문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,활성영역 및 상기 소자분리막을 가로지르는 센스 라인 및 선택 라인더 구비하는반도체 장치.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 센스 라인은 차례로 적층된 부유 게이트, 게이트 층간절연막 및 제어 게이트로 이루어지되, 상기 부유 게이트는 상기 소자분리막 상에서 단절되고, 상기 게이트 층간절연막은 상기 단절된부유게이트사이의상기소자분리막의상부면과상기부유게이트의측벽및상부면덮는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 선택 라인은 차례로 적층된 하부 선택 게이트, 선택 게이트 층간절연막 및 상부 선택 게이트로 이루어지되, 상기 하부 선택 게이트, 상기 선택 게이트 층간절연막 및 상기 상부 선택 게이트는 각각 상기 부유 게이트, 상기 게이트 층간절연막 및 상기 제어 게이트와 화학적 조성 및 두께가 동일한물질들이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 하부 선택 게이트 및 상부 선택 게이트는전기적서로연결되는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 6]
제 3 항에 있어서,상기 마스크롬 게이트는 상기 부유 게이트와 동일한 화학 조성 및 두께를 갖는물질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 7]
제 3 항에 있어서,상기 마스크롬 게이트는 상기 제어 게이트와 화학적 조성 및 두께가 동일한물질로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 8]
제 3 항에 있어서,상기 부유 게이트는 다결정 실리콘으로 이루어지고, 상기 게이트 층간절연막은 산화막-질화막-산화막(ono)로 이루어지고, 상기 제어 게이트는 차례로 적층된다결정 실리콘실리사이드로이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 9]
제 2 항에 있어서,상기 센스 라인과 상기셀 활성영역 및 상기 선택 라인과 상기 셀 활성영역 사이에 개재되는 게이트 절연막더 포함하는반도체 장치.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 마스크롬 게이트 절연막은 상기 채널 불순물 영역이 형성되지 않은 상기 마스크롬 활성영역 상에 형성되어, 상기 게이트 절연막과 동일한 화학 조성 및 두께를 갖는실리콘 산화막포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,상기 마스크롬 게이트 절연막은 상기 게이트 절연막보다 얇되, 균일한 두께를 갖는실리콘 산화막인것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 12]
제 9 항에 있어서,상기 게이트 절연막에 의해 둘러싸이면서 상기 센스 라인과 상기 셀 활성영역 사이에 개재되는 터널 절연막을 더 포함하되, 상기 터널 절연막은 상기 게이트 절연막보다 얇은두께갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 마스크롬 게이트 절연막은 상기 채널 불순물 영역 상에 형성되어, 상기 터널 절연막과 동일한 화학 조성 및 두께를 갖는실리콘 산화막포함하는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 14]
제 12 항에 있어서,상기 센스 라인 하부의 상기셀 활성영역 내에 형성되어 상기 터널 절연막의 아래면을 둘러싸는 부유 불순물 영역을 더 포함하되, 상기 부유 불순물 영역은 상기 채널 불순물 영역과 동일한 불순물 종류,농도및깊이갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 15]
제 9 항에 있어서,상기 소자분리막은 상기 채널 불순물 영역에서 이격된 부분보다 상기 채널 불순물 영역에 인접하는 부분에서, 적어도 상기 게이트 절연막의 두께만큼 낮은상부면갖는것을특징으로 하는반도체 장치.
[청구항 16]
제 1 항에 있어서,상기 채널 불순물 영역이 형성된 상기 마스크롬 활성영역 상에 배치된 상기 마스크롬 게이트 절연막은 상기 채널 불순물 영역이 형성되지 않은 상기 마스크롬 활성영역 상에 배치된 상기 마스크롬 게이트 절연막보다 얇은 것특징으로 하는반도체 장치.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 구성요소 사이의 연결 및 상호작용을 분석하여 질문에 답하라. 요구되는 내용을 항목별 목록으로 제시하라.
질문 (question)
반도체 장치에서 선택 라인을 구성하는 하부 선택 게이트, 선택 게이트 층간절연막 및 상부 선택 게이트는 센스 라인의 어떤 구성 요소들과 화학적 조성 및 두께가 동일한가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation선택 라인의 구성 요소(하부 선택 게이트, 선택 게이트 층간절연막, 상부 선택 게이트)와 화학적 조성 및 두께가 동일한 센스 라인의 구성 요소를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 센스 라인은 부유 게이트, 게이트 층간절연막, 제어 게이트로 구성됨을 확인하고, 청구항 4에서 선택 라인의 구성 요소들을 추출한다.
- 상기 센스 라인은 차례로 적층된 부유 게이트, 게이트 층간절연막 및 제어 게이트로 이루어지되; 상기 선택 라인은 차례로 적층된 하부 선택 게이트, 선택 게이트 층간절연막 및 상부 선택 게이트로 이루어지되
-
3근거 선택
evidence_selection선택 라인 구성 요소와 센스 라인 구성 요소 간의 동일성을 명시한 청구항 4의 구절을 선택한다.
- 상기 하부 선택 게이트, 상기 선택 게이트 층간절연막 및 상기 상부 선택 게이트는 각각 상기 부유 게이트, 상기 게이트 층간절연막 및 상기 제어 게이트와 화학적 조성 및 두께가 동일한물질들이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치
-
4논리 통합
logical_integration하부 선택 게이트는 부유 게이트와, 선택 게이트 층간절연막은 게이트 층간절연막과, 상부 선택 게이트는 제어 게이트와 각각 대응하여 동일한 조성 및 두께를 가짐을 연결한다.
- 상기 하부 선택 게이트, 상기 선택 게이트 층간절연막 및 상기 상부 선택 게이트는 각각 상기 부유 게이트, 상기 게이트 층간절연막 및 상기 제어 게이트와 화학적 조성 및 두께가 동일한물질들이루어지는것을특징으로 하는반도체 장치
-
5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구하는 센스 라인의 구성 요소는 부유 게이트, 게이트 층간절연막, 제어 게이트이다.
- 상기 부유 게이트, 상기 게이트 층간절연막 및 상기 제어 게이트
-
6답변 생성
answer_generation추출된 구성 요소들을 리스트 형식으로 답변을 생성한다.
- 상기 부유 게이트, 상기 게이트 층간절연막 및 상기 제어 게이트
최종 답변 (final_answer)
부유 게이트, 게이트 층간절연막, 제어 게이트
핵심 해석 (core_interpretation)
선택 라인의 각 층(하부 선택 게이트, 선택 게이트 층간절연막, 상부 선택 게이트)이 센스 라인의 각 층(부유 게이트, 게이트 층간절연막, 제어 게이트)과 동일한 화학적 조성 및 두께를 갖도록 설계하여 구조적/물질적 대응성을 확보하는 기술이다.