전자 디바이스에서의 유기 유전체 피막 집적화에 실록산유전체 피막 사용방법 document_id 1020017015919

[청구항 2] 제 1항에 있어서,상기 제 1유전체 조성물 피막은 폴리(아릴렌 에테르), 플루오르화 폴리(아릴렌 에테르), 플루오로카본, 벤조시클로부텐, 폴리이미드 및 플루오르화 폴리이미드로 구성되는 그룹에서 선택된 물질을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유전체코팅된기판 [청구항 3] 제 1항에 있어서,상기 기판은 갈륨아스나이드, 게르마늄, 실리콘, 실리콘 게르마늄, 리튬 니오베이트, 실리콘 함유 조성물 및 그 조합으로 구성되는 그룹에서 선택된 것을 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 유전체코팅된기판 [청구항 5] 제 4항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막은 폴리(아릴렌 에테르), 플루오르화 폴리(아릴렌 에테르), 플루오로카본, 벤조시클로부텐, 폴리이미드 및 플루오르화 폴리이미드로 구성되는 그룹에서 선택된물질포함하여특징으로 하는마이크로 전자 디바이스 [청구항 6] 제 4항에 있어서,상기 기판은 갈륨아스나이드, 게르마늄, 실리콘, 실리콘 게르마늄, 리튬 니오베이트, 실리콘 함유 조성물 및 그 조합으로 구성되는 그룹에서 선택된 것을포함하여특징으로 하는마이크로 전자 디바이스 [청구항 8] 제 7항에 있어서,상기 제 1 유전체 피막은 폴리(아릴렌 에테르), 플루오르화 폴리(아릴렌 에테르), 플루오로카본, 벤조시클로부텐, 폴리이미드 및 플루오르화 폴리이미드로 구성되는 그룹에서 선택된물질포함하여특징으로 하는방법 [청구항 9] 제 7항에 있어서,상기 기판은 갈륨 아스나이드, 게르마늄, 리튬 니오베이트, 실리콘, 실리콘 함유 조성물, 금속, 세라믹, 중합체 수지, 그룹ⅲ/ⅴ 화합물 및 그 혼합물로 구성되는그룹선택된것특징으로 하는방법 [청구항 10] 제 7항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막이 기판에 적용되고 경화되며, 그후 그 경화된 제 1 유전체 조성물 피막에 제 2 유전체 조성물 피막이 적용된다음경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 11] 제 7항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막이 기판에 적용되고 그후 그 제 1 유전체 조성물 피막에 상기 제 2 유전체 조성물 피막이 적용된다음이들양자피막경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 12] 제 7항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유전체 피막은 그 유전체 피막이 경화되기에 충분한 시간동안 충분한 온도에서 가열에 의해경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 13] 제 12항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유전체 피막은 200℃~600℃온도경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 14] (a) 기판상에 비-실리콘 함유 또는 본질적으로 비-실리콘 함유 유기 중합체를 포함하는 제 1 유전체층을 형성하는 단계 (b) 상기 제 1 유전체 층상에 하기 ⅰ 및 ⅱ로 구성되는 그룹에서 선택된 구조를 갖는 중합체를 포함하는 제 2 유전체층을 형성하는 단계 <식 ⅰ> (단, 상기 식에서 n과 m의 합, 또는 x,y 및 z의 합은 약 8~5000이며, m과 y는 탄소함유 치환체의 량이 40몰% 미만으로 존재하도록 선택되며, r은 치환된 그리고 치환되지 않은 직쇄 및 분지 알킬기, 시클로알킬기, 치환된 그리고 치환되지 않은 아릴기 및 그 혼합물로부터 선택된다.) <식 ⅱ> (단, n과 m의 합은 약 8~5000 이며, m은 탄소함유 치환체의 량이 40몰% 이상으로 존재하도록 선택된다.) (단 x, y 및 z의 합은 8~5000이며, y는 탄소함유 치환체의 량이 40몰% 이상으로 존재하도록 선택되며, 상기 r은 치환된 그리고 치화되지 않은 직쇄 및 분지 알킬기, 시클로 알킬기, 치환된 그리고 치환되지 않은 아릴기 및 그 혼합물로 부터 선택된다.) (c) 상기 유전체층을 화상패터닝하여 유전체층내에 기판까지 신장하는 비아들(vias)을 형성하는 단계 (d) 상기 비아들내에 그리고 상기 제 2경화된 유전체 층의 상표면에 금속을 부착시키는 단계; 및 (e) 상기 제 2경화된 유전체층의 상표면으로 부터 금속을 제거하는 단계 를 포함하는 마이크로 전자 디바이스 제조방법 [청구항 15] 제 14항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물은 폴리(아릴렌 에테르), 플루오르화 폴리(아릴렌 에테르), 플루오로카본, 벤조시클로부텐, 폴리이미드 및 를루오르화 폴리이미드로 구성되는 그룹에서 선택된 것을포함함을특징으로 하는방법 [청구항 16] 제 