문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,연마된 상기 반도체기판을 세정하는세정유닛구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 3]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판을 어닐링하기 위한어닐링유닛구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 4]
제 1항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛은 전해도금유닛인것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 5]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판 위에 형성된 막의 막두께 및/또는 막의 표면상태를 측정 및/또는 검출하는 막두께 측정기 및/또는검출센서구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 6]
제 5항에 있어서,상기 막두께 측정기및/또는 검출센서는 배리어층 성막 전 또는 후, 시드층은 성막 전 또는 후, 금속도금막 성막 전 또는 후, 어닐링처리 전 또는 후, 연마처리 전 또는 후, 덮개 도금막 성막 전 또는 후의 적어도 한 시점에서측정검출하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 7]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판 위에 시드층을 형성하기 위한시드층성막유닛구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 8]
제 7항에 있어서,상기 시드층 성막유닛은 무전해 도금유닛인것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 9]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판 위에 보강시드층을 형성하기 위한보강시드층성막유닛구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 10]
제 9항에 있어서,상기 보강시드층 성막유닛은 무전해 도금유닛인것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 11]
제 9항에 있어서,상기 보강시드층 성막유닛은 전해도금유닛인것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 12]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판 위에 배리어층을 형성하기 위한배리어층성막유닛구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 13]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판 위에 덮개 도금층을 형성하기 위한덮개도금유닛구비하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 14]
제 1항에 있어서,상기 연마유닛은 적어도 제 1 연마유닛과 제 2 연마유닛으로 이루어지고, 상기 제 1 연마유닛과 상기 제 2 연마유닛의 연마대상의 재질이 다른 것특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 15]
제 1항에 있어서,상기 연마유닛은 적어도 제 1 연마유닛과 제 2 연마유닛으로 이루어지고,상기제1연마유닛과상기제2연마유닛의연마대상의재질동일한것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 16]
제 1항에 있어서,상기 연마유닛은 적어도 제 1 연마유닛과 제 2 연마유닛으로 이루어지고, 상기 반도체기판은 제 1 연마유닛에 의해 연마된 후, 제 2 연마유닛에 의해연마되는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 17]
제 1항에 있어서,상기 반도체기판처리장치는 2 이상의 연마유닛을 가지고, 상기 반도체기판은 그 연마유닛의 어느 하나의 연마유닛에 의해연마되는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 18]
제 1항에 있어서,상기 연마유닛nan은적어도2이상의연마공정가지는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 20]
제 19항에 있어서,연마된 상기 반도체기판을 세정하는 세정유닛을 구비함과 동시에 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과,상기세정유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 21]
제 19항에 있어서,상기 반도체기판을 어닐링하기 위한 어닐링유닛을 구비함과 동시에 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과,상기어닐링유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 22]
제 19항에 있어서,상기 반도체기판 위에 형성된 막의 막두께 및/또는 막의 표면상태를 측정 및/또는 검출하기 위한 막두께 측정유닛을 구비함과 동시에, 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과,상기막두께측정유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 23]
제 19항에 있어서,상기 반도체기판 위에 보강시드층을 형성하기 위한 보강시드층 성막유닛을 구비함과 동시에, 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과,상기보강시드층성막유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 24]
제 19항에 있어서,상기 반도체기판 위에 시드층을 형성하기 위한 시드층 성막유닛을 구비함과 동시에, 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과,상기시드층성막유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 25]
제 19항에 있어서,상기 반도체기판 위에 배리어층을 형성하기 위한 배리어층 성막유닛을 구비함과 동시에, 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과, 상기 시드층 성막유닛과, 상기 배리어층성막유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 26]
제 19항에 있어서,상기 반도체기판 위에 덮개 도금층을 형성하기 위한 덮개 도금유닛을 구비함과 동시에, 상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과,상기덮개도금유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 28]
