반도체 소자의 본딩패드 구조 및 그 형성방법 document_id 1020010071828

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 전기 소자는커패시터인것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 본딩패드 금속배선은,상기 층간절연막 상에 형성된 제1 금속배선;상기 제1 금속배선 상에 형성된 배선간 절연막;상기 배선간 절연막 상에 형성된 제2 금속배선; 및상기 배선간 절연막 내에 형성된 비아 콘택을 포함하며, 상기 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선은 상기 비아 콘택을 통하여상호간연결되어있는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 4] 제3항에 있어서,상기 비아 콘택은 상기 배선간 절연막내에 섬형으로 콘택 플러그가 형성된 형태인 콘택 타입, 일체형 콘택 플러그 내에 섬형으로 상기 배선간 절연막이 형성된 형태인 메쉬 타입 또는 상기 배선간 절연막과 콘택 플러그가 순차적으로 교번하여 링 형태로 형성된링타입으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 5] 제3항에 있어서,상기 비아 콘택은 일체형 형태로 트렌치된 상기 배선간 절연막 내에 도전물질이 채워져 있는형태갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 더미 패턴nan은도전층이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 8] 제6항에 있어서,상기 더미 패턴은 절연층과 도전층이 순차적으로 적층된구조갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 9] 제7항 또는 제8항에 있어서,상기 도전층은 상기 셀영역에 형성된 커패시터 상부전극과 동일한물질로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 10] 제6항에 있어서,상기 더미 패턴은 상기 본딩패드에 상응하는크기갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 11] 제6항에 있어서,상기 전기 소자는커패시터인것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 12] 제6항에 있어서,본딩패드 금속배선nan은다층금속배선으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 다층의 금속배선은,상기 층간절연막 상에 형성된 제1 금속배선;상기 제1 금속배선 상에 형성된 배선간 절연막;상기 배선간 절연막 상에 형성된 제2 금속배선; 및상기 배선간 절연막 내에 형성된 비아 콘택을 포함하며, 상기 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선은 상기 비아 콘택을 통하여상호간연결되어있는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 비아 콘택은 상기 배선간 절연막내에 섬형으로 콘택 플러그가 형성된 형태인 콘택 타입, 일체형 콘택 플러그 내에 섬형으로 상기 배선간 절연막이 형성된 형태인 메쉬 타입 또는 상기 배선간 절연막과 콘택 플러그가 순차적으로 교번하여 링 형태로 형성된링타입으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 15] 제13항에 있어서,상기 비아 콘택은 일체형 형태로 트렌치된 상기 배선간 절연막 내에 도전물질이 채워져 있는형태갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 다층의 더미 패턴은 제1 더미 패턴, 제2 더미 패턴 및 제3 더미 패턴을 포함하고, 상기 제1 더미 패턴과 상기 제2 더미 패턴은 적층 구조로 형성되고, 상기 제3 더미 패턴은 상기 제1 더미 패턴과 상기 제2 더미 패턴의 노출된 표면을 덮으면서 형성되어 있으며, 상기 본딩패드 콘택은상기제3더미패턴과상기본딩패드금속배선연결하는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제1 더미 패턴은 상기 제2 더미 패턴 상부에 형성되어 있고, 상기 제1 더미 패턴의 하부에는언더컷형성되어있는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 제3 더미 패턴은 상기 셀영역에 형성된 커패시터 상부전극과 동일한물질로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기 전기 소자는커패시터인것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 21] 제16항에 있어서,상기 반도체 기판은 아래로 볼록한형태의단차부갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 아래로 볼록한 형태의 단차부는 상기 본딩패드에 상응하는크기갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 23] 제16항에 있어서,상기 반도체 기판과 상기 