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반도체 처리를 위한 가스 분산장치 document_id 1020017006437

출원번호
1020017006437
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 반도체 기판의 처리 동안에 파티클 및/또는 금속 오염을 줄이는 실리콘 함유 배플판에 있어서, 상기 배플판은 샤워헤드 가스 분산 시스템의 배플 챔버내에 고정되어지며, 상기 배플판은 그 적어도 하나의 표면상에 실리콘을 포함하며, 상기 실리콘 함유 포면이 상기 샤워헤드에 인접하여 대면하도록 상기 배플 챔버내에 고정되는 것을 특징으로 하는 배플판 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 카바이드 배플판은 기본적으로 적어도 99.999 %의 순도를 갖는실리콘또는실리콘 카바이드구성된것을특징으로 하는배플판. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 배플판은 전적으로 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 비소결된 실리콘 카바이드, 소결된 실리콘 카바이드, 벌크 cvd 실리콘 카바이드, 실리콘 카바이드의 cvd 코팅을 갖는 소결된 실리콘 카바이드, 실리콘 카바이드로 코팅된 그래파이트, 반응합성된실리콘 카바이드또는이들의결합물포함하는것을특징으로 하는배플판. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 배플판은 공정가스의 통과를 위한 개구부들을 포함하며, 상기 개구부들은 상기 실리콘 함유 배플판이 상기 배플 챔버내에 장착될때상기샤워헤드내의개구부들셋되는것을특징으로 하는배플판. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 배플판은 3개의 알루미늄 배플판을 갖는 배플 챔버내에서 하부 알루미늄 배플판에 대한 드롭인(drop-in)대체품인것을특징으로 하는배플판. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 실리콘 함유 배플판은 전적으로 비소결된실리콘 카바이드물질구성된것을특징으로 하는배플판. [청구항 7] 제 6 항에 있어서,상기 비소결된 실리콘 카바이드 물질은 기본적으로 탄소 물질과 실리콘 증기와의 반응 합성에 의해 형성된실리콘 카바이드구성된것을특징으로 하는배플판. [청구항 8] 가스 분산 시스템의 일부로써 청구항 1의 실리콘 함유 배플을 포함하는 플라즈마 처리 챔버에 있어서, 상기 가스 분산 시스템은 탄성중합체 결합된 실리콘으로된 샤워헤드 전극 및 배플 챔버를 포함하며, 상기 실리콘 함유 배플판은 상기 실리콘 함유 표면이 상기 샤워헤드 전극에 대면하도록 상기 배플 챔버내에 장착되며, 상기 실리콘 함유 배플 판은 상기 챔버내에서 반도체 기판을 처리하는 동안에 상기 실리콘 함유 배플판의 위치에 알루미늄 배플판을 사용하는 것 이외에 동일한 공정조건하에서 발생된 금속 오염에 비하여 한 차수 크기 만큼의 금속 오염을 효과적으로 감소시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 챔버 [청구항 9] 제 8 항에 있어서,쿼츠링의 스택 어레이로 구성된 플라즈마 제한링과 실리콘 에지링을 갖는 정전척상에 지지된반도체 웨이퍼더포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 챔버.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
실리콘 함유 배플판이 알루미늄 배플판을 대체하여 동일한 공정 조건에서 사용될 때, 금속 오염 측면에서 어떠한 효과를 제공하는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    실리콘 함유 배플판이 알루미늄 배플판을 대체할 때 금속 오염 측면에서 제공하는 효과를 추출한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 8에서 알루미늄 배플판 사용 시와 비교하여 실리콘 함유 배플판의 금속 오염 감소 효과를 언급한다.

    • 상기 실리콘 함유 배플 판은 상기 챔버내에서 반도체 기판을 처리하는 동안에 상기 실리콘 함유 배플판의 위치에 알루미늄 배플판을 사용하는 것 이외에 동일한 공정조건하에서 발생된 금속 오염에 비하여 한 차수 크기 만큼의 금속 오염을 효과적으로 감소시키는 것
  3. 3근거 선택evidence_selection

    금속 오염 감소 정도를 나타내는 '한 차수 크기 만큼의 금속 오염을 효과적으로 감소' 구절을 선택한다.

    • 한 차수 크기 만큼의 금속 오염을 효과적으로 감소시키는 것
  4. 4논리 통합logical_integration

    동일한 공정 조건에서 알루미늄 배플판 대신 실리콘 함유 배플판을 사용하면 금속 오염이 한 차수 크기만큼 감소한다는 논리를 도출한다.

  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 직접적인 답변으로 금속 오염이 한 차수 크기만큼 감소한다는 결론을 내린다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 문구를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
한 차수 크기 만큼의 금속 오염을 효과적으로 감소시킨다.
핵심 해석 (core_interpretation)
실리콘 함유 배플판을 기존의 알루미늄 배플판 대신 사용함으로써 반도체 기판 처리 공정 중 발생하는 금속 오염을 한 차수(order of magnitude) 수준으로 크게 줄일 수 있다.