반도체처리모듈과 장치 document_id 1020010050737

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 압력조절밸브는 자동압력조절식(apc)버터플라이밸브인것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 부하로크챔버들은 각 부하로크챔버의 하부를 연결하는 매니폴드를 통해 서로 연통되어 있으며, 진공동작은하나의부하로크챔버에의해조절되는 것을특징으로 반도체처리모듈. [청구항 4] 제1항에 있어서,2개의 단일웨이퍼처리유니트로구성되어있는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 5] 제1항에 있어서,단일웨이퍼처리유니트는 2개의 부하로크챔버를 가지며, 하나의 챔버는 다른 챔버의 상에 위치하며, 상기 챔버들 중 하나는 상기 반도체 기판을 진공상태의 상기 반응기내로 이송하고 나머지 챔버는 진공상태의 상기 반응기로부터반도체기판이송하는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 가스공급시스템에는 상기 각 반응기에 가스를 균등하게 공급하기 위한유동분류기마련되어있는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 유동분류기와 상기 반응기 사이에 상기 각반응기용가스정지밸브더포함하는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 압력조절밸브와 상기 반응기 사이에 상기 각반응기용진공배출밸브더포함하는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 가스공급시스템은 상기 각반응기용질량유량조절기구비하는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 가스배출시스템은 상기 각반응기공용인것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 11] 제1항에 있어서,하나의 rf발전기와 상기 rf발전기와 상기 반응기들 중 하나를 전기적으로 연결하는 스위치를 더 포함하며, 증착과 세척은 상기 각 반응기에서교호적실행되는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 12] 제1항에 있어서,상기 반응기는 반도체 기판에 적치되는 서셉터와;상기 서셉터의 하부에 동축적으로 마련되며, 상기 서셉터보다 큰 직경과 외주를 따른 실링면을 갖는 실링판과;상기 서셉터와 상기 실링판을 수직방향으로 이동시키는 승하강장치와;상기 반응기의 천정부에 마련되어 가스를 도입시키는 샤워헤드; 및상기 샤워헤드에 인접하여 마련되고, 상기 반응기의 내벽을 따라 형성된 원형돌기를 갖는 덕트부재를 포함하며, (a)상기 서셉터와 상기 실링판이 상승하여 상기 실링판의 실링면이 상기 덕트부재의 원형돌기와 접촉하는 위치에서, 상기 반응기의 내부는 상기 실링판에 의해 상부반응실과 하부반응실로 구획되고, 상기 하부반응실내에서 상기 서셉터 상의 기판이 처리되며, (b)상기 서셉터와 상기 실링판이 하강하는 위치에서, 기판은 상기 게이트밸브를 통해이송하는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 반응기는 상기 서셉터를 통과하여 상기 서셉터 상의 기판을 지지하는 적어도 세개의 기판승강핀과;상기 기판승강핀을 지지하고, 상기 서셉터와 상기 실링판 사이에 상기 서셉터와 동축적으로 마련되며, 상기 실링판보다 작고 상기 원형돌기의 내경보다 큰 직경을 가지는 디스크; 및상기 디스크를 배면으로부터 지지하는 상단부와 상기 실링판에 형성된 함몰부에 삽입되는 하단부를 갖는 부유탄성부재를 더 포함하며,상기 실링판이 상기 덕트부재의 상기 원형돌기에 밀봉될 때, 상기 디스크도 상기 원형돌기에 의해 유지되어 부유탄성부재를 상기 실링판의 상기 함몰부내로 되밀며, 상기 기판승강핀은 상기 각 기판승강핀의 선단이 서셉터면과 동등하거나 더 낮은 레벨에 있게 되는위치하강하는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 실링판은 상기 실링판의 실링면과 상기 원형돌기 사이에서의 밀봉을 보장하기 위한가압탄성부재갖는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 15] 제12항에 있어서,셉터와 상기 실링판사이의 거리를 조정함으로서 상기 서셉터와 상기 실링판이 상승하여, 상기 실링판이 상기 덕트의 상기 원형돌기를 밀링할 때, 상기 샤워헤드와 상기 서셉터 사이의 거리를 조정하며 서셉터 샤트프와 동축적으로 설치되는 서셉터높이조정판을 더 포함하며,이에의한것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 반응기는 반도체 기판에 적치하는 서셉터와;상기 서셉터를 수직방향으로 이송시키는 승하강 장치와;상기 반응기의 천정부에 마련되어 가스를 도입시키는 샤워헤드와;상기 샤워헤드에 인접하여 마련되고, 상기 반응기의 내벽을 따라 형성된 덕트부재; 및상기 반응기의 내벽에 상기 덕트부재의 바로 아래에 마련되며, 상기 덕트부재와의 사이에 갭을 형성하고, 상기 서셉터보다 약간 작은 내경을 갖는 원형배플판을 포함하며;(a)상기 서셉터가 상승하여 상기 원형배플판과 동등하게 되는 위치에서, 상기 반응기의 내부는 상부반응실과 하부반응실로 구획되며, 하부반응실에서 상기 서셉터 상의 기판이 처리되고, 배출가스는 상기 원형배플판과 상기 덕트부재 사이에 형성된 상기 갭을 통해 상기 상부반응실로부터 방출되고, 실드가스는 상기 서셉터와 상기 원형배플판 사이에 형성된 갭을 통해 상기 하부실로부터 상기 반응챔버내로 제공되며, (b)상기 서셉터가 하강하는 위치에서 기판을 게이트밸브를 통해이송되는것을특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 덕트부재와 상기 배플판은 절연재료로 만들어진 것특징으로 하는반도체처리모듈. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 대기로봇유니트는 상기 부하로크챔버에 평행한 슬라이딩 샤프트를 가지며, 상기 샤프트상에서 상기 대기로봇은 상기 각 부하로크챔버의 전방의 위치로슬라이딩이동하는것을특징으로 하는반도체처리장치. [청구항 20] 제18항에 있어서,복수의 모듈이일렬배치되어있는것을특징으로 하는반도체처리장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 복수의 모듈은 기판을 상기 각 부하로크챔버의 내외부로 이송하는 대기로봇을 가진 공용의 대기로봇유니트배치되어있는것을특징으로 하는반도체처리장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 대기로봇유니트와 로딩포트에 연결되어, 상기 대기로봇과 상기 로딩포트 사이에서 하나 또는 여러 개의 기판을 이송하는 대기이송유니트더포함하는것을특징으로 하는반도체처리장치. [청구항 23] 제22항에 있어서,상기 로딩포트는 카세트 및/또는검사유니트포함하는것을특징으로 하는반도체처리장치. [청구항 24] 제22항에 있어서,상기 대기이송유니트는 복수의 기판을 집결하여 이송하는 슬롯 및 아암샤프트와;승하강 샤프트; 및상기 로딩포트와 상기 대기로봇 사이에서 기판을 이송하는 회전샤프트를 포함하며,상기 대기이송유니트는 기판이 상기 대기이송유니트와 상기 대기로봇 사이에 이송된 한편 상기 대기로봇이 상기 슬라이딩 샤프트상에서 슬라이딩 이동하지 않은 위치에까지 복수의 기판을 집결하여이송시키는것을특징으로 하는반도체처리장치.