가공데이터 · 특허 지식베이스

액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 document_id 1020020009590

출원번호
1020020009590
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 제1 방향으로 신장된 제1 게이트 라인 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 신장된 데이터 라인 상기 제1 게이트 라인에 연결된 게이트 전극, 상기 데이터 라인에 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극을 갖는 제1 박막 트랜지스터 제1 전극 및 제2 전극을 포함하는 제1 커패시터 상기 제2 전극 및 제3 전극을 포함하는 제2 커패시터 상기 제1 커패시터에 연결된 게이트 전극, 상기 제2 커패시터에 연결된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터; 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 연결된 유기 전계 발광 소자를 포함하며, 상기 제1 및 제2 커패시터는 서로 다른 기능을 가지며 단위 화소 영역 내에 수직 방향으로 적층되어 형성되고, 상기 제1 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극은 상기 제1 및 제2 커패시터 사이에 연결된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 [청구항 4] 제1 방향으로 신장되는 제1 및 제2 게이트 라인과, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 신장되는 데이터 라인 및 직류 신호 라인에 의해 단위 화소가 한정되는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치에 있어서, 상기 제1 게이트 라인에 제1 게이트 전극이 연결되고, 상기 데이터 라인에 제1 소오스 전극이 연결된 제1 박막 트랜지스터 상기 제2 게이트 라인에 제2 게이트 전극이 연결된 제2 박막 트랜지스터 상기 직류 신호 라인에 제3 소오스 전극이 연결된 제3 박막 트랜지스터 상기 제3 박막 트랜지스터의 제3 드레인 전극과 접지단 사이에 연결된 유기전계발광 소자 상기 제3 박막 트랜지스터의 제3 게이트 전극 및 상기 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극에 연결된 제1 전극과, 상기 제1 박막 트랜지스터의 제1 드레인 전극에 연결된 제2 전극을 포함하는 제1 캐패시터; 및 상기 제2 전극과 상기 직류 신호 라인에 연결된 제3 전극을 포함하는 제2 캐패시터를 구비하며, 상기 제1 및 제2 캐패시터는 서로 다른 기능을 가지며 수직 방향으로 적층되어 형성된 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 [청구항 5] 제1 방향으로 신장되는 제1 및 제2 게이트 라인과, 상기 제1 방향과 직교하는 제2 방향으로 신장되는 데이터 라인 및 직류 신호 라인에 의해 단위 화소가 한정되는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치에 있어서, 상기 제1 게이트 라인과 데이터 라인의 교차점 부근에 배치된 제1 액티브 패턴, 상기 제1 게이트 라인으로부터 연장되어 상기 제1 액티브 패턴 위를 지나가는 제1 게이트 전극, 상기 데이터 라인으로부터 연장되어 상기 제1 게이트 전극 일측의 제1 액티브 패턴과 콘택되는 제1 소오스 전극 및 상기 제1 게이트 전극 타측의 제1 액티브 패턴과 콘택되는 제1 드레인 전극을 포함하는 제1 박막 트랜지스터 상기 제2 게이트 라인과 데이터 라인의 교차점 부근에 배치된 제2 액티브 패턴, 상기 제2 게이트 라인으로부터 연장되어 상기 제2 액티브 패턴 위를 지나가는 제2 게이트 전극, 상기 제2 게이트 전극 일측의 제2 액티브 패턴과 콘택되는 제2 소오스 전극 및 상기 제2 게이트 전극 타측의 제2 액티브 패턴과 콘택되는 제2 드레인 전극을 포함하는 제2 박막 트랜지스터 상기 단위 화소 내에 배치된 제3 액티브 패턴, 상기 제3 액티브 패턴 위를 지나가는 제3 게이트 전극, 상기 직류 신호 라인으로부터 연장되어 상기 제3 게이트 전극 일측의 제3 액티브 패턴과 콘택되는 제3 소오스 전극 및 상기 제2 드레인 전극으로부터 연장되어 상기 제3 게이트 전극 타측의 제3 액티브 패턴과 콘택되는 제3 드레인 전극을 포함하는 제3 박막 트랜지스터 상기 제2 액티브 패턴으로부터 연장되고 상기 직류 신호 라인의 하부에 상기 직류 신호 라인과 평행하게 배치된 제1 전극 및 상기 제1 전극 상에 형성되고 상기 제1 드레인 전극과 연결되는 제2 전극을 포함하는 제1 캐패시터 상기 제2 전극 및 상기 제2 전극 상에 형성되고 상기 직류 신호 라인으로 이루어진 제3 전극을 포함하며, 상기 제1 캐패시터와는 서로 다른 기능을 갖는 제2 캐패시터; 및 상기 제3 드레인 전극과 콘택되어 상기 단위 화소 내에 배치된 화소 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치 [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 제1 전극과 상기제1, 제2 및 제3 액티브 패턴들은 동일한층형성된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 7] 제5항에 있어서,상기 제2 전극과 상기제1 및 제2 게이트 라인은 동일한층형성된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 제3 전극과 상기 데이터 라인은 동일한층형성된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 9] 제5항에 있어서,상기 화소 전극과 동일한 층으로 형성되고, 상기 직류 신호 라인 상에 형성된제4전극더구비하는것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 10] 제5항에 있어서,상기 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극은 상기 제3 박막 트랜지스터의 제3 게이트 전극과 콘택되도록형성된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 제1 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극은 상기 제1및제2 커패시터의상기제2전극연결된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 16] 제1항에 있어서,상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전극은 상기 제1 커패시터의 상기 제1 전극과 연결되고, 상기 소오스 전극은상기제2 커패시터의상기제3전극연결된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 제1 방향으로 신장된 제2 게이트 라인; 및상기 제2 방향으로 신장된직류신호라인더포함하는것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 제2 커패시터는상기직류신호라인연결된것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 제2 게이트 라인에 연결된 게이트 전극, 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 게이트 전극에 연결된 소오스 전극, 상기 제2 박막 트랜지스터의 상기 드레인 전극에 연결된 드레인 전극을 포함하는제3박막 트랜지스터더포함하는것을특징으로 하는액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 5항 및 10항의 구성을 바탕으로 할 때, 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극과 연결되는 제3 박막 트랜지스터의 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    청구항 5항과 10항을 참조하여 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극과 연결되는 제3 박막 트랜지스터의 구성 요소를 찾아야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 5항에서 제3 박막 트랜지스터의 구성 요소인 제3 게이트 전극, 제3 소오스 전극, 제3 드레인 전극을 확인한다.

