미립자 배열체 및 그 제조방법, 및 이를 이용한 디바이스 document_id 1020020004239

[청구항 1] 기판상에 미립자를 배열시킨 구조체에 있어서, 상기 미립자 표면에는 상기 미립자의 표면과 결합한 유기 코팅막이 형성되고, 상기 기판표면에는 상기 기판표면과 결합한 유기 코팅막이 형성되며, 상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 상기 기판표면의 유기 코팅막과의 사이에서 결합하여, 상기 기판상에 상기 미립자가 고정배열되어 있는 것을 특징으로 하는 미립자 배열체 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 미립자의 배열이 단층인 셀프 어셈블막인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 미립자의 배열이 누적층이고, 상기 미립자끼리가 결합하여고정되어있는것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 미립자의 평균직경이 0.5nm 이상 50nm이하범위인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 미립자 표면의 유기 코팅막 및 상기 기판표면의 유기 코팅막 중, 적어도 한 쪽은 셀프 어셈블막인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 미립자가 상기 기판표면에 패터닝되어배열되어있는것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 미립자가 상기 기판표면에 형성된오목볼록패턴의오목부내배열되어있는것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 오목부의 폭이상기미립자의평균직경의5배이상30배이하인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 상기 기판표면의 유기 코팅막 사이의 결합이 공유결합, 이온결합, 배위결합 및 분자간 힘 결합 중에서 선택되는하나이상결합인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,미립자가 금속, 금속 산화물, 반도체, 양성 원소, 양성 원소 산화물 및 수지 중에서 선택되는하나이상인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 11] 제 1 항에 있어서,상기 미립자가자성미립자인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 12] 제 1 항에 있어서,기판을 구성하는 재질이 금속, 금속 산화물, 반도체, 양성 원소, 양성 원소 산화물 및 수지 중에서 선택되는하나이상인것을특징으로 하는미립자 배열체. [청구항 36] 기판표면에 상기 기판표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하고, 미립자 표면에 상기 미립자 표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하며, 상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 상기 기판표면의 유기 코팅막과의 사이에서 결합하여, 상기 미립자가 고정배열되어 있는 미립자 배열체를 형성하고, 상기 미립자에 전류를 흐르게 하는 적어도 한 쌍의 전극을 형성하여, 외부로부터의 신호자계에 의해 전극간의 전기저항을 변화시키는 것을 특징으로 하는 자기 저항효과소자 [청구항 37] 기판표면에 상기 기판표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하고, 미립자 표면에 상기 미립자 표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하며, 상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 상기 기판표면의 유기 코팅막과의 사이에서 결합하여, 상기 미립자가 고정배열되어 있는 미립자 배열체를 형성하고, 상기 미립자에 전류를 흐르게 하는 적어도 한 쌍의 전극을 형성하여, 외부로부터의 신호자계에 의해 전극간의 전기저항을 변화시키는 자기저항효과소자의 외측에, 또한 상기 신호자계 이외의 자계를 상기 자기저항효과소자에 침입하는 것을 막기 위한 실드를 구비한 것을 특징으로 하는 자기저항효과형 헤드 [청구항 38] 기판표면에 상기 기판표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하고, 미립자 표면에 상기 미립자 표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하며, 상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 상기 기판표면의 유기 코팅막과의 사이에서 결합하여, 상기 미립자가 고정배열되어 있는 미립자 배열체를 형성하고, 상기 미립자에 전류를 흐르게 하는 적어도 한 쌍의 전극을 형성하여, 외부로부터의 신호자계에 의해 전극간의 전기저항을 변화시키는 자기저항효과소자의 외측에, 또한 상기 신호자계를 상기 자기저항효과소자에 안내하기 위한 요크를 구비한 것을 특징으로 하는 자기저항효과형 헤드 [청구항 39] 반도체 기판상에 형성된 터널 장벽층으로서 기능하는 장벽층과, 상기 장벽층의 표면에 상기 장벽층과 결합한 유기 코팅막을 형성하고, 미립자 표면에 상기 미립자 표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하며, 상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 장벽층 표면의 유기 코팅막과의 사이에서 결합하여, 상기 미립자가 고정배열되어 있는 미립자 배열체를 형성하고, 상기 장벽층 및 상기 미립자층상에 형성된 전기적 절연체층을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 소자 [청구항 40] 절연 게이트 반도체(mis)형 트랜지스터 구조를 갖는 반도체 메모리 소자에 있어서 상기 mis형 트랜지스터 구조의 게이트 절연막과 반도체 기판 사이에, 반도체 기판상에 형성된 터널 장벽층으로서 기능하는 장벽층과, 상기 장벽층 표면에 상기 기판표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하고, 미립자 표면에 상기 미립자 표면과 결합한 유기 코팅막을 형성하며, 상기 미립자 표면의 유기 코팅막과 상기 기판표면의 유기 코팅막과의 사이에서 결합하여, 상기 미립자가 고정배열되어 있는 미립자 배열체를 형성한 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자