2비트 기입가능한 비휘발성 메모리 소자, 그 구동방법 및그 제조방법 document_id 1020020019949

[청구항 2] 제1 항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역들에 인접한 영역의 상기 전하트랩절연막 내에각각데이타저장영역존재하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 3] 제1 항에 있어서,다층절연막은,상기 반도체 기판 상에 형성된 터널절연막;상기 터널절연막 상에 형성된 전하트랩절연막;및상기 전하트랩절연막 상에 형성된블로킹절연막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 4] 제1 항에 있어서,상기 전하트랩절연막은 적어도 한층의실리콘질화막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 5] 제1 항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역들 각각에 접속된 복수개의 평행한 비트라인들을 더 포함하되,상기 워드라인 방향과 수직인 단면으로 보여질 때, 상기 워드라인 양측에 배치된 한쌍의 소오스/드레인 영역은 서로 다른비트라인접속된것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 6] 제1 항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역들은 동일한형상갖는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 7] 제1 항에 있어서,워드라인과, 상기 워드라인 및 상기 반도체 기판 사이의 다층절연막과, 상기 워드라인 방향과 수직인 단면으로 보여질 때 상기 워드라인 양측에 배치된 한쌍의 소오스/드레인 영역들은 하나의 메모리 셀을 구성하되, 각 메모리 셀은 인접한 다른 워드라인의 메모리 셀과 소오스/드레인 영역들공유하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 8] 제7 항에 있어서,메모리 셀은,워드라인을 공유하는 인접한 하나의 메모리 셀과, 인접한 하나의 워드라인을 공유하는 서로 인접한 두개의 메모리 셀들과 함께 하나의 소오스/드레인 영역을 공유하고;워드라인을 공유하는 인접한 다른 메모리 셀과, 다른 인접한 워드라인을 공유하는 서로 인접한 두개의 메모리 셀들과 함께 다른 소오스/드레인 영역공유하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 10] 제9 항에 있어서,상기제1 및 제2 소오스/드레인 영역들에 인접한 영역의 상기 전하트랩절연막 내에각각데이타저장영역존재하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 11] 제9 항에 있어서,다층절연막은,상기 반도체 기판상에 형성된 터널절연막;상기 터널절연막 상에 형성된 전하트랩절연막;및상기 전하트랩절연막 상에 형성된블로킹절연막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 12] 제9 항에 있어서,상기 전하트랩절연막은 적어도 한층의실리콘질화막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 13] 제9 항에 있어서,상기 워드라인들 상부를 열 방향으로 평행하게 가로지르되, 서로 교번하여 배치된 복수개의 제1 및 제2 비트라인들을 더 포함하되,제1 소오스/드레인 영역들의 각 열은 하나의 제1 비트라인에 접속되고, 제2 소오스/드레인 영역들의 각 열은하나의제2비트라인접속된것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 15] 제14 항에 있어서,상기 소오스/드레인 영역들에 인접한 영역의 상기 전하트랩절연막 내에각각데이타저장영역존재하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 16] 제14 항에 있어서,상기 전하트랩절연막은 적어도 한층의실리콘질화막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 17] 제14 항에 있어서,다층절연막은,상기 반도체 기판상에 형성된 터널절연막;상기 터널절연막 상에 형성된 전하트랩절연막;및상기 전하트랩절연막 상에 형성된블로킹절연막포함하는것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 18] 제14 항에 있어서,상기 워드라인을 가로질러 평행하게 배치된 복수개의 비트라인들을 더 포함하되, 상기 각 워드라인 양측에 서로 대향하여 배치된 한쌍의 소오스/드레인 영역들은 각각 서로 다른비트라인접속된것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 19] 제18 항에 있어서,상기 각각의 비트라인들은 각 행의 소오스/드레인 영역들 중 선택된하나접속된것을특징으로 하는메모리 소자. [청구항 20] 제19 항에 있어서,비트라인들은 각 행의 소오스/드레인 영역들 중 하나에 접속되되, 인접한 두 열의 소오스/드레인 영역들에 교번하여접속된것을특징으로 하는메모리 소자.