    • 제3 게이트 전극, 상기 직류 신호 라인으로부터 연장되어 상기 제3 게이트 전극 일측의 제3 액티브 패턴과 콘택되는 제3 소오스 전극 및 상기 제2 드레인 전극으로부터 연장되어 상기 제3 게이트 전극 타측의 제3 액티브 패턴과 콘택되는 제3 드레인 전극
  3. 3근거 선택evidence_selection

    청구항 10항에서 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극이 제3 박막 트랜지스터의 제3 게이트 전극과 콘택된다는 사실을 선택한다.

    • 상기 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극은 상기 제3 박막 트랜지스터의 제3 게이트 전극과 콘택되도록형성된
  4. 4논리 통합logical_integration

    청구항 10항에 의해 제2 소오스 전극과 연결되는 대상은 제3 박막 트랜지스터의 '제3 게이트 전극'임을 알 수 있다.

    • 상기 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극은 상기 제3 박막 트랜지스터의 제3 게이트 전극과 콘택되도록형성된
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    따라서 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극과 연결되는 제3 박막 트랜지스터의 구성 요소는 제3 게이트 전극이다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    질문에 대한 직접적인 답변인 '제3 게이트 전극'을 추출하여 작성한다.

    • 제3 게이트 전극
최종 답변 (final_answer)
제3 게이트 전극
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극을 제3 박막 트랜지스터의 제3 게이트 전극과 연결함으로써 트랜지스터 간의 전기적 연결 관계를 형성하는 구조를 포함한다.