문맥 (context)
[청구항 27]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 소스 및 탄소 소스는 일반식 sixcyhz(여기서, x는 1 내지 2의 범위, y는 1 내지 6의 범위, z는 4 내지 18의 범위를 가짐)를 갖는유기실리콘 화합물포함하는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 28]
제 27항에 있어서,상기 유기실리콘 화합물은 메틸실란(sich6), 디메틸실란(sic2h8), 트리메틸실란(sic3h10), 테트라메틸실란(sic4h12), 디에틸실란(sic4h12)및그들의조합물들의그룹선택되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 29]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 소스 및 상기 탄소 소스는 실란(sih4), 메탄(ch4), 디실란(si2h6),및그들의조합물들의그룹선택되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 30]
제 26항에 있어서,상기 도펀트는 암모니아(nh3), 메탄(ch4), 실란(sih4), 에틸렌(c2h4), 아세틸렌(c2h2), 질소(n2)및그들의조합물들의그룹선택되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 31]
제 26항에 있어서,상기 기체 혼합물nan은불활성기체더포함하는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 32]
제 31항에 있어서,상기 불활성 기체는 헬륨(he), 아르곤(ar), 질소(n2)및그들의조합물들의그룹선택되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 33]
제 26항에 있어서,상기 기체 혼합물 내의 상기 실리콘 소스 대 상기 도펀트의 비율은 1:1 내지 1:100의범위갖는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 34]
제 26항에 있어서,상기 기판은 150℃ 내지 450℃사이의온도가열되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 35]
제 26항에 있어서,상기 증착 챔버는 1 torr 내지 15 torr사이의압력유지되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 36]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 소스 또는 상기 탄소 소스 중 하나는 10sccm 내지 4000sccm 범위의 유속으로상기증착챔버제공되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 37]
제 26항에 있어서,상기 도펀트는 50sccm 내지 10,000sccm 범위의 유속으로상기증착챔버제공되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 38]
제 26항에 있어서,상기 전계는 하나 이상의 무선 주파수(rf)전력들발생되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 39]
제 38항에 있어서,상기 하나 이상의 rf 전력들 각각은 100 watt내지범위인것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 40]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 층은 5.5미만의유전율가지는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 41]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 층은 250nm 미만의 파장에서반사방지코팅인것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 42]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 층은 2mv/cm2에서 10-8a/cm2미만의누설전류가지는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 43]
제 26항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 층을 플라즈마 처리하는단계더포함하는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 44]
제 43항에 있어서,상기 플라즈마는, 하나 이상의 불활성 기체를 공정 챔버로 제공하는 단계; 및상기 플라즈마를 생성시키기 위해 상기 공정 챔버내의 상기 하나 이상의 불활성 기체에 전계를 인가하는 단계에 의해서생성되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 45]
제 44항에 있어서,상기 하나 이상의 불활성 기체는 헬륨(he), 아르곤(ar), 질소(n2)및그들의조합물들의그룹선택되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 46]
제 44항에 있어서,상기 공정 챔버는 5torr 내지 10torr범위의압력유지되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 47]
제 44항에 있어서,상기 하나 이상의 불활성 기체는 1000sccm 내지 7000sccm 범위의 유속으로상기증착챔버제공되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 48]
제 44항에 있어서,상기 전계는 무선 주파수(rf)전력발생되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 49]
제 48항에 있어서,상기rf 전력은 200watt내지범위인것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
[청구항 50]
제 26항에 있어서,상기 층 증착 방법은,(d)상기 실리콘 카바이드 층 상에 실리콘 카바이드 캡 층을 형성하는단계더포함하는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
유기실리콘 화합물을 실리콘 소스 및 탄소 소스로 사용하는 경우, 해당 화합물이 가질 수 있는 구체적인 종류들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation실리콘 소스 및 탄소 소스로 사용되는 유기실리콘 화합물의 구체적인 종류를 모두 나열하는 과업을 수행한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 28에서 유기실리콘 화합물의 구체적인 종류들을 추출한다.
- 상기 유기실리콘 화합물은 메틸실란(sich6), 디메틸실란(sic2h8), 트리메틸실란(sic3h10), 테트라메틸실란(sic4h12), 디에틸실란(sic4h12)및그들의조합물들의그룹선택되는것을특징으로 하는컴퓨터 저장 매체.
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 유기실리콘 화합물의 종류가 명시된 청구항 28의 구절을 선택한다.
- 메틸실란(sich6), 디메틸실란(sic2h8), 트리메틸실란(sic3h10), 테트라메틸실란(sic4h12), 디에틸실란(sic4h12)
-
4논리 통합
logical_integration추출된 화합물 목록을 질문의 조건(유기실리콘 화합물 종류 나열)에 맞춰 정리한다.
-
5결론 도출
conclusion_formulation청구항 28에 기재된 화합물들을 리스트 형식으로 구성하여 답변을 도출한다.
-
6답변 생성
answer_generation최종적으로 메틸실란, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 디에틸실란 및 이들의 조합물을 답변으로 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
메틸실란(sich6), 디메틸실란(sic2h8), 트리메틸실란(sic3h10), 테트라메틸실란(sic4h12), 디에틸실란(sic4h12) 및 이들의 조합물
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 실리콘 소스 및 탄소 소스로서 특정 일반식을 갖는 유기실리콘 화합물을 사용하여 유전체 막을 증착하는 기술에 관한 것이며, 구체적인 화합물로 메틸실란, 디메틸실란, 트리메틸실란, 테트라메틸실란, 디에틸실란 등을 포함한다.