14항에 있어서,상기 유전체층의 상표면으로 부터 금속을 제거하는 단계는 제 2 유전체 층에 도달할때 까지 상표면에의 금속을 화학기계적 연마하던지혹은에칭백수행됨을특징으로 하는방법 [청구항 17] 제 14항에 있어서,상기 기판은 갈륨 아스나이드, 게르마늄, 리튬 니오베이트, 실리콘, 실리콘 함유 조성물, 금속, 세라믹, 중합체 수지, 그룹 ⅲ/ⅴ 화합물 및 그 조합으로 구성되는 그룹에서 선택된 물질을 포함하여구성됨을특징으로하는방법 [청구항 18] 제 14항에 있어서,상기 금속은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리합금, 탄탈, 텅스텐 및 티탄으로 구성되는그룹선택됨을특징으로 하는방법 [청구항 19] 제 14항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막이 기판에 적용되고 경화된 다음, 그 경화된 제 1 유전체 조성물 피막에상기제2유전체조성물피막적용됨을특징으로 하는방법 [청구항 20] 제 14항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막이 상기 기판에 적용된 후 그 제 1 유전체 조성물 피막에 상기 제 2 유전체 조성물 피막이 적용되고, 그후이들2가지피막경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 21] 제 14항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유전체 피막은 그 유전체 피막이 경화되기에 충분한 시간동안 충분한 온도에서 가열하여경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 22] (a) 기판상에 비-실리콘 함유 또는 본질적으로 비-실리콘 함유 유기 중합체를 포함하여 구성되는 제 1 유전체층을 적용하는 단계 (b) 상기 제 1 유전체층에 하기 ⅰ 및 ⅱ로 구성되는 그룹에서 선택된 구조를 갖는 중합체를 포함하여 구성되는 제 2 유전체 층을 적용하는 단계 <식 ⅰ> (단, 상기 식에서 n과 m의 합, 또는 x,y 및 z의 합은 약 8~5000이며, m과 y는 탄소함유 치환체의 량이 40몰% 미만으로 존재하도록 선택되며, r은 치환된 그리고 치환되지 않은 직쇄 및 분지 알킬기, 시클로알킬기, 치환된 그리고 치환되지 않은 아릴기 및 그 혼합물로부터 선택된다.) <식 ⅱ> (단, n과 m의 합은 약 8~5000 이며, m은 탄소함유 치환체의 량이 40몰% 이상으로 존재하도록 선택된다.) (단 x, y 및 z의 합은 8~5000이며, y는 탄소함유 치환체의 량이 40몰% 이상으로 존재하도록 선택되며, 상기 r은 치환된 그리고 치화되지 않은 직쇄 및 분지 알킬기, 시클로 알킬기, 치환된 그리고 치환되지 않은 아릴기 및 그 혼합물로 부터 선택된다.) (c) 상기 제 2 유전체층을 화상패터닝하여 그 유전체층내에 상기 제 1 유전체층까지 신장하는 트렌치를 형성하는 단계 (d) 상기 제 1유전체층을 화상패터닝하여 제 1 유전체층내에 기판까지 신장하는 비아들(vias)을 형성하는 단계 (e) 상기 비아들, 트렌치 내부로 그리고 상기 제 2유전체층의 상표면에 금속을 부착하는 단계; 및 (f) 상기 제 2 유전체층의 상표면으로부터 금속을 제거하는 단계 를 포함하는 마이크로 전자 디바이스 제조방법 [청구항 23] 제 22항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막은 폴리(아릴렌 에테르), 플루오르화 폴리(아릴렌 에테르), 플루오로카본, 벤조시클로부텐, 폴리이미드 및 플르오르화 폴리이미드로 구성되는 그룹에서 선택된 물질을 포함하여구성됨을특징으로 하는방법 [청구항 24] 제 22항에 있어서,상기 제 2 유전체층의 상표면으로 부터 금속을 제거하는 과정은 상기 제 2유전체 층에 도달할 때까지상기상표면상의금속을화학기계적연마혹은에칭백수행됨을특징으로 하는방법 [청구항 25] 제 22항에 있어서,상기 기판은 갈륨 아스나이드, 게르마늄, 리튬 니오베이트, 실리콘, 실리콘 함유 조성물, 금속, 세라믹, 중합체 수지, 그룹ⅲ/ⅴ화합물 및 그 혼합물로 구성된 그룹에서 선택된 물질을 포함하여구성됨을특징으로 하는방법 [청구항 26] 제 22항에 있어서,상기 금속은 알루미늄, 알루미늄 합금, 구리, 구리합금, 탄탈, 텅스템 및 티탄으로 구성되는그룹선택된것특징으로 하는방법 [청구항 27] 제 22항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막이 기판에 적용되고 경화되며, 그후 그 경화된 제 1 유전체 조성물 피막에 상기 제 2 유전체 조성물 피막이 적용되고경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 28] 제 22항에 있어서,상기 제 1 유전체 조성물 피막이 기판에 적용되고 그후 제 1 유전체 조성물 피막에 제 2 유전체 조성물 피막이 적용되고나서이들양자피막경화됨을특징으로 하는방법 [청구항 29] 제 22항에 있어서,상기제 1 및 제 2 유전체 피막은 그 유전체 피막을 경화시키기에 충분한 시간 동안 그리고 충분한 온도에서열경화됨을특징으로 하는방법