문맥 (context)
[청구항 6]
기판의 표면에 설치한 미세한 오목부의 내부에 2종 이상의 금속으로 구성한 밑바탕막과,
상기 밑바탕막의 표면에 습식도금으로 석출시킨 도전성 금속으로 이루어지는 배선을 형성한 것을 특징으로 하는 반도체장치
[청구항 7]
제 6항에 있어서,상기 밑바탕막을 형성하는 금속은 상기 매립배선을 형성하는 금속과 동일한 제 1 금속과, 그 제 1 금속보다 원자량이 큰 귀금속으로 이루어지는제2금속조합인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 제 1 금속은 금,은구리인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 9]
제 8항에 있어서,상기 제 1 금속은 구리이고, 상기 제 2 금속은 팔라듐, 은,백금금인것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 10]
제 6항에 있어서,상기 밑바탕막을 스패터형성하는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 11]
배선용의 미세한 오목부를 설치한 기판의 표면에 2종 이상의 금속으로 구성한 밑바탕막을 형성하는 성막장치와,
상기 밑바탕막의 표면에 습식도금을 실시하여 상기 오목부내에 도전성 금속을 매립하는 도금장치를 가지는 것을 특징으로 하는 배선형성장치
[청구항 12]
제 11항에 있어서,상기 밑바탕막을 형성하는 금속은 상기 매립배선을 형성하는 금속과 동일한 제 1 금속과, 그 제 1 금속보다 원자량이 큰 귀금속으로 이루어지는제2금속조합인것을특징으로 하는배선형성장치.
[청구항 13]
제 12항에 있어서,상기 제 1 금속은 금,은구리인것을특징으로 하는배선형성장치.
[청구항 14]
제 13항에 있어서,상기 제 1 금속은 구리이고, 상기 제 2 금속은 팔라듐, 은,백금금인것을특징으로 하는배선형성장치.
[청구항 15]
제 11항에 있어서,상기 성막장치는 스패터링장치장치인것을특징으로 하는배선형성장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체장치에서 밑바탕막을 구성하는 제1 금속이 구리인 경우, 제2 금속으로 사용될 수 있는 금속의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제1 금속이 구리일 때, 밑바탕막을 구성하는 제2 금속의 종류를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 9에서 제1 금속이 구리인 경우의 제2 금속 종류를 명시하고 있다.
- 상기 제 1 금속은 구리이고, 상기 제 2 금속은 팔라듐, 은,백금금인것을특징으로 하는반도체장치
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3근거 선택
evidence_selection질문 조건인 '제1 금속이 구리'인 상황에 직접 대응하는 청구항 9의 내용을 선택한다.
- 상기 제 1 금속은 구리이고, 상기 제 2 금속은 팔라듐, 은,백금금인것을특징으로 하는반도체장치
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4논리 통합
logical_integration청구항 9에 따라 제1 금속이 구리라면 제2 금속은 팔라듐, 은, 백금(금)임을 도출한다.
- 상기 제 1 금속은 구리이고, 상기 제 2 금속은 팔라듐, 은,백금금인것을특징으로 하는반도체장치
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5결론 도출
conclusion_formulation제2 금속의 종류를 리스트 형태로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 금속 종류를 답변 형식에 맞춰 출력한다.
최종 답변 (final_answer)
팔라듐, 은, 백금(금)
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체 장치의 밑바탕막을 구성할 때, 제1 금속(구리)보다 원자량이 큰 귀금속을 제2 금속으로 조합하여 사용하는 기술에 관한 것이다.