샤워 헤드 구조체 및 그의 의한 성막 방법과, 가스 처리 장치 document_id 1020010055142

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 처리 챔버에 탑재했을 때, 상기 처리 챔버의 상기 천정부에 접촉하는 상기 접합 플랜지부의 접촉면에, 단열재와 진공 상태를 유지하기 위한 밀봉면포함하는샤워 헤드 구조체. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 천정부에 장착되었을 때에 상기 밀봉면에 의해 상기 천정측에 장착된 밀봉 부재를 눌러서 기밀성을 유지시키면서, 진공측의 상기 밀봉면과 상기 천정 사이에 간극이 생기도록, 진공측의 상기 접합 플랜지부의 접촉면을 대기측형성하는샤워 헤드 구조체. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 헤드 가열부의 상방에 있는 상기 헤드 본체의 측벽에는, 상기 측벽의 단면적을 축소시켜서, 전달되는 열에 대한 열 저항을 크게 하여, 상기 헤드 가열부에 의해 발생된 열의 상기 접합 플랜지부측으로의 전달을 억제하는 오목부형성되는샤워 헤드 구조체. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 헤드 가열·냉각부는,상기 접합 플랜지부에 한쪽 온도조절면이 접하도록 마련된 펠티에 소자와,상기 펠티에 소자의 구동 제어를 실행하는 제어부포함하는샤워 헤드 구조체. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 펠티에 소자의 다른 쪽의 온도조절면에 접하도록, 상기 온도조절면이 발생하는 온열 또는 냉열을 외부로 전달시키기 위한 열 매체가 흐르는 매체 유로마련되는샤워 헤드 구조체. [청구항 8] 제 6 항에 있어서,상기 열 매체는, 성막 처리시에 상기 펠티에 소자를 냉각하기 위한 제 1 열 매체와, 상기 처리 챔버내의 클리닝 처리시에 상기 펠티에 소자를 가열하기 위한 제 2 열 매체를 구비하며,상기 제 1 열 매체와 제 2 열 매체는, 각각 다른 매체 유로를 거쳐 상기 펠티에 소자의 온도조절면에 접해서 밸브 전환에 의해 어느 하나의 열 매체선택되는샤워 헤드 구조체. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,프로세스 가스 분위기내에서, 가열된 피처리체의 표면에 반응 생성물을 퇴적시키는 처리 챔버를 갖는 성막 장치탑재되는샤워 헤드 구조체. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,플라즈마 발생하의 프로세스 가스 분위기 내에서, 가열된 피처리체의 표면에 반응 생성물을 퇴적시키는 처리 챔버를 갖는 플라즈마 성막 장치탑재되는샤워 헤드 구조체. [청구항 12] 제 9 항에 있어서,상기 헤드 가열·냉각부는, 상기 접합 플랜지부상에 접하도록, 상기 접합 플랜지부가 발생하는 온열, 혹은 냉열을 외부로 전달시키기 위한 열 매체가 흐르는 매체 유로마련되는샤워 헤드 구조체. [청구항 13] 제 12 항에 있어서,상기 열 매체는, 성막 처리시에 상기 접합 플랜지부를 냉각하기 위한 제 1 열 매체와, 상기 처리 챔버내의 클리닝 처리시에 상기 접합 플랜지부를 가열하기 위한 제 2 열 매체구비하는샤워 헤드 구조체. [청구항 46] 제 45 항에 있어서,상기 처리 챔버와 상기 접합부의 밀봉면에 단열재개재하는가스 처리 장치. [청구항 47] 제 45 항에 있어서,상기 처리 챔버와 상기 샤워 헤드의 접합부의 밀봉면에 장착된 밀봉 부재를 거쳐서 기밀성을 유지하면서, 상기 처리 챔버의 진공측의 상기 밀봉면에 간극을 거쳐서 진공측의 상기 접합부의 접촉면을 대기측형성하는가스 처리 장치. [청구항 49] 제 45 항에 있어서,상기 헤드 가열·냉각부는,상기 접합부에 한쪽 온도조절면이 접하도록 마련된 펠티에 소자와,상기 펠티에 소자의 구동 제어를 실행하는 제어부구비하는가스 처리 장치. [청구항 50] 제 45 항에 있어서,상기 샤워 헤드는 컵 형상형성하는가스 처리 장치. [청구항 51] 제 49 항에 있어서,상기 펠티에 소자의 다른쪽 온도조절면에 접하도록, 상기 온도조절면이 발생하는 온열 또는 냉열을 외부로 전달시키기 위한 열 매체가 흐르는 매체 유로마련되는가스 처리 장치. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,상기 열 매체는, 상기 펠티에 소자를 냉각하기 위한 제 1 열 매체와, 상기 펠티에 소자를 가열하기 위한 제 2 열 매체를 구비하며,상기 제 1 열 매체와 제 2 열 매체는, 각각 다른 매체 유로를 거쳐 상기 펠티에 소자의 온도조절면에 접해서 밸브 전환에 의해 어느 하나의 열 매체선택되는가스 처리 장치. [청구항 53] 제 49 항에 있어서,상기 헤드 가열부와 상기 헤드 가열·냉각부에 의해, 상기 샤워 헤드의 온도가 50℃ 내지 300℃의 범위내제어되는가스 처리 장치. [청구항 54] 제 45 항에 있어서,상기 가스 처리 장치는 프로세스 가스 분위기내에서, 가열된 피처리체의 표면에반응생성물퇴적시키는가스 처리 장치인가스 처리 장치. [청구항 55] 제 46 항에 있어서,상기 가스 처리 장치는 플라즈마 발생하의 프로세스 가스 분위기내에서, 가열된 피처리체의 표면에 반응 생성물을 퇴적시키는 플라즈마성막 장치인가스 처리 장치. [청구항 56] 제 45 항에 있어서,상기 헤드 가열·냉각부는, 상기 접합부상에 접하도록, 상기 접합부가 발생하는 온열 또는 냉열을 외부로 전달시키기 위한 열 매체가 흐르는 매체 유로마련되는가스 처리 장치. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 열 매체는, 성막 처리시에 상기 접합부를 냉각하기 위한 제 1 열 매체와, 상기 처리 챔버내의 클리닝 처리시에 상기 접합부를 가열하기 위한 제 2 열 매체구비하는가스 처리 장치. [청구항 59] 제 45 항에 있어서,상기 샤워 헤드는 상기 샤워 헤드와 일체적으로 형성되는 측벽부갖는가스 처리 장치.