문맥 (context)
[청구항 7]
반도체기판;
상기 반도체기판상의 복수의 게이트패턴;
상기 복수의 게이트패턴 사이에 노출된 상기 반도체기판내에 형성된 접합층
상기 복수의 게이트패턴 및 상기 반도체기판을 덮고 상기 접합층을 노출시키는 콘택홀을 갖는 절연층; 및
상기 콘택홀의 일부를 채우는 단결정 도전층과 상기 콘택홀의 나머지를 채우는 다결정 도전층의 이중층으로 이루어진 콘택플러그
를 포함함을 특징으로 하는 반도체소자
[청구항 8]
제7 항에 있어서,상기 게이트패턴의 양측벽과 상기 게이트패턴의 최상부층에 상기 절연층과 식각 선택비를 갖는절연층더구비됨을특징으로 하는반도체소자.
[청구항 9]
제7 항 또는 제8 항에 있어서,상기 단결정 도전층은 단결정 실리콘층 또는 단결정 실리콘게르마늄층이고, 상기다결정도전층다결정 실리콘층인것을특징으로 하는반도체소자.
[청구항 10]
제9 항에 있어서,상기 단결정 실리콘층 또는 상기 단결정 실리콘게르마늄층은 1×1019∼1×1020atoms/cm3농도의인도핑된것을특징으로 하는반도체소자.
[청구항 11]
제7 항 또는 제8 항에 있어서,상기 단결정 도전층nan은두께인것을특징으로 하는반도체소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 7항의 반도체소자에서 콘택플러그를 구성하는 두 도전층의 종류와 각각의 재질은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 7항의 콘택플러그를 구성하는 두 도전층의 종류와 각각의 재질을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 7항에서 콘택플러그가 단결정 도전층과 다결정 도전층의 이중층으로 구성됨을 확인한다.
- 단결정 도전층과 상기 콘택홀의 나머지를 채우는 다결정 도전층의 이중층으로 이루어진 콘택플러그
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3근거 선택
evidence_selection각 도전층의 구체적인 재질을 명시하고 있는 청구항 9항의 내용을 추출한다.
- 상기 단결정 도전층은 단결정 실리콘층 또는 단결정 실리콘게르마늄층이고, 상기다결정도전층다결정 실리콘층인것을특징으로 하는반도체소자
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4논리 통합
logical_integration청구항 7항의 구성 요소(단결정/다결정 도전층)와 청구항 9항의 재질 정보(실리콘/실리콘게르마늄/다결정 실리콘)를 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation단결정 도전층은 단결정 실리콘층 또는 단결정 실리콘게르마늄층이며, 다결정 도전층은 다결정 실리콘층임을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 두 도전층의 종류와 재질을 리스트 형식으로 정리하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
1. 단결정 도전층: 단결정 실리콘층 또는 단결정 실리콘게르마늄층
2. 다결정 도전층: 다결정 실리콘층
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 단결정 도전층(실리콘 또는 실리콘게르마늄)과 다결정 도전층(다결정 실리콘)이 이중층 구조를 이루는 콘택플러그를 포함하는 반도체소자에 관한 것이다.