반도체 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 document_id 1020020058411

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 경계층은 상기 지지 기판에 도달하며, 폴리실리콘 또는 실리콘에 기초한 화합물 반도체들 중 하나구성되는반도체 칩. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기제1 및 제2 소자 분리 영역은실질적동일한깊이인반도체 칩. [청구항 4] 제3항에 있어서,및 제2 소자 분리 영역은 상기 매립 절연막에 도달하는 깊이갖는반도체 칩. [청구항 5] 제1항에 있어서,경계에 위치하며, 경계층으로서 기능하는 제3 소자 분리 영역을 더 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 소자 분리 영역은실질적동일한깊이인반도체 칩. [청구항 6] 제1항에 있어서,경계에 위치하며, 경계층으로서 기능하는 제3 소자 분리 영역더 포함하고,상기 제2 소자 분리 영역은 상기 제3 소자 분리 영역보다 얕은 반도체 칩. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 상기 제1 소자 분리 영역을 더 포함하고, 상기 제2 소자 분리 영역은 상기 제1 소자 분리 영역보다 얕으며, 상기 경계층은 상기 경계층에 가장 가까이에 위치하는 제1 또는 제2 소자 분리 영역것인반도체 칩. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제2 소자 분리 영역은 경계층으로서 기능하고, 상기 매립 절연막에 접하는 바닥면갖는반도체 칩. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내의 상기 경계 가까이에 더미 패턴더 포함하는반도체 칩. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 위치된 상기 벌크 소자는 트렌치 캐패시터를 갖는 dram 셀을 포함하고, 상기 트렌치 캐패시터는 상기 지지 기판 및 상기 벌크 성장층 사이의 경계면 및 그 아래로 연장되는 제1 부분과, 상기 경계면 위로 연장되는 제2 부분포함하며,상기 제1 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 큰 반도체 칩. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 위치하는 상기 벌크 소자는 트렌치 캐패시터와 mosfet을 갖는 dram 셀을 포함하고, 상기 mosfet은 상기 dram 셀 및 상기 경계층 사이위치하는반도체 칩. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 제3 소자 분리 영역은 상기 매립 절연막에 접하는 측벽갖는반도체 칩. [청구항 14] 제12항에 있어서,상기 벌크 소자 영역은 상기 지지 기판과 상기 벌크 성장층 사이의 경계면 아래에 위치하는 pn 접합갖는반도체 칩. [청구항 18] 제17항에 있어서,상기 벌크 성장층은 실리콘 벌크 성장층이며, 상기 경계층은 상기 지지 기판에 도달하고 폴리실리콘 또는 실리콘에 기초한 화합물 반도체들 중 하나구성되는반도체 칩. [청구항 19] 제17항에 있어서,상기 경계에 위치하고, 경계층으로서 기능하는 제3 소자 분리 영역을 더 포함하며, 상기 제1, 제2 및 제3 소자 분리 영역은실질적동일한깊이인반도체 칩. [청구항 20] 제17항에 있어서,상기 벌크 소자와 상기soi 소자 사이의 상기 벌크 소자 영역 내에 더미 트렌치더 포함하는반도체 칩. [청구항 22] 제20항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 위치하는 상기 벌크 소자는 트렌치 캐패시터를 갖는 dram 셀 및 더미 캐패시터인 더미 트렌치포함하는반도체 칩. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 더미 트렌치는 더미캐패시터인반도체 칩. [청구항 26] 제23항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 위치하는 상기 벌크 소자는 상기 더미 트렌치로서 기능하는 분리 트렌치를 갖는 수직형 바이폴라 트랜지스터포함하는반도체 칩. [청구항 27] 제23항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 위치하는 상기 벌크 소자는 트렌치 캐패시터를 갖는 dram 셀포함하는반도체 칩. [청구항 28] 제23항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 위치하는 상기 벌크 소자는 트렌치 캐패시터를 갖는 dram 셀 및 mosfet을 포함하고, 상기 mosfet은 상기 dram 셀 및 상기 더미 트렌치 사이위치하는반도체 칩. [청구항 29] 제23항에 있어서,상기 벌크 성장층은 실리콘 벌크 성장층이며, 상기 경계층은 상기 지지 기판에 도달하고 폴리실리콘 또는 실리콘에 기초한 화합물 반도체들 중 하나구성되는반도체 칩. [청구항 30] 제23항에 있어서,상기 벌크 소자 영역은 벌크 소자를 분리하는 제1 소자 분리 영역을 포함하고, 상기 soi 소자 영역은 상기 soi 소자를 분리하는 제2 소자 분리 영역을 포함하며, 상기 제1 및 제2 소자 분리 영역은실질적동일한깊이인반도체 칩. [청구항 31] 제30항에 있어서,상기제1 및 제2 소자 분리 영역은 상기 매립 절연막에 도달하는 깊이갖는반도체 칩. [청구항 32] 제31항에 있어서,상기 벌크 소자 영역은 상기 지지 기판과 상기 벌크 성장층 사이의 경계면 위에 위치하는 pn 접합갖는반도체 칩. [청구항 33] 제23항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 제1 소자 분리 영역, 상기 soi 소자 영역 내에 제2 소자 분리 영역, 및 상기 경계에 위치하고 상기 경계층으로서 기능하는 제3 소자 분리 영역을 더 포함하고, 상기 제1, 제2 및 제3 소자 분리 영역은실질적동일한깊이인반도체 칩. [청구항 35] 제34항에 있어서,상기 제3 소자 분리 영역은 상기 매립 절연막에 접하는 측벽갖는반도체 칩. [청구항 36] 제23항에 있어서,상기 벌크 소자 영역 내에 제1 소자 분리 영역, 상기 soi 소자 영역 내에 제2 소자 분리 영역, 및 상기 경계에 위치하고 상기 경계층으로서 기능하는 제3 소자 분리 영역더 포함하고,상기 제2 소자 분리 영역은 제3 소자 분리 영역보다 얕은 반도체 칩.