문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 척은 정전기 척인 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 3]
제 2 항에 있어서,상기 상부 전극에 접속된 제 1 전원; 및 상기 정전기 척에 접속된 제 2 전원을 더 포함하는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 4]
제 3 항에 있어서,상기 제 1 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위내에서 선택되고, 상기 제 2 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위내에서 선택되는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 5]
제 3 항에 있어서,상기 제 1 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위내에서 선택되고, 상기 제 2 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위내에서 선택되는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 6]
제 1 항에 있어서,내부에 상기 척, 상기 상부 전극및 상기 가이드 링이 설치되는 공간을 제공하는 챔버를 더 포함하는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 제 2 링의 내경및 상기 반도체 기판의 직경 사이에 차이 값은 1.75mm 보다 큰 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 8]
제 1 항에 있어서,상기제 1 및 제 2 링은 동일한 중심점을 갖도록 한 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 돌출부들은 상기 제 1 링및 제 2 링의 중심점에 대하여 서로 이웃하는 상기 돌출부들 사이의 각도들이 동일하도록 배치되는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 11]
제 10 항에 있어서,상기 척은 정전기 척인 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 12]
제 10 항에 있어서,상기 상부 전극에 접속된 제 1 전원; 및 상기 정전기 척에 접속된 제 2 전원을 더 포함하는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 13]
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위내에서 선택되고, 상기 제 2 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위내에서 선택되는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 14]
제 12 항에 있어서,상기 제 1 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위내에서 선택되고, 상기 제 2 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위내에서 선택되는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 15]
제 10 항에 있어서,내부에 상기 척, 상기 상부 전극및 상기 가이드 링이 설치되는 공간을 제공하는 챔버를 더 포함하는 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 16]
제 10 항에 있어서,상기 제 2 링의 내경및 상기 반도체 기판의 직경 사이에 차이 값은 0.25mm 이하인 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 17]
제 10 항에 있어서,내측벽은 상기 제 2 링의 상부면과 둔각을 이룬 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
[청구항 18]
제 10 항에 있어서,상기 제 3 링은 상기 반도체 기판을 상기 가이드 링에 안착시키기 위한 유도수단인 것이 특징인 가이드링갖는고밀도 플라즈마 산화막 증착장비.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
가이드링을 갖는 고밀도 플라즈마 산화막 증착장비에서 상부 전극에 접속된 제 1 전원과 정전기 척에 접속된 제 2 전원의 RF 주파수 및 바이어스 조건이 각각 어떻게 구성될 수 있는지 청구항에 기재된 범위를 바탕으로 설명하라.
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation상부 전극에 접속된 제 1 전원과 정전기 척에 접속된 제 2 전원의 RF 주파수 및 바이어스 조건을 청구항에 기재된 범위를 바탕으로 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4, 5, 13, 14에서 제 1 전원과 제 2 전원의 전력(watt) 및 주파수(mhz) 범위를 확인한다.
- 상기 제 1 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위내에서 선택되고, 상기 제 2 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위내에서 선택되는 것이 특징
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3근거 선택
evidence_selection제 1 전원과 제 2 전원의 조건이 서로 교차하여 정의된 청구항 4, 5, 13, 14의 구절들을 선택한다.
- 상기 제 1 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위내에서 선택되고, 상기 제 2 전원은 알 에프(radio frequency) 주파수와 동(同) 바이어스로 각각이 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위내에서 선택
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4논리 통합
logical_integration청구항에 따르면 두 가지 구성 방식이 존재한다. 하나는 제 1 전원이 1.8~2.2mhz이고 제 2 전원이 13.37~13.64mhz인 경우이며, 다른 하나는 그 반대인 경우이다. 두 경우 모두 전력은 2000~3000 watt로 동일하다.
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5결론 도출
conclusion_formulation제 1 전원과 제 2 전원의 RF 주파수 및 바이어스 조건을 두 가지 가능한 조합으로 정리한다.
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6답변 생성
answer_generation질문에 따라 리스트 형식으로 두 가지 구성 범위를 명시하여 답변을 생성한다.
최종 답변 (final_answer)
- 구성 1: 제 1 전원은 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위 내에서 선택되고, 제 2 전원은 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위 내에서 선택된다.
- 구성 2: 제 1 전원은 2000 ~ 3000 watt 및 13.37 ~ 13.64mhz 범위 내에서 선택되고, 제 2 전원은 2000 ~ 3000 watt 및 1.8 ~ 2.2mhz 범위 내에서 선택된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 상부 전극과 정전기 척에 각각 연결된 제 1 및 제 2 전원의 RF 주파수와 바이어스 조건을 특정 범위(2000~3000 watt 및 1.8~2.2mhz 또는 13.37~13.64mhz)로 조합하여 구성할 수 있음을 명시하고 있다.