박막 트랜지스터 및 이를 구비한 디스플레이 장치 document_id 1020020042745

[청구항 5] 제1항에 있어서,상기 절연막은 그 주요 성분으로 수소 실세스퀴옥산 화합물 또는 메틸 실세스퀴옥산 화합물을 갖는 코팅막을 가열하여형성되는절연막인박막 트랜지스터. [청구항 6] 제2항에 있어서,상기 절연막은 그 주요 성분으로 수소 실세스퀴옥산 화합물 또는 메틸 실세스퀴옥산 화합물을 갖는 코팅막을 가열하여형성되는절연막인박막 트랜지스터. [청구항 7] 제3항에 있어서,상기 절연막은 그 주요 성분으로 수소 실세스퀴옥산 화합물 또는 메틸 실세스퀴옥산 화합물을 갖는 코팅막을 가열하여형성되는절연막인박막 트랜지스터. [청구항 8] 제4항에 있어서,상기 절연막은 그 주요 성분으로 수소 실세스퀴옥산 화합물 또는 메틸 실세스퀴옥산 화합물을 갖는 코팅막을 가열하여형성되는절연막인박막 트랜지스터. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 반도체 박막은 비정질 실리콘막에 열 처리를 실행하여결정 입자성장하여형성되는다결정 실리콘막인 박막 트랜지스터. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 반도체 박막nan은비정질 실리콘막을결정 입자열처리하여형성되는다결정 실리콘막인 박막 트랜지스터. [청구항 11] 제2항에 있어서,상기 반도체 박막nan은비정질 실리콘막을결정 입자열처리하여형성되는다결정 실리콘막인 박막 트랜지스터. [청구항 12] 제3항에 있어서,상기 반도체 박막nan은비정질 실리콘막을결정 입자열처리하여형성되는다결정 실리콘막인 박막 트랜지스터. [청구항 13] 제4항에 있어서,상기 반도체 박막nan은비정질 실리콘막을결정 입자열처리하여형성되는다결정 실리콘막인 박막 트랜지스터. [청구항 16] 제14항에 있어서,상기 절연막은 그 주요 성분으로 수소 실세스퀴옥산 화합물이나 메틸 실세스퀴옥산 화합물을 갖는 코팅막을 가열하여형성되는절연막인액정 디스플레이. [청구항 17] 제14항에 있어서,상기 반도체 박막은 비정질 실리콘막을 열처리하여 결정 입자를 성장형성된다결정 실리콘막인 액정 디스플레이. [청구항 18] 제14항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 알루미늄이나 상기 알루미늄 보다 저항률이 더 작은 금속 재료를 이용하여 형성되는 회로 배선포함하는액정 디스플레이. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 절연막은 기판의 상측면 상형성된하지 절연막, 게이트 절연막, 반도체 절연막, 층간 절연막 및 패시베이션막 중에서 적어도 하나의 막인 자기 방출형 디스플레이. [청구항 21] 제19항에 있어서,상기 절연막은 그 주요 성분으로 수소 실세스퀴옥산 화합물이나 메틸 실세스퀴옥산 화합물을 갖는코팅막가열하여형성되는절연막인 자기 방출형 디스플레이. [청구항 22] 제19항에 있어서,상기 반도체 박막은 비정질 실리콘막을 열처리하여 결정 입자를 성장형성되는다결정 실리콘막인 자기 방출형 디스플레이. [청구항 23] 제19항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는 알루미늄이나 상기 알루미늄 보다 저항률이 작은 금속 재료를 이용하여 형성되는 회로 배선포함하는자기 방출형 디스플레이.