복수의 대전입자 빔 조정과 차폐된 대전입자 빔리소그래피를 위한 미세가공된 템플릿 document_id 1020017000065

[청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 템플릿을 가열하기 위하여 상기 템플릿에 대한전기전류접속을추가포함하는것을특징으로 하는구조체. [청구항 32] 제 30 항에 있어서,상기 송신부는 상기 템플릿의 막에 한정된개구인것을특징으로 하는구조체. [청구항 33] 제 32 항에 있어서,의 치수를갖는것을특징으로 하는구조체. [청구항 34] 제 32 항에 있어서,1마이크론 또는 그보다 작은두께갖는것을특징으로 하는구조체. [청구항 35] 제 32 항에 있어서,상기 템플릿으로부터 상기 타겟을 향하여연장하는것을특징으로 하는구조체. [청구항 36] 제 32 항에 있어서,캔틸레버를 포함하는 것을특징으로 하는구조체. [청구항 37] 제 32 항에 있어서,상기 막두께와 상기 템플릿과 상기 타겟 사이의 간격의 합은 입사하는대전입자 빔의초점깊이내에있는것을특징으로 하는구조체. [청구항 38] 제 30 항에 있어서,상기 송신부는 직사각형 송신부와 원형 송신부로 구성되는그룹선택되는것을특징으로 하는구조체. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,상기 송신부의 길이는 입사하는 대전입자 빔의 주사 길이보다 약간 긴 것특징으로 하는구조체. [청구항 40] 제 39 항에 있어서,상기 입사하는 대전입자 빔의 주사 길이는 100㎛ 또는 그보다 작은 것특징으로 하는구조체. [청구항 41] 제 38 항에 있어서,상기 송신부의 폭은 입사하는 대전입자 빔의 주사 폭보다 약간 큰 것특징으로 하는구조체. [청구항 42] 제 41 항에 있어서,상기 입사하는 대전입자 빔의 주사 폭은 10㎛ 또는 그보다 작은 것특징으로 하는구조체. [청구항 43] 제 30 항에 있어서,상기 송신부와 결합된 템플릿상에정합표시 세트를추가포함하는것을특징으로 하는구조체. [청구항 44] 제 30 항에 있어서,상기 템플릿nan은결정실리콘포함하는것을특징으로 하는구조체. [청구항 45] 제 30 항에 있어서,상기 템플릿은 타겟과 유사한 열팽창계수를 갖는재료포함하는것을특징으로 하는구조체. [청구항 46] 제 30 항에 있어서,상기 소스는 평행한 복수의 대전입자 빔을 구비하는 소스이고, 상기 템플릿은 대응하는복수의송신부한정하는것을특징으로 하는구조체. [청구항 47] 제 30 항에 있어서,상기 대전입자 빔은 전자빔인것을특징으로 하는구조체. [청구항 48] 제 30 항에 있어서,상기 대전입자 빔은 이온빔인것을특징으로 하는구조체. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,상기 이온 빔은 저에너지이온빔인것을특징으로 하는구조체. [청구항 50] 복수의 전자빔 소스; 상기 전자빔에 대해 불투명하고, 상기 전자빔에 대한 복수의 송신부를 한정하는, 상기 소스와 타겟 사이에 개재된 템플릿; 및 상기 타겟을 유지하는 스테이지를 포함하고, 상기 송신부는 각각 연관된 전자빔이 통과하도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전자빔 시스템 [청구항 51] 제 50 항에 있어서,상기 소스는 마이크로컬럼배열인것을특징으로 하는시스템. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,상기 마이크로컬럼은 저전압 마이크로컬럼인것을특징으로 하는시스템. [청구항 53] 제 52 항에 있어서,상기 전자빔은 각각 대략 2kev미만의에너지레베갖는것을특징으로 하는시스템. [청구항 54] 제 50 항에 있어서,각각의 송신부는 상기 템플릿의 막에 한정된개구인것을특징으로 하는시스템. [청구항 55] 제 54 항에 있어서,각각의 막은상기템플릿연장하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 56] 제 54 항에 있어서,각각의 막은캔틸레버포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 템플릿에 결합된 전압원을 추가로 포함하고, 상기 전압원은 상기 타겟과 접촉하여 상기 캔틸레버를 동작하기 위한전압제공하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 58] 제 54 항에 있어서,상기 막두께와 상기 템플릿과 상기 타겟의 간격의 합은 입사하는전자빔의초점깊이내에있는것을특징으로 하는시스템. [청구항 59] 제 50 항에 있어서,상기 템플릿은 각각의 송신부와 결합된정합표시 세트를추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 60] 제 50 항에 있어서,각각의 전자빔은 적소에 평행하게조정되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 61] 제 60 항에 있어서,각각의 전자빔은 다른 전자빔 및 상기 타겟에 대한 위치 정확성을 위해조정되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 62] 제 60 항에 있어서,각각의 전자빔은 드리프트 보정을 위해조정되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 63] 제 60 항에 있어서,각각의 전자빔은 왜곡 보정을 위해조정되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 64] 제 60 항에 있어서,각각의 전자빔은 배율 보정을 위해조정되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 65] 제 60 항에 있어서,각각의 전자빔은 각각의 송신부와 결합된템플릿상의정합표시세트집중하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 66] 제 50 항에 있어서,상기 템플릿은 상기 타겟으로부터소정거리배치되는것을특징으로 하는시스템. [청구항 67] 제 50 항에 있어서,상기 템플릿과 상기 타겟 표면 사이의 거리를 검지하기 위한, 상기 타겟에 근접하여 배치된센서를추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 68] 제 50 항에 있어서,상기 템플릿과 상기 타겟 표면 사이에서 소정 거리를 설정하기 위한높이기준 포스트를추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 69] 제 50 항에 있어서,상기 템플릿은 상기 타겟의표면접촉하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 70] 제 69 항에 있어서,과 접촉하지 않고 상기 템플릿을 이동하기 위해 상기 템플릿과 접촉하는액츄에이터를추가포함하는것을특징으로 하는시스템. [청구항 71] 제 50 항에 있어서,상기 템플릿을 가열하기 위해 결합된전기전류원을추가포함하는것을특징으로 하는시스템.