중성입자 변환 효율이 향상된 중성입자 처리 장치 document_id 1020020062648

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 안테나 수납실의 일정한 감압 분위기를 유지하기 위한감압수단을추가포함하는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 중성입자 생성부가 플라즈마 생성부에 인접한 제1 반사판 및 그 하부에 위치하는 제2 반사판을 포함한 적어도 2개 이상의 반사판을 구비하고, 상기 제2 반사판이 중금속으로 이루어진 경사진 슬릿 또는 경사진홀형태의관통구갖는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 중성입자 생성부가 3개의 반사판을 포함하고, 플라즈마 생성부에 인접한 제1 반사판은 수직 홀 또는 수직 슬릿형태의 관통구를 갖고, 제2 반사판은 중금속으로 이루어진 경사진 홀 또는 경사진 슬릿형태의 관통구를 갖고, 제3 반사판은 중성입자의 지향성을 향상시키기 위해 홀의 지름에 비해 깊이가 큰원통형관통구갖는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 중성입자 생성부가 3개의 반사판을 포함하고, 플라즈마 생성부에 인접한 제1 반사판은 경사진 홀 또는 경사진 슬릿형태의 관통구를 갖는 중금속판이고, 제2 반사판은 수직 홀 또는 수직 슬릿형태의 관통구를 갖고, 제3 반사판은 중성입자의 지향성을 향상시키기 위해 홀의 지름에 비해 깊이가 큰원통형관통구갖는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 중성입자 생성부에 플라즈마 생성부에서 생성된 플라즈마를 가속하기 위한음의바이어스인가되는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 7] 제1항에 있어서,상기 중금속판이 탄탈룸, 몰리브덴, 금, 백금, 텅스텐 및 이들의 합금을 그 재질로 갖거나 이들에 의해코팅된것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 8] 제1항에 있어서,상기 제2 반사판의 관통구가 반사판 면에 경사진다수슬릿으로된것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 9] 제1항에 있어서,상기 제2 반사판의 관통구가 반사판 면에 경사진다수홀로된것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 생성부 챔버의 내벽이 산소, 불소, 염소 가스 등에부식성재질로이루어진것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,처리부의 피처리물을 탑재하는탑재대가회전또는수평진동시키는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 12] 제1항에 있어서,처리부의 탑재대에 피처리체의 표면 온도를 높일 수 있는가열수단연결된것을특징으로 하는중성입자 처리 장치. [청구항 13] 제1항에 있어서,처리부의 탑재대 위에 피처리체를 놓고 배율이 1인 스텐실(stencil) 마스크(mask)를 피처리체에 대고, 에너지를 가진 중성입자 빔을 이용하여 리소그라피 공정을 수행하는데사용되는것을특징으로 하는중성입자 처리 장치.