용한 반도체 제조 장치.