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교차쌍 구조의 트랜스 컨덕터 document_id 1020020012222

출원번호
1020020012222
분류
전기(H섹션)
문맥 (context)
[청구항 1] 전류원으로부터 입력전압에 대응되는 전류를 출력단을 통해 출력하는 트랜스컨덕터에 있어서, 전압원에 드레인과 소오스단을 통해 상호 직렬상으로 접속된 제1 및 제2 mos 트랜지스터와 컬렉터 단자를 통해 출력전류를 제공하도록 상기 전류원과 접속되되, 에미터 단자가 상기 제2 mos 트랜지스터의 게이트단자와 접속된 제1 바이폴라 트랜지스터와 상기 제1 바이폴라 트랜지스터와 직렬상으로 접속되되 그 베이스단자가 상기 제1 mos트랜지스터와 제2 mos트랜지스터 사이의 노드에 접속된 제2 바이폴라 트랜지스터와 게이트단이 외부 신호 입력단이 되며 상기 제2 바이폴라 트랜지스터의 에미터 단자에 그 드레인 단자가 접속된 제3 mos트랜지스터 를 를 구비하며, 상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스단자에는 기준전압 바이어스 전압원이 공급되고, 상기 제1 mos 트랜지스터의 게이트단에는 트랜스 컨덕턴스 조정용으로 인가되 제어전압원이 인가되는 것을 특징으로 하는 교차쌍 구조의 트랜스컨덕터 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1 바이폴라 트랜지스터의 베이스단자에 공급되는 기준 바이어스 전압원과;상기 제1 mos트랜지스터의 베이스단에 트랜스컨덕턴스 조정용으로 인가되는제어전압원구비하는것을특징으로 하는교차쌍 구조의 트랜스컨덕터. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 제어 전압원은 상기 기준바이어스전압원에 상기 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간에 유지하고자 하는 전압을 더한 전압을 상기 제1 mos트랜지스터의베이스단인가하도록된것을특징으로 하는교차쌍 구조의 트랜스컨덕터.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
교차쌍 구조의 트랜스컨덕터에서 제1 mos 트랜지스터의 게이트단에 인가되는 제어전압원은 어떠한 구성 요소들의 전압 조합으로 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
  1. 1과제 해석task_interpretation

    교차쌍 구조의 트랜스컨덕터에서 제1 mos 트랜지스터의 게이트단에 인가되는 제어전압원이 어떤 구성 요소들의 전압 조합으로 이루어지는지 파악해야 한다.

  2. 2정보 추출information_extraction

    청구항 3을 통해 제어전압원의 구성 성분을 추출한다.

    • 상기 제어 전압원은 상기 기준바이어스전압원에 상기 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간에 유지하고자 하는 전압을 더한 전압을 상기 제1 mos트랜지스터의베이스단인가하도록된것을특징으로 하는
  3. 3근거 선택evidence_selection

    제어전압원을 형성하는 두 가지 핵심 요소인 '기준바이어스전압원'과 '제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간 전압'을 선택한다.

    • 상기 제어 전압원은 상기 기준바이어스전압원에 상기 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간에 유지하고자 하는 전압을 더한 전압
  4. 4논리 통합logical_integration

    제어전압원은 기준바이어스전압원에 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간 전압을 더한 값임을 논리적으로 연결한다.

    • 상기 제어 전압원은 상기 기준바이어스전압원에 상기 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간에 유지하고자 하는 전압을 더한 전압
  5. 5결론 도출conclusion_formulation

    질문에 대한 답변으로 제어전압원이 기준바이어스전압원과 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간 전압의 합으로 구성됨을 정리한다.

  6. 6답변 생성answer_generation

    추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.

최종 답변 (final_answer)
제1 mos 트랜지스터의 게이트단에 인가되는 제어전압원은 상기 기준바이어스전압원에 상기 제3 mos트랜지스터의 게이트-소오스간에 유지하고자 하는 전압을 더한 전압으로 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 기준바이어스전압원과 제3 mos 트랜지스터의 게이트-소오스간 전압을 조합하여 제1 mos 트랜지스터의 게이트에 제어전압원을 인가함으로써 트랜스컨덕턴스를 조정하는 기술에 관한 것이다.