문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 절연막nan은비정질다이아몬드성탄소인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 4]
제3 항에 있어서,상기 게이트 전극은,폴리실리콘막또는폴리사이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 5]
제4 항에 있어서,상기 폴리사이드막은 차례로 적층된폴리실리콘막및메탈실리사이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 6]
제3 항에 있어서,상기 터널산화막은 열산화막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 7]
제3 항에 있어서,상기 전하저장층nan은비정질다이아몬드탄소인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 8]
제3 항에 있어서,상기 블로킹절연막nan은산화막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 10]
제9 항에 있어서,상기 게이트 전극은,폴리실리콘막또는폴리사이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 11]
제9 항에 있어서,상기 터널산화막은 열산화막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 12]
제9 항에 있어서,상기 제1 전하저장층은,실리콘질화막또는실리콘옥시나이트라이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 13]
제9 항에 있어서,상기 제2 전하저장층nan은비정질다이아몬드성탄소인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 14]
제9 항에 있어서,상기 블로킹절연막nan은산화막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 16]
제15 항에 있어서,상기 게이트 전극은,폴리실리콘막또는폴리사이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 17]
제15 항에 있어서,상기 터널산화막은 열산화막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 18]
제15 항에 있어서,상기 제1 전하저장층nan은실리콘질화막또는실리콘옥시나이트라이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 19]
제15 항에 있어서,상기 제2 전하저장층nan은비정질다이아몬드성탄소인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 20]
제15 항에 있어서,상기 제3 전하저장층은 실리콘 질화막 또는 실리콘 옥시나이트라이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
[청구항 21]
제15 항에 있어서,상기 블로킹절연막nan은산화막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
비휘발성 메모리 소자에서 게이트 전극이 폴리사이드막인 경우, 해당 폴리사이드막을 구성하는 층들은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation게이트 전극이 폴리사이드막일 때, 해당 막을 구성하는 층들의 종류를 파악해야 한다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 5에서 폴리사이드막의 구성을 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 폴리사이드막은 차례로 적층된폴리실리콘막및메탈실리사이드막인것을특징으로 하는비휘발성 메모리 소자.
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3근거 선택
evidence_selection폴리사이드막의 구성 요소인 '폴리실리콘막'과 '메탈실리사이드막'을 근거로 선택한다.
- 폴리실리콘막및메탈실리사이드막
-
4논리 통합
logical_integration폴리사이드막은 폴리실리콘막과 메탈실리사이드막이 차례로 적층된 구조임을 확인한다.
- 차례로 적층된폴리실리콘막및메탈실리사이드막
-
5결론 도출
conclusion_formulation폴리사이드막을 구성하는 층은 폴리실리콘막과 메탈실리사이드막이다.
-
6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변으로 두 가지 층을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
폴리실리콘막, 메탈실리사이드막
핵심 해석 (core_interpretation)
비휘발성 메모리 소자의 게이트 전극 중 폴리사이드막은 폴리실리콘막과 메탈실리사이드막이 적층된 구조로 이루어져 있다.