문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판의 소정영역에 직렬로 배치된 메모리 트랜지스터 및 선택 트랜지스터로 메모리 셀을 구성한 비휘발성 메모리 소자에 있어서,
상기 메모리 트랜지스터의 드레인 영역 및 상기 선택 트랜지스터의 소스영역은 공통으로 연결되어 정션영역에 해당하고, 상기 메모리 트랜지스터의 소스영역은 메모리 셀의 소오스에 해당하고, 상기 선택 트랜지스터의 드레인 영역은 메모리 셀의 드레인에 해당하되,
상기 정션영역은 상기 메모리 트랜지스터의 게이트 하부까지 확장되고, 상기 메모리 트랜지스터 및 상기 선택 트랜지스터의 게이트들 사이의 상기 정션영역의 깊이는 상기 메모리 셀의 드레인보다 얕은 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 소오스 영역 및 상기 드레인 영역nan은이중구조의불순물확산층구성된것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 메모리 트랜지스터는 부유게이트, 제1 게이트 층간절연막 및 제어게이트 전극이 차례로 적층된 메모리 트랜지스터 게이트 및 상기 메모리 트랜지스터 게이트 및 상기 반도체 기판 사이에터널절연막포함하는것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 4]
제3 항에 있어서,상기 터널절연막은 실리콘 산화막 또는 실리콘 옥시나이트라이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 5]
제3 항에 있어서,상기 부유게이트 및 상기 제어게이트 전극은 폴리실리콘인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 6]
제3 항에 있어서,상기 제1 게이트 층간절연막nan은실리콘 산화막막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 7]
제1 항에 있어서,상기 선택트랜지스터는 차례로 적층된, 제1 선택게이트, 제2 게이트 층간절연막 및 제2 선택게이트를 포함하되, 상기 제1 선택게이트 및 상기 제2 선택게이트는 상기 반도체 기판상의 소정영역에서전기적접속된것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 메모리 소자에서 메모리 트랜지스터의 드레인 영역과 선택 트랜지스터의 소스영역이 공통으로 연결되어 형성되는 정션영역의 깊이는 메모리 셀의 드레인과 비교하여 어떠한 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation메모리 트랜지스터의 드레인과 선택 트랜지스터의 소스가 공통으로 연결된 정션영역의 깊이를 메모리 셀의 드레인과 비교하여 특징을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 정션영역의 정의와 메모리 셀의 드레인에 대한 정의를 추출한다.
- 상기 메모리 트랜지스터의 드레인 영역 및 상기 선택 트랜지스터의 소스영역은 공통으로 연결되어 정션영역에 해당하고
- 상기 선택 트랜지스터의 드레인 영역은 메모리 셀의 드레인에 해당하되
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3근거 선택
evidence_selection정션영역의 깊이와 메모리 셀 드레인의 깊이를 비교하는 직접적인 구절을 선택한다.
- 상기 메모리 트랜지스터 및 상기 선택 트랜지스터의 게이트들 사이의 상기 정션영역의 깊이는 상기 메모리 셀의 드레인보다 얕은 것을 특징으로 하는
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4논리 통합
logical_integration정션영역의 깊이가 메모리 셀의 드레인보다 얕다는 비교 관계를 도출한다.
- 상기 정션영역의 깊이는 상기 메모리 셀의 드레인보다 얕은
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 정션영역의 깊이가 메모리 셀의 드레인보다 얕다는 결론을 내린다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
상기 정션영역의 깊이는 상기 메모리 셀의 드레인보다 얕다.
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리 소자에서 메모리 트랜지스터와 선택 트랜지스터 사이의 공통 정션영역을 메모리 셀의 드레인보다 얕게 형성하여 구조적 특징을 가진다.