제 27항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과, 상기 어닐링유닛은교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 29]
제 27항에 있어서,상기 반도체기판 위에 형성된 막의 막두께 및/또는 막의 표면상태를 측정 및/또는 검출하기 위한 막두께 측정유닛을 구비함과 동시에,상기 금속도금막 성막유닛과, 상기 베벨 에칭유닛과, 상기 어닐링유닛과,상기막두께측정유닛의교체자유로운것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 30]
제 29항에 있어서,상기 막두께 측정유닛nan은상기반도체기판의얼라이먼트기능가지는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 31]
제 27항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛 내에서 상기 반도체기판을 기판유지부로 유지하면서도금처리와세정처리행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 32]
제 27항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛은 상기 반도체기판을 유지하는 기판유지부와, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 상기 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 피도금면과 애노드 사이에 형성된 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재를 배치하여도금행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 33]
제 27항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛 내에서 상기 반도체기판을 기판유지부로 유지하면서 도금처리, 세정·건조처리를 각 동작위치에 대응시켜 반도체기판을 승강시킴행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 34]
제 27항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛은 그 반도체기판의 피도금면을 위쪽을 향하게 유지함과 동시에, 그 반도체기판의 상기 피도금면의 둘레 가장자리부를 시일에 의해 수밀적으로 시일하고, 상기 피도금면의 위쪽에 애노드를 근접시켜 배치하고, 상기 반도체기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 반도체기판의 피도금면과 시일에 의해 형성된 공간에 도금액을 유지하면서도금행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 35]
제 27항에 있어서,상기 금속도금막 성막유닛은 상기 반도체기판을 그 반도체기판의 피도금면을 위쪽을 향하게 하여 유지하는 기판유지부와, 상기 반도체기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 그 반도체기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극과, 순수공급용 노즐을 구비하고, 도금처리종료 후에 그 노즐로부터 순수를 공급함으로써상기반도체기판과상기캐소드전극을동시세정하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 40]
제 39항에 있어서,상기 피도금면과 애노드 사이에 형성된 공간에 보수성 재료로 이루어지는 도금액 함침재를 배치하여도금행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 43]
제 42항에 있어서,상기 피도금면과 애노드 사이에 형성된 공간에 보수성 재료로 이루어지는 도금액 함침재를 배치하여도금행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치.
[청구항 52]
제 51항에 있어서,상기 기판의 근방에가열수단설치한것을특징으로 하는무전해 도금장치.
[청구항 54]
제 53항에 있어서,상기 기판의 근방에가열수단설치한것을특징으로 하는무전해 도금장치.
[청구항 56]
제 55항에 있어서,상기 센서는막두께측정용센서인것을특징으로 하는기판처리장치.
[청구항 58]
제 57항에 있어서,상기 센서가이동가능한것을특징으로 하는기판처리장치.
[청구항 59]
제 57항에 있어서,상기 센서는막두께측정용센서인것을특징으로 하는기판처리장치.
[청구항 61]
제 60항에 있어서,상기 센서는막두께측정용센서인것을특징으로 하는기판처리장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체기판처리장치에서 금속도금막 성막유닛이 도금처리를 수행할 때, 피도금면과 애노드 사이에 배치되어 도금을 돕는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation반도체기판처리장치의 금속도금막 성막유닛 내에서 피도금면과 애노드 사이에 배치되어 도금을 돕는 구성 요소를 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 32를 통해 금속도금막 성막유닛의 구성 요소와 배치 관계를 확인한다.
- 상기 금속도금막 성막유닛은 상기 반도체기판을 유지하는 기판유지부와, 그 기판의 피도금면의 위쪽에 배치된 애노드와, 상기 기판과 접촉하여 통전시키는 캐소드전극을 구비하고, 상기 피도금면과 애노드 사이에 형성된 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재를 배치하여도금행하는것을특징으로 하는반도체기판처리장치
-
3근거 선택
evidence_selection피도금면과 애노드 사이의 공간에 배치되는 구성 요소인 '도금액 함침재'를 근거로 선택한다.
- 상기 피도금면과 애노드 사이에 형성된 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재를 배치
-
4논리 통합
logical_integration청구항 32에 따르면, 피도금면과 애노드 사이의 공간에는 보수성 재료로 이루어진 도금액 함침재가 배치되어 도금이 수행됨을 알 수 있다.
- 상기 피도금면과 애노드 사이에 형성된 공간에 보수성재료로 이루어지는 도금액 함침재를 배치
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 구성 요소는 도금액 함침재이다.
- 도금액 함침재
-
6답변 생성
answer_generation추출된 답변인 '도금액 함침재'를 최종 답변으로 생성한다.
- 도금액 함침재
최종 답변 (final_answer)
도금액 함침재
핵심 해석 (core_interpretation)
금속도금막 성막유닛에서 피도금면과 애노드 사이의 공간에 보수성 재료인 도금액 함침재를 배치하여 효율적인 도금 공정을 수행하는 기술에 관한 것이다.