문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판 상의 비트 라인 스페이서들 사이에 형성된 매몰 콘택홀을 갖는 층간 절연막
상기 매몰 콘택홀 내에 형성된 오목형 플러그
상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 상기 층간 절연막의 위쪽으로 형성된 실린더형 스토리지 전극
상기 실린더형 스토리지 전극을 커버하도록 형성된 유전막; 및
상기 유전막 상에 형성된 플레이트 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 소자
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 오목형 플러그는 상기 매몰 콘택홀의 내벽,상기비트라인스페이서들사이및상기반도체기판상형성되어있는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 층간 절연막 상에는 식각 저지막 패턴이 더 형성되어상기층간 절연막보호하는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 실린더형 스토리지 전극은 상기 오목형 플러그의 내벽에 지지되어형성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 오목형 플러그 및 실린더형 스토리지 전극은 불순물이 도핑된폴리실리콘막구성되는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 오목형 플러그는 200∼1000å의 작은두께구성하는것을특징으로 하는반도체 메모리 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 메모리 소자에서 실린더형 스토리지 전극이 지지되는 대상과 그 지지되는 위치 관계는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation실린더형 스토리지 전극이 무엇에 의해 지지되는지, 그리고 그 지지되는 위치 관계를 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1에서 실린더형 스토리지 전극이 오목형 플러그에 지지된다는 점과 층간 절연막의 위쪽으로 형성된다는 정보를 추출한다.
- 상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 상기 층간 절연막의 위쪽으로 형성된 실린더형 스토리지 전극
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3근거 선택
evidence_selection지지 대상인 '오목형 플러그'와 위치 관계인 '층간 절연막의 위쪽'에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 상기 층간 절연막의 위쪽으로 형성된 실린더형 스토리지 전극
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4논리 통합
logical_integration실린더형 스토리지 전극은 오목형 플러그에 의해 지지되며, 위치상으로는 층간 절연막의 위쪽에 위치함을 결합한다.
- 상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 상기 층간 절연막의 위쪽으로 형성된 실린더형 스토리지 전극
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 지지 대상은 오목형 플러그이며, 위치 관계는 층간 절연막의 위쪽임을 정리한다.
- 상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 상기 층간 절연막의 위쪽으로 형성된 실린더형 스토리지 전극
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 오목형 플러그에 안정되게 지지되어 상기 층간 절연막의 위쪽으로 형성된 실린더형 스토리지 전극
최종 답변 (final_answer)
실린더형 스토리지 전극은 오목형 플러그에 안정되게 지지되며, 층간 절연막의 위쪽으로 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 오목형 플러그를 지지 구조로 활용하여 층간 절연막 상단에 실린더형 스토리지 전극을 안정적으로 배치하는 구조를 제공한다.