베어 실리콘 칩을 기판상에 실장한 회로 기판의 열 방산 document_id 1020017013327

[청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 겔 조성물의 적어도 한 개의 패드가 겔 조성물의 한 개의 단일 연속패드인,결합체. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 겔 조성물의 적어도 한 개의 패드는 겔 조성물의 복수의 패드들을 포함하고, 상기 각 패드는 상기 히트 스프레더가 상기 기판에 부착될 때 오직 한 개의 각각의 대립된 베어 실리콘 칩과 접촉되도록 배치되고 상기 각각의 대립된 베어 실리콘 칩의 윤곽과 실질적으로 대응하는 윤곽갖는,결합체. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 히트 스프레더의 평면 부분은 5 mm 미만의 두께갖는,결합체. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 겔 조성물이 20 w/m-℃보다 큰 체적 열전도율을 갖는 미립자 소재로 충전된 가교결합 실리콘 겔포함하는,결합체. [청구항 16] 제 15 항에 있어서,상기 겔 조성물은,(a) 25℃에서 50,000 cp 미만의 점도를 갖는 실리콘 조성물로서, (i) 25℃에서 50에서 100,000 cp사이의 점도를 갖고 각 분자 중 적어도 2개의 규소 결합 알케닐기들을 갖는 알케닐 관능화 디오르가노폴리실록산; 및(ii) 25℃에서 1에서 1,000,000 cp사이의 점도를 갖고 분자마다 평균적으로 적어도 2개의 규소 결합 수소원자들을 함유하고 상기 알케닐 관능화 디오르가노폴리실록산(i) 중의 규소 결합 알케닐의 몰 당 0.2 에서 5.0 몰의 규소 결합 수소를 제공하는 양의 수소 관능화 오르가노폴리실록산을 포함하는, 상기 실리콘 조성물;(b) 상기 실리콘 조성물(a)의 경화를 초래하기에 충분한 양의 히드로실레이션 촉매; 및(c) 20 w/m-℃ 보다 큰 체적 열전도율을 갖는 적어도 35 부피%의 미립자 소재를 포함하는전구체조성물경화에의해제조되는,결합체. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 실리콘 조성물(a)은 알케닐 관능화 디오르가노폴리실록산(i) 및 수소 관능화 오르가노폴리실록산(ii) 100 중량부 당 80 중량부까지의 양으로 평균 분자식rasiob의 오르가노실록산 수지를 더 포함하고, r은 알케닐이외의 1가 탄화수소기이고, a는 2.0에서 2.2사이의 숫자이고, b는 0.9에서 1.0사이의숫자인,결합체. [청구항 18] 제 15 항에 있어서,상기 미립자 소재는 알루미나, 탄화 규소, 산화 아연, 질화 알루미늄, 이붕화 티타늄, 알루미늄, 구리, 은, 다이아몬드, 니켈, 규소, 흑연, 산화 제2철, 산화 베릴륨, 이산화 티타늄, 산화 마그네슘 및 질화 붕소로 이루어지는 군선택되는,결합체. [청구항 19] 제 15 항에 있어서,상기 미립자 소재가 α-알루미나를 포함하고, 상기 α-알루미나의 적어도 10 중량 %가 적어도 74 ㎛의 입자 크기갖는,결합체. [청구항 20] 제 11 항에 있어서,상기 겔 조성물이 0.69 mpa 미만의 압축률갖는,결합체. [청구항 21] 제 11 항에 있어서,상기 겔 조성물의 적어도 한 개의 패드는 복수의 겔의 패드들을 포함하고, 각 패드는 적어도 한개의베어실리콘 칩접촉하도록배치되는,결합체. [청구항 22] 제 11 항에 있어서,상기 겔 조성물의 적어도 한 개의 패드는 복수의 줄무늬들, 비드들, 점들 또는 직사각형 형태들포함하는,결합체.