더미 패턴 사이에 실리콘 산화막에 대하여 높은 식각 선택비를 갖는절연층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 24] 제16항에 있어서,상기 본딩패드 콘택은 상기 층간절연막 내에 섬형으로 콘택 플러그가 형성된 형태인 콘택 타입, 일체형 콘택 플러그 내에 섬형으로 상기 층간절연막이 형성된 형태인 메쉬 타입 또는 상기 층간절연막과 콘택 플러그가 순차적으로 교번하여 링 형태로 형성된링타입으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 25] 제16항에 있어서,상기 본딩패드 콘택은 일체형 형태로 트렌치된 상기 층간절연막 내에 도전물질이 채워져 있는형태갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 26] 제16항에 있어서,본딩패드 금속배선nan은다층금속배선으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 다층의 금속배선은,상기 층간절연막 상에 형성된 제1 금속배선;상기 제1 금속배선 상에 형성된 배선간 절연막;상기 배선간 절연막 상에 형성된 제2 금속배선; 및상기 배선간 절연막 내에 형성된 비아 콘택을 포함하며, 상기 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선은 상기 비아 콘택을 통하여상호간연결되어있는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 28] 제27항에 있어서,상기 비아 콘택은 상기 배선간 절연막내에 섬형으로 콘택 플러그가 형성된 형태인 콘택 타입, 일체형 콘택 플러그 내에 섬형으로 상기 배선간 절연막이 형성된 형태인 메쉬 타입 또는 상기 배선간 절연막과 콘택 플러그가 순차적으로 교번하여 링 형태로 형성된링타입으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 29] 제27항에 있어서,상기 비아 콘택은 일체형 형태로 트렌치된 상기 배선간 절연막 내에 도전물질이 채워져 있는형태갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 전기 소자는 커패시터이고, 상기 커패시터 더미 패턴은 상기 셀영역에 형성된상기커패시터패턴동일한것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 전기 소자는 커패시터이고, 상기 커패시터 더미 패턴은 셀영역에 형성된 상기 커패시터와 동일한높이갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 33] 제30항에 있어서,상기 커패시터 더미 패턴은, 상기 반도체 기판 상에 형성된 절연층;상기 절연층의 소정 영역을 관통하여 상기 반도체 기판과 접촉하는 실린더 타입의 커패시터 하부전극; 및 상기 커패시터 하부전극 및 상기 절연층 상에 형성된커패시터상부전극포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 34] 제33항에 있어서,상기 절연층은 실리콘 산화막에 대하여 높은 식각 선택비를 갖는물질막으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 35] 제30항에 있어서,상기 본딩패드 콘택은 상기 층간절연막 내에 섬형으로 콘택 플러그가 형성된 형태인 콘택 타입, 일체형 콘택 플러그 내에 섬형으로 상기 층간절연막이 형성된 형태인 메쉬 타입 또는 상기 층간절연막과 콘택 플러그가 순차적으로 교번하여 링 형태로 형성된링타입으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 36] 제30항에 있어서,상기 본딩패드 콘택은 일체형 형태로 트렌치된 상기 층간절연막 내에 도전물질이 채워져 있는형태갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 37] 제30항에 있어서,본딩패드 금속배선nan은다층금속배선으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 38] 제37항에 있어서,상기 다층의 금속배선은,상기 층간절연막 상에 형성된 제1 금속배선;상기 제1 금속배선 상에 형성된 배선간 절연막;상기 배선간 절연막 상에 형성된 제2 금속배선; 및상기 배선간 절연막 내에 형성된 비아 콘택을 포함하며, 상기 제1 금속배선과 상기 제2 금속배선은 상기 비아 콘택을 통하여상호간연결되어있는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 39] 제38항에 있어서,상기 비아 콘택은 상기 배선간 절연막내에 섬형으로 콘택 플러그가 형성된 형태인 콘택 타입, 일체형 콘택 플러그 내에 섬형으로 상기 배선간 절연막이 형성된 형태인 메쉬 타입 또는 상기 배선간 절연막과 콘택 플러그가 순차적으로 교번하여 링 형태로 형성된링타입으로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조. [청구항 40] 제38항에 있어서,상기 비아 콘택은 일체형 형태로 트렌치된 상기 배선간 절연막 내에 도전물질이 채워져 있는형태갖는것을특징으로 하는반도체 소자의 본딩패드 구조.