반도체기판 그 제조방법, 반도체장치 및 패턴형성방법 document_id 1020010047696

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 산란부는 상기 반도체층의 상기 다른 면에 상기 입사광의 파장의 1/10 정도 이상의 단차를 갖는요철설치되어이루어진것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 반도체층의 상기다른 면에서의 상기 입사광의 반사율은 13%정도이하인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 입사광의 파장nan은인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 5] 제 1항에 있어서,상기 산란부는 상기 반도체층의 상기 내부에 설치되어 있는 동시에, 상기 입사광에 대하여 상기 iii족 질화물과 다른 굴절율을 갖는 재료로 이루어진입자또는층포함하는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 6] 제 5항에 있어서,상기 재료로 이루어진 상기 입자의 직경은 상기 입사광의 파장의 1/10정도이상인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 7] 제 5항에 있어서,상기 재료로 이루어진 상기 층에서의 상기 일면에 대하여 평행한 방향을 따른 폭은 상기 입사광의 파장의 1/10정도이상인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 8] 제 5항에 있어서,상기 재료로 이루어진 상기 층의 두께는 상기 입사광의 파장의 1/10정도이상인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 9] 제 5항에 있어서,상기 재료로 이루어진 상기 입자 또는 층은 상기 일면에 대하여 평행한 방향을 따라 설치되어 있고,상기 산란부는 상기 일면에 대하여 평행한 방향을 따라 설치되어 있고 또한 상기 iii족 질화물을 주성분으로 하는 다른 반도체층과,상기입자또는층적층되어이루어진것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 10] 제 5항에 있어서,상기 산란부의 두께는 상기 입사광의 파장의 1/10정도이상인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 11] 제 5항에 있어서,상기 재료는 si, sio2, sin 또는 al2o3인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 12] 제 5항에 있어서,상기 산란부의 상기 입사광에 대한투과율이하인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기 입사광의 파장nan은인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 투과부는 상기 반도체층의 상기 다른 면에, 상기 입사광에 대하여 상기 iii족 질화물과 다른 굴절율을 갖는 재료로 이루어진층형성되어이루어진것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 16] 제 15항에 있어서,상기 재료로 이루어진 상기 층은 복수의 층이고, 상기 복수의 층 중의 적어도 2개의 층은 상기 입사광에 대하여 서로 다른굴절율갖는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 17] 제 15항에 있어서,상기 재료의 상기 입사광에 대한 굴절율은 상기 iii족 질화물의 상기 입사광에 대한 굴절율의 9/10정도이하인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 18] 제 15항에 있어서,상기 재료는 sio2, sin 또는 al2o3인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 19] 제 15항에 있어서,상기 재료는 상기 반도체층을 구성하는 iii족원소와산소화합물인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 20] 제 15항에 있어서,상기 재료는 alxga1-xn(단 0＜x1)인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 21] 제 14항에 있어서,상기 투과부의 상기 입사광에 대한투과율이상인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 입사광의 파장nan은인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 23] 제 14항에 있어서,상기 반도체층의 상기다른 면과 상기 투과부와의 사이, 또는 상기 반도체층의 내부에 설치되어 있고 또한 상기 입사광을 산란시키는산란부를추가구비하고있는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 25] 제 24항에 있어서,상기 흡수부의 상기 입사광에 대한투과율이하인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 26] 제 25항에 있어서,상기 입사광의 파장nan은인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 27] 제 24항에 있어서,상기 흡수부는 상기 입사광에 대하여 상기 iii족 질화물보다도 큰 흡수계수를 갖는재료로이루어진것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 28] 제 27항에 있어서,상기 재료는 상기 입사광에 대하여 서로 다른 흡수계수를 갖는복수재료인것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 29] 제 27항에 있어서,상기 재료는 si 및 w중의적어도1개포함하는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 30] 제 24항에 있어서,상기 흡수부는 상기 입사광을 흡수하는 준위를 생기게 하도록 불순물이상기반도체층첨가되어이루어진것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 31] 제 30항에 있어서,상기 불순물은 c, o, si, s, cl, p 및 as중의적어도1개포함하는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 32] 제 30항에 있어서,상기 흡수부의 상기 입사광에 대한 흡수계수를 로 하고, 상기 흡수부의 두께를 z0로 하였을 때에, z00.223/의관계성립하는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 33] 제 24항에 있어서,상기 흡수부는 상기 반도체층에점결함형성되어이루어진것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 34] 제 33항에 있어서,상기 점결함은 상기 반도체층에 프로톤을 도입함형성되어있는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 35] 제 24항에 있어서,상기 흡수부는 상기 반도체층의 일면에 대하여 평행한 방향을 따라 불균일하게분포되어있는것을특징으로 하는반도체기판. [청구항 43] 제 42항에 있어서,상기 구조는리지구조또는홈구조갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 45] 제 44항에 있어서,상기 구조는리지구조또는홈구조갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 47] 제 46항에 있어서,상기 구조는리지구조또는홈구조갖는것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 48] 제 46항에 있어서,상기 구조는 리지구조를 갖고 있고, 상기 반도체기판에서의 상기 리지구조의 하측에는 상기 흡수부가 설치되어않은것을특징으로 하는반도체장치.