문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 상층 금속 배선의 구리층 및 상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층nan은직접일체연결됨을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 층간 절연막은 상기 상층 베리어막 위에 fsg(fluoro silicate glass), 블랙 다이아몬드, silk 가운데 하나로 이루어진 막을 더 적층하여형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 상층베리어막은 실리콘 질화막,실리콘탄화막가운데하나형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제 1 항에 있어서,상기 하층베리어막은 실리콘 질화막,실리콘탄화막가운데하나형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,상기 베리어 메탈층은 텅스텐, 질화 텅스텐, 니오비움(nb), 탄탈륨, 질화 탄탈륨, 티타늄, 질화 티타늄, 규화질화 탄탈륨, 규화질화 티타늄,규화질화텅스텐가운데하나형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 상기 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기 하부 금속 배선의 구리층과 상기 상부 금속 배선의 구리층nan은측면및저면메탈로감싸특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 비아 콘택 플러그는 상기 하층 베리어막과 상기 상층 베리어막의 계면에서 폭이불연속적형성된것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 하층 금속 배선 및 상기 상층 금속 배선은 구리, 알미늄, 텅스텐, 금, 은 가운데 하나특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 장치에서 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 어떠한 층들로 구성되며, 각 층은 무엇과 접하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation비아 콘택 플러그의 내부 구리층을 구성하는 층들과 각 층이 접하는 대상을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7에서 비아 콘택 플러그의 내부 구리층 구성 요소인 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층을 추출한다.
- 상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 상기 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층
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3근거 선택
evidence_selection내부 구리층의 구성과 접촉 관계를 명시한 청구항 7의 구절을 핵심 근거로 선택한다.
- 상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 상기 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층
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4논리 통합
logical_integration외측 cvd 시드층은 베리어 메탈층과 접하며, 내측 전기 도금층은 외측 cvd 시드층과 함께 내부 구리층을 구성함을 통합한다.
- 상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 상기 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층
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5결론 도출
conclusion_formulation내부 구리층은 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층으로 구성되며, 외측 cvd 시드층은 베리어 메탈층과 접한다는 결론을 도출한다.
- 상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 상기 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 구성 층과 접촉 대상을 구조화하여 답변을 작성한다.
- 상기 비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 상기 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층과 내측 전기 도금층
최종 답변 (final_answer)
비아 콘택 플러그의 내부 구리층은 다음과 같이 구성된다.
1. 외측 cvd 시드층: 베리어 메탈층과 접함
2. 내측 전기 도금층
핵심 해석 (core_interpretation)
비아 콘택 플러그 내부의 구리층이 베리어 메탈층과 접하는 외측 cvd 시드층 및 내측 전기 도금층의 적층 구조로 이루어져 있음을 명시함.