가스방전패널 및 가스방전 디바이스와 그 제조방법 document_id 1020017009196

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 2개의 버스라인에 있어서 상기 매트릭스의 행방향을 따라 배설된 내측 돌출부 및 외측 돌출부의 적어도 한쪽 돌출부 피치를 pe, 상기 매트릭스의 행방향을 따른 셀피치를 ps로 할 때 관계식 pe = a ×ps/n(단 a는 1보다 작은 양의 수, n은자연수성립하는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 버스라인은 금속재료로 이루어지고, 상기 내측 돌출부와 외측 돌출부는투명전극재료로이루어지는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 4] 제 3항에 있어서,상기 버스라인nan은재료로이루어지는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 5] 제 1항에 있어서,외측 돌출부는 상기 매트릭스의 열방향을 길이방향으로 하는 형상이고, 내측 돌출부보다 면적이 넓은 것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 6] 제 5항에 있어서,외측 돌출부는 버스라인으로부터 멀어질수록 외측 돌출부의 상기 매트릭스의 행방향에 따른 폭이 넓은형상갖는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 7] 제 1항에 있어서,내측 돌출부의 상기 매트릭스의 행방향에 따른 폭이 내측 돌출부의 근원부분보다 선단부분쪽에서 좁은형상갖는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 8] 제 1항에 있어서,방전가스압을 p, 방전간극을 d로 할 때, 상기 한쌍의 표시전극 사이에서 최단의 방전간극은 pd곱과 방전개시전압의 관계를 나타내는 파센곡선에서 방전개시전압의 극소 또는 그 부근이 되는 간극에 상당하는 것인 것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 9] 제 1항에 있어서,표시전극을 배설한 플레이트면이 보호층으로 피복되어 있고, 당해 보호층은 상기 한쌍의 표시전극 사이의 최단의 방전간극에 대응하는 영역이 산화마그네슘으로 이루어지고, 그 이외의 영역이 산화마그네슘보다 전자방출율이 낮은재질구성되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 10] 제 9항에 있어서,상기 산화마그네슘보다 전자방출율이 낮은재질알루미나인것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 11] 제 1항에 있어서,상기 2개의 버스라인에는 각각 내측 돌출부가 설치되고, 또한 한쪽의 버스라인에 배설된 내측 돌출부의 선단이 다른쪽 버스라인에 배설된 내측 돌출부의 선단에 대하여 서로 상기 매트릭스의 행방향을 따라 어긋나도록 설정되고, 외측 돌출부는 한쌍의 표시전극 사이에서 발생한 방전이 내측 돌출부로부터 외측 돌출부로 향하여 확대하도록배설되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 12] 제 11항에 있어서,상기 외측 돌출부는 버스라인을 통해내측 돌출부와일체구성되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 13] 제 11항에 있어서,상기 2개의 버스라인에 있어서 상기 매트릭스의 행방향을 따라 배설된 내측 돌출부 및 외측 돌출부의 적어도 한쪽의 돌출부 피치를 pe, 상기 매트릭스의 행방향에 따른 셀 피치를 ps로 할 때, 관계식 pe = a ×ps/n(단 a는 1보다 작은 양의 수, n은자연수성립하는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 14] 제 11항에 있어서,상기 내측 돌출부는 상기 매트릭스의 행방향에 따른 선단변부를 갖고, 또 상기 2개의 버스라인에 있어서 가장 가까운 위치에 서로 마주 향하여 형성된 2개의 내측 돌출부의 선단변부가 10㎛ 이하의 대향변부길이로 부분적으로 대향하면서 어긋나있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 15] 제 11항에 있어서,상기 내측 돌출부는 상기 매트릭스의 열방향에 따른 선단꼭대기부를 갖고, 또 상기 2개의 버스라인에 있어서 가장 가까운 위치에 서로 마주 향하여 형성된 2개의 내측 돌출부의 선단꼭대기부가 10㎛ 이상 어긋나있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 16] 제 11항에 있어서,쌍의 플레이트 사이에 상기 매트릭스의 열방향에 따라 복수의 격벽이 형성되고, 상기 내측 돌출부의 적어도 일부가격벽배설되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 17] 제 11항에 있어서,외측 돌출부는 상기 