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개선된 본딩 패드 구조체를 구비한 반도체 장치 및 본딩패드에 본딩 배선을 본딩하는 방법 document_id 1020010053695

출원번호
1020010053695
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] au계 재료로 구성된 본딩 배선의 본딩부와 본딩 패드 사이의 본딩 구조체에 있어서 상기 본딩 패드는, 베이스층과, 상기 베이스층의 상부에 형성된 적어도 하나의 배리어층과, 상기 적어도 하나의 배리어층의 상부에 형성되며 al계 재료를 포함하는 본딩층을 더 포함하고, 상기 본딩 배선의 본딩부는 상기 본딩층에 매입되고, au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고, 상기 au-al 합금층의 저면은 상기 배리어층의 상부 표면과 접촉 또는 인접하는 것을 특징으로 하는 본딩 구조체 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 본딩부의 저면 아래의 상기au-al 합금층의 저면부는 상기 본딩부의 측부에 인접한 상기 au-al 합금층의 측부보다 얇은 것특징으로 하는본딩 구조체. [청구항 3] 제1항에 있어서,적어도 하나의 배리어층은 ti, w, pt, ta, ni,및그들의합금중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는본딩 구조체. [청구항 4] 제1항에 있어서,적어도 하나의 배리어층의 두께는적어도200나노미터인것을특징으로 하는본딩 구조체. [청구항 5] 제1항에 있어서,적어도 하나의 배리어층은 ti로 구성된 하부 배리어층 및 tin으로 구성된 상부 배리어층포함하는것을특징으로 하는본딩 구조체. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 하부 배리어층 및 상부배리어층각각의두께적어도100나노미터인것을특징으로 하는본딩 구조체. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 본딩층의 두께는최대600나노미터인것을특징으로 하는본딩 구조체. [청구항 8] 본딩 패드에 있어서, 베이스층과, 상기 베이스층의 상부에 형성된 적어도 하나의 배리어층과, 상기 적어도 하나의 배리어층의 상부에 형성되며 al계 재료를 포함하는 본딩 층을 포함하고, 상기 적어도 하나의 배리어층은 al-au 합금의 형성을 억제하는 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 본딩 패드 [청구항 9] 제8항에 있어서,적어도 하나의 배리어층은 ti, w, pt, ta, ni,및그들의합금중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는본딩 패드. [청구항 10] 제8항에 있어서,적어도 하나의 배리어층의 두께는적어도200나노미터인것을특징으로 하는본딩 패드. [청구항 11] 제8항에 있어서,적어도 하나의 배리어층은 ti로 구성된 하부 배리어층 및 tin으로 구성된 상부 배리어층포함하는것을특징으로 하는본딩 패드. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 하부 배리어층 및 상부배리어층각각의두께적어도100나노미터인것을특징으로 하는본딩 패드. [청구항 13] 제8항에 있어서,상기 본딩층의 두께는최대600나노미터인것을특징으로 하는본딩 패드. [청구항 14] au계 재료로 구성된 본딩 배선을 통해 인쇄 회로 기판의 리드 프레임에 본딩되는 적어도 하나의 본딩 패드를 구비하고 상기 인쇄 회로 기판상에 장착되는 반도체 장치에 있어서 상기 본딩 패드는, 베이스층과, 상기 베이스층의 상부에 형성된 적어도 하나의 배리어층과, 상기 적어도 하나의 배리어층의 상부에 형성되고 al계 재료를 포함하는 본딩층을 더 포함하고, 상기 본딩 배선의 본딩부는 상기 본딩층에 매입되고, au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고, 상기 au-al 합금층의 저면은 상기 배리어층의 상부 표면과 접촉 또는 인접하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치 [청구항 15] 제14항에 있어서,상기 본딩부의 저면 아래의 상기au-al 합금층의 저면부는 상기 본딩부의 측부에 인접한 상기 au-al 합금층의 측부보다 얇은 것특징으로 하는반도체 장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,적어도 하나의 배리어층은 ti, w, pt, ta, ni,및그들의합금중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 17] 제14항에 있어서,적어도 하나의 배리어층의 두께는적어도200나노미터인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,적어도 하나의 배리어층은 ti로 구성된 하부 배리어층 및 tin으로 구성된 상부 배리어층포함하는것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 하부 배리어층 및 상부배리어층각각의두께적어도100나노미터인것을특징으로 하는반도체 장치. [청구항 20] 제14항에 있어서,상기 본딩층의 두께는최대600나노미터인것을특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
본딩 구조체에서 au-al 합금층의 저면이 배리어층의 상부 표면과 접촉하거나 인접하기 위해, au-al 합금층은 어느 위치에 형성되어야 하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    au-al 합금층의 저면이 배리어층의 상부 표면과 접촉/인접하기 위해 au-al 합금층이 형성되어야 하는 위치를 찾는 것이다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 1에서 au-al 합금층의 위치와 저면의 상태에 관한 정보를 추출한다.

    • au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고, 상기 au-al 합금층의 저면은 상기 배리어층의 상부 표면과 접촉 또는 인접하는 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    au-al 합금층의 형성 위치를 명시한 구절을 선택한다.

    • au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고
  4. 4논리 통합logical_integration

    au-al 합금층이 본딩부와 본딩층 사이의 경계상에 확장됨으로써, 그 저면이 배리어층 상부 표면에 닿을 수 있는 구조임을 파악한다.

    • au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고, 상기 au-al 합금층의 저면은 상기 배리어층의 상부 표면과 접촉 또는 인접하는 것
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    au-al 합금층은 본딩부와 본딩층 사이의 경계상에 형성(확장)되어야 한다.

    • au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고
  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 질문에 대한 직접적인 답변을 작성한다.

    • au-al 합금층은 상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되고
최종 답변 (final_answer)
상기 본딩부와 상기 본딩층 사이의 경계상에 확장되어 형성되어야 한다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본딩 배선의 본딩부와 본딩층 사이의 경계에 au-al 합금층을 형성함으로써, 합금층의 저면이 배리어층 상부와 접촉하도록 설계하여 본딩 구조의 특성을 제어하는 기술이다.