압전박막 공진기 및 그러한 공진기를 이용하는 주파수가변 공진기 document_id 1020020056854

[청구항 1] 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 삽입되고, 티탄산바륨을 포함하는 에피택셜 강유전성 박막으로 형성되며, 상기 에피택셜 강유전성 박막의 자발분극은 막표면에 수직인 방향으로 단일축 배향되는 압전박막 을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전박막 공진기 [청구항 2] 제1항에 있어서,상기 강유전성 박막은 페로브스카이트 결정구조를 가지며 1±0.1의 ba/ti 비를 가지는티탄산바륨포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 강유전성 박막은 페로브스카이트 결정구조를 가지며 ba의 일부가 sr, ca 또는 pb로 대체되는티탄산바륨포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 강유전성 박막은 페로브스카이트 결정구조를 가지며 ti의 일부가 zr 또는 hf로 대체되는티탄산바륨포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제1 전극에 근접하여 배치되는음향반사기더포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 음향반사기는 단결정 기판의 표면에 형성되고 서로 교대로 중첩되는 고음향 임피던스층 및 저음향 임피던스층을 포함하는 적층구조로 형성되는브래그 반사층인것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방 결정 또는 정방정계 결정으로 형성되고 실리콘, 산화 마그네슘, 티탄산 스트론튬, 및 알루민산 란탄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는일재료포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 8] 제5항에 있어서,상기 음향반사기는 단결정 기판의 표면에 형성되는 공동부에 의해구성되는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방 결정 또는 정방정계 결정으로 형성되고 실리콘, 산화 마그네슘, 티탄산 스트론튬, 및 알루민산 란탄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는일재료포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극nan은귀금속또는도전성페로브스카이트형산화물형성되는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 11] 제10항에 있어서,상기 귀금속은 백금 또는 이리듐이며, 상기 도전성 페로브스카이트형 산화물은루텐산스트론튬인것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 12] 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 삽입되고, 티탄산바륨을 포함하는 에피택셜 강유전성 박막으로 형성되며, 상기 에피택셜 강유전성 박막의 자발분극은 (001) 방위각으로 단일축 배향되고 상기 에피택셜 강유전성 박막의 면 내의 2차원 격자변형 x m 은 x m > 박막 을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전박막 공진기 [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 강유전성 박막은 페로브스카이트 결정구조를 가지며 1±0.1의 ba/ti비를 가지는티탄산바륨포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 강유전성 박막은 페로브스카이트 결정구조를 가지며 ba의 일부는 sr, ca, 또는 pb로 대체되는티탄산바륨포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 15] 제12항에 있어서,상기 강유전성 박막은 페로브스카이트 결정구조를 가지며 ti의 일부는 zr 또는 hf로 대체되는티탄산바륨포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 16] 제12항에 있어서,상기 제1 전극에 근접하여 배치되는음향반사기더포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 17] 제16항에 있어서,상기 음향반사기는 단결정 기판의 표면에 배치되며 서로 교대로 중첩되는 고음향 임피던스층 및 저음향 임피던스층을 포함하는 적층구조로 형성되는브래그 반사층인것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방 결정 또는 정방정계 결정으로 형성되며 실리콘, 산화 마그네슘, 티탄산 스트론튬, 및 알루민산 란탄으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는일재료포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 19] 제12항에 있어서,상기 음향반사기는 단결정 기판의 표면에 형성되는 공동부에 의해구성되는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 단결정 기판은 입방 결정 또는 정방정계 결정으로 형성되며 실리콘, 산화 마그네슘 및 티탄산 스트론튬으로 구성되는 그룹으로부터 선택되는일재료포함하는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 21] 제12항에 있어서,상기 제1 전극 또는 상기 제2 전극nan은귀금속또는도전성페로브스카이트형산화물형성되는것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 귀금속은 백금 또는 이리듐이며, 상기 도전성 페로브스카이트형 산화물은루텐산스트론튬인것을특징으로 하는압전박막 공진기. [청구항 23] 전계 변화를 통하여 복수의 주파수에서 공진할 수 있는 주파수 가변 공진기에 있어서, 상기 제1항의 압전박막 공진기; 및 상기 제1 및 제2 전극 사이에 전계를 인가하기 위한 가변 전압원 을 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 공진기 [청구항 24] 전계의 변화를 통하여 복수의 주파수에서 공진할 수 있는 주파수 가변 공진기에 있어서, 상기 제12항의 압전박막 공진기; 및 상기 제1 및 제2 전극 사이에 전계를 인가하기 위한 가변 전압원 을 포함하는 것을 특징으로 하는 주파수 가변 공진기 [청구항 25] 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 삽입되고, 페로브스카이트형 결정구조를 가지는 에피택셜 강유전성 박막으로 형성되며, 상기 에피택셜 강유전성 박막의 자발분극은 상기 막표면에 수직인 방향으로 단일축 배향되는 압전체막 을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전박막 공진기 [청구항 26] 제1 전극; 제2 전극; 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 삽입되고, 페로브스카이트형 결정구조를 가지는 에피택셜 강유전성 박막으로 형성되며, 상기 에피택셜 강유전성 박막의 자발분극은 (001) 방위각으로 단일축 배향되며 상기 에피택셜 강유전성 박막의 면 내의 2차원 격자변형 x m 은 x m > 막 을 포함하는 것을 특징으로 하는 압전박막 공진기