문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 식각정지막 패턴은 상기 소자분리막과 접합층의 일부분을 덮는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 3]
제2항에 있어서,상기 접합층의 식각정지막 패턴은 상기 소자분리막의 단부로부터 상기 접합층 내로 0.05㎛ 내지 0.3㎛인 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 국부배선층의 소자분리막의 일부분을 덮는 적어도 1층 이상의 식각정지막을 구비하는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 식각정지막 패턴은 상기 접합층의 단부로부터 상기 소자분리막 내로 0.05㎛ 내지 0.3㎛인 영역을 덮지 않은 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 식각정지막 패턴은 실리콘질화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 7]
제6항에 있어서,상기 실리콘질화막의 두께는 300å 내지 700å인 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 8]
제1항에 있어서,상기 식각정지막 패턴은 상기 국부배선층을 형성하지 않는 상기 소자분리막 상에 잔류하는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 9]
제1항에 있어서,상기 식각정지막 패턴은 제1 실리콘 질화막, 실리콘산화막 및 제2 실리콘질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 10]
제9항에 있어서,상기 제1 실리콘질화막 및 실리콘산화막은 상기 국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
[청구항 11]
제9항에 있어서,상기 제1 실리콘질화막, 실리콘산화막 및 제2 실리콘질화막은 상기 국부배선 층을 형성하지 않는 소자분리막 상에 잔류하는 것을 특징으로 하는 국부배선층갖는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는 식각정지막 패턴의 구성 성분은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는 식각정지막 패턴의 구성 성분을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 식각정지막 패턴의 구성 성분이 제1 실리콘 질화막, 실리콘산화막 및 제2 실리콘질화막임을 확인한다.
- 상기 식각정지막 패턴은 제1 실리콘 질화막, 실리콘산화막 및 제2 실리콘질화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는
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3근거 선택
evidence_selection접합층 상에 잔류하는 성분을 명시한 청구항 10의 내용을 선택한다.
- 상기 제1 실리콘질화막 및 실리콘산화막은 상기 국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는 것을 특징으로 하는
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4논리 통합
logical_integration청구항 9의 전체 구성 성분 중, 청구항 10에 의해 접합층 상에 잔류한다고 명시된 성분은 제1 실리콘질화막과 실리콘산화막이다.
- 상기 제1 실리콘질화막 및 실리콘산화막은 상기 국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는
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5결론 도출
conclusion_formulation접합층 상에 잔류하는 구성 성분은 제1 실리콘질화막과 실리콘산화막이다.
- 상기 제1 실리콘질화막 및 실리콘산화막은 상기 국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는
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6답변 생성
answer_generation질문에 대한 답변으로 제1 실리콘질화막, 실리콘산화막을 리스트 형식으로 작성한다.
- 상기 제1 실리콘질화막 및 실리콘산화막은 상기 국부배선층을 형성하지 않는 접합층 상에 잔류하는
최종 답변 (final_answer)
제1 실리콘질화막, 실리콘산화막
핵심 해석 (core_interpretation)
식각정지막 패턴의 구성 성분 중 제1 실리콘질화막과 실리콘산화막이 국부배선층이 형성되지 않는 접합층 영역에 잔류함을 나타낸다.