매트릭스의 열방향을 길이방향으로 하는 형상이고, 내측 돌출부보다 면적이 넓은 것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 18] 제 11항에 있어서,외측 돌출부는 버스라인으로부터 멀어질수록 외측 돌출부의 상기 매트릭스의 행방향에 따른 폭이 넓은형상갖는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 19] 제 11항에 있어서,상기 2개의 버스라인의 각각에 배설되는 내측 돌출부의 형상이 서로 다른 것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 20] 제 11항에 있어서,방전가스압을 p, 방전간극을 d로 할 때, 상기 한쌍의 표시전극 사이에서 최단의 방전간극은 pd곱과 방전개시전압의 관계를 나타내는 파센곡선에서 방전개시전압의 극소 또는 그 부근이 되는간극상당하는것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 21] 제 11항에 있어서,표시전극을 배설한 플레이트면이 보호층으로 피복되어 있고, 당해 보호층은 상기 한쌍의 표시전극 사이의 최단의 방전간극에 대응하는 영역이 산화마그네슘으로 구성되고, 그 이외의 영역이 산화마그네슘보다 전자방출율이 낮은재질구성되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 22] 제 21항에 있어서,상기 산화마그네슘보다 전자방출율이 낮은재질알루미나인것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 24] 제 23항에 있어서,상기 2개의 버스라인에 있어서 상기 매트릭스의 행방향에 따라 배설된 내측 돌출부 및 외측 돌출부의 적어도 한쪽 돌출부 피치를 pe, 상기 매트릭스의 행방향에 따른 셀피치를 ps로 할 때, 관계식 pe = a ×ps/n(단 a는 1보다 작은 양의 수, n은자연수성립하는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 25] 제 23항에 있어서,상기 내측 돌출부는 상기 매트릭스의 행방향에 따른 선단변부를 갖고, 또 상기 2개의 본체부에서 가장 가까운 위치에서 서로 마주 향하여 형성된 2개의 내측 돌출부의 선단변부가 10㎛ 이하의 대향변부길이로 부분적으로 대향하면서 어긋나있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 26] 제 23항에 있어서,상기 내측 돌출부는 상기 매트릭스의 열방향에 따른 선단꼭대기부를 갖고, 또한 상기 2개의 본체부에서 가장 가까운 위치에서 서로 마주 향하여 형성된 2개의 내측 돌출부의 선단꼭대기부가 l0㎛ 이상 어긋나있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 27] 제 23항에 있어서,쌍의 플레이트 사이에 상기 매트릭스의 열방향에 따라 복수의 격벽이 형성되고, 상기 내측 돌출부의 적어도 일부가격벽배설되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 28] 제 23항에 있어서,상기 2개의 본체부의 각각에 배설되는 내측 돌출부의 형상이 서로 다른 것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 29] 제 23항에 있어서,방전가스압을 p, 방전간극을 d로 할 때, 상기 한쌍의 표시전극 사이에서 최단의 방전간극은 pd곱과 방전개시전압의 관계를 나타내는 파센곡선에서 방전개시전압의 극소 또는 그 부근이 되는간극상당하는것특징으로 하는가스방전패널. [청구항 31] 제 30항에 있어서,상기 2개의 본체부에서 본체부의 사행의 파장이 서로 반파장만큼 어긋나있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 32] 제 30항에 있어서,쌍의 표시전극은 상기 매트릭스의 행방향으로 연장된 금속재료로 이루어지는 버스라인부가 본체부와 전기적으로 접촉하도록배설되어있는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 33] 제 32항에 있어서,체부가투명전극재료로된것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 34] 제 30항에 있어서,체부가금속재료로이루어지는것을특징으로 하는가스방전패널. [청구항 41] 제 40항에 있어서,상기 전극은 사행하면서 동일방향으로 연장된2개의전극본체갖는것을특징으로 하는가스방전 디바이스. [청구항 42] 제 40항에 있어서,상기 2개의 전극 본체에 있어서 한쪽의 전극 본체에 배설된 내측 돌출부의 선단이 다른쪽 전극 본체에 배설된 내측 돌출부의 선단에 대하여 서로 어긋나있는것을특징으로 하는가스방전 디바이스. [청구항 43] 제 42항에 있어서,상기 전극은 사행하면서 동일방향으로 연장된 2개의 전극 본체를 갖고, 또한 당해2개의전극본체의사행의파장배설되어있는것을특징으로 하는가스방전 디바이스.