문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판상에 형성된 도전성 패드와,
상기 도전성 패드의 상부에 형성되고, 상기 도전성 패드중 일부를 덮는 층간절연막과,
상기 층간절연막의 위에 형성된 비트 라인과,
상기 비트 라인의 상부 및 측벽을 덮는 sin막과,
상기 비트 라인의 저면을 덮도록 상기 층간절연막과 비트 라인과의 사이에 개재되어 있는 sin 배리어막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 비트 라인nan은텅스텐 실리사이드막포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 비트 라인은 폴리실리콘막 및 텅스텐 실리사이드막이 차례로 적층된구조가지는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 비트 라인에 의해 자기정렬되고, 상기 도전성 패드에 접해 있는자기정렬콘택플러그더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제4항에 있어서,상기 자기정렬 콘택 플러그는배리드콘택구성하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자에서 비트 라인의 저면과 층간절연막 사이에는 어떠한 막이 개재되어 있는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1의 반도체 소자 구조에서 비트 라인의 저면과 층간절연막 사이에 위치한 막의 종류를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 비트 라인, 층간절연막, 그리고 그 사이에 개재된 막에 관한 기술적 구성을 추출한다.
- 상기 층간절연막의 위에 형성된 비트 라인
- 상기 비트 라인의 저면을 덮도록 상기 층간절연막과 비트 라인과의 사이에 개재되어 있는 sin 배리어막
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3근거 선택
evidence_selection비트 라인의 저면과 층간절연막 사이의 관계를 명시한 구절을 선택한다.
- 상기 비트 라인의 저면을 덮도록 상기 층간절연막과 비트 라인과의 사이에 개재되어 있는 sin 배리어막
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4논리 통합
logical_integration추출된 근거를 바탕으로 비트 라인 저면과 층간절연막 사이에 'sin 배리어막'이 개재되어 있음을 확인한다.
- 상기 층간절연막과 비트 라인과의 사이에 개재되어 있는 sin 배리어막
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 'sin 배리어막'을 도출한다.
- sin 배리어막
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 작성한다.
- sin 배리어막
최종 답변 (final_answer)
sin 배리어막
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 비트 라인과 층간절연막 사이에 sin 배리어막을 개재하여 비트 라인의 저면을 덮는 구조를 갖는 반도체 소자에 관한 것이다.