반도체 공정의 수행 방법 및 반도체 공정 장치 document_id 1020010075019

[청구항 15] 제14항에 있어서,상기 제2 반응기의 개수는 상기 제1 공정 시간 : 제2 공정시간의 비가 상기 제1 반응기 1개 :제2반응기의개수구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 웨이퍼 군을 적재하기 위한다수개의보우트구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 보우트는상기제2반응기의개수이상구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기 이송 모듈은 상기 웨이퍼 군을 적재하는 보우트를 이동하여 상기 웨이퍼 군을 이송하도록구성하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 이송 모듈은, 보우트가 대기하기 위해 구비되는 보우트 대기부;상기 보우트 대기부에 대기하고 있는 보우트 내로 웨이퍼들을 적재시키는 웨이퍼 이송부; 상기 웨이퍼들이 적재되어 있는 보우트를 상기 보우토 대기부로부터 상기 제1 반응기 또는 복수개의 제2 반응기의 인입부에 인접하도록 이송하는 제1 보우트 체인저; 및 상기 이송된 보우트를 상기 제1 반응기 또는 복수개의 제2 반응기 내로 이송하는 보우트 엘리베이터를 포함하는 것을 특징으로 하는다수매웨이퍼에막을형성하기 위한반도체 제조 공정 장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 제1 보우트 체인저는 상기 보오트를 전,후및회전 구동이송하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 21] 제14항에 있어서,상기 로드락 챔버는 내부에 질소 가스를 충진하기 위한 질소 가스 공급부 및 상기 로드락 챔버 내의 가스를 배기하기 위한배기펌프더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 22] 제14항에 있어서,상기 로드락 챔버는 내부에 진공을 유지하기 위한진공펌프더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 23] 제14항에 있어서,상기 제1 반응기는 건식 식각 모듈을 포함하고, 상기 제1 공정은건식식각공정포함하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 식각 모듈은, 다수매의 웨이퍼로 구성되는 웨이퍼 군을 수용하는 용적을 갖는 식각 챔버; 상기 식각 챔버의 일측면과 연결되고, 식각 가스들이 식각 챔버 내로 제공되는 경로가 되는 식각 가스 공급 라인;상기 식각 가스 공급 라인과 연결되고 식각 가스의 라디칼들을 형성하는 리모트 플라즈마부; 상기 리모트 플라즈마부와 연결되고, 상기 리모트 플라즈마부를 경유하여 식각 챔버로 가스를 제공하는 제1 가스 제공부; 상기 식각 챔버와 리모트 플라즈마부 사이의 공급 라인에서 분기되어 연결되고, 상기 식각 챔버로 가스를 제공하는 제2 가스 공급부; 및상기 식각 챔버의 일측면에 구비하고, 상기 식각 챔버 내에 제공되는 가스 중에서 웨이퍼와 미반응한 가스를 배기하는배기부더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 25] 제24항에 있어서,상기 식각 챔버의 내부에는 상기 식각 챔버에 수용되는 웨이퍼들의 온도를 조절하기 위한온도조절부더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 26] 제24항에 있어서,상기 식각 가스 공급 라인을 포함하는 식각 챔버의 내측면 및 상기 식각 챔버 내에 수용된 웨이퍼들의 일측면과 각각 대향하도록 위치하고, 다수개의 홀을 갖는제1분배판더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 27] 제26항에 있어서,상기 제1 분배판에서 상기 식각 가스 공급 라인과 인접하는 부위는 상대적으로 상기 배기부와 인접해 있지 않는 부위에 비해상기홀의사이즈형성되어있는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 28] 제24항에 있어서,상기 배기부를 포함하는 식각 챔버의 일측면 및 상기 식각 챔버 내에 수용된 웨이퍼들의 일측면과 각각 대향하도록 위치하고, 다수개의 홀이 형성된제2분배판더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 29] 제28항에 있어서,상기 제2 분배판에서 상기 배기부와 인접하는 부위는 상대적으로 상기 배기부와 인접해 있지 않는 부위에 비해상기홀의사이즈형성되어있는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 30] 제14항에 있어서,상기 제2 반응기는 웨이퍼들 상에 막을 형성하기 위한 종형로를 포함하고, 상기 제2 공정은화학 기상 증착 공정포함하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 31] 제 30항에 있어서,상기 제2 반응기에서 증착 공정이 완료된 웨이퍼들 및 상기 웨이퍼들을 적재하고 있는 보우트의 온도를 낮추기 위한냉각스테이션더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 증착 공정이 완료된 웨이퍼들이 적재되어 있는 보우트를 상기 보우트 대기부로부터 상기 냉각 스테이션으로 이송하기 위한제2보우트체인저더구비하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치. [청구항 33] 제14항에 있어서,상기 제1 반응기는 상기 복수개의 제2 반응기들의 중간에 위치하도록설치하는것을특징으로 하는반도체 제조 공정 장치.