양극 산화 공정을 이용한 일체형 3극 구조 전계방출 소자및 제조방법 document_id 1020020058158

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 지지층은, 부도체,반도체및도체형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 3] 제2항에 있어서,상기 지지층으로 사용되는 부도체는, 웨이퍼, 유리,고분자물질중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 4] 제2항에 있어서,상기 지지층으로 사용되는반도체실리콘 웨이퍼인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 하부 전극층은,전도성 물질형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 6] 제5항에 있어서,상기 하부 전극층으로 형성되는 전도성 물질은, 텅스텐(w), 크롬(cr), 니오븀(nb), 알루미늄(al), 티타늄(ti), 상기 금속들의 합금, 전도성 고분자 물질, 금속 산화물,금속질화물및금속 황화물중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 저항층은, 산화 실리콘(sio2)또는금속 산화물형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 게이트 절연층은, 산화 실리콘(sio2)또는금속 산화물형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 에미터는, 금속,반도체또는탄소물질형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 10] 제9항에 있어서,상기 에미터 형성을 위해 사용되는 금속물질은, 금(au), 백금(pt), 니켈(ni), 몰리브덴(mo), 텅스텐(w), 탄탈륨(ta), 크롬(cr), 티타늄(ti), 코발트(co), 세슘(cs), 바륨(ba), 하프늄(hf), 니오븀(nb), 철(fe), 루비듐(rb)및상기금속들의합금중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 11] 제9항에 있어서,상기 에미터 형성을 위해 사용되는 반도체 물질은, 갈륨 질화물(gan), 티타늄 산화물(tio2), 카드뮴 황화물(cds)중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 12] 제9항에 있어서,상기 에미터 형성을 위해 사용되는 탄소물질은, 탄소 나노 화이버,탄소나노튜브및비정질 탄소중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 13] 제1항에 있어서,상기 게이트 전극층은,전도성 물질형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 게이트 전극층으로 사용되는 금속물질은, 금(au), 텅스텐(w), 니오븀(nb), 크롬(cr), 알루미늄(al), 티타늄(ti), 전도성 고분자 물질, 금속 산화물,금속질화물및금속 황화물중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 15] 제1항에 있어서,상기 상부 전극층은,전도성 물질형성하는것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 상부 전극층으로 사용되는 전도성 물질은, 알루미늄(al), 티타늄(ti), 바륨(ba), 바나듐(v), 지르코늄(zr), 니오븀(nb), 탄탈륨(ta), 크롬(cr), 텅스텐(w) 전도성 고분자 물질 및 금속 산화물, 금속 질화물,금속 황화물중하나인것을특징으로 하는일체형 3극 구조 전계방출 소자.