문맥 (context)
[청구항 1]
반도체 기판;
상기 반도체 기판 상에 적층된 제1 층간절연막 및 제2 층간절연막
상기 제1 층간절연막에 형성된 패드 콘택홀
상기 제2 층간절연막에 형성되되, 상기 패드 콘택홀과 수직으로 대응되는 위치에 형성된 플러그 콘택홀
상기 패드 콘택홀의 내벽에 콘포말하게 형성되어 상기 반도체 기판에 전기적으로 접속된 도전성 패드; 및
상기 플러그 콘택홀 및 상기 패드 콘택홀을 채우며 상기 도전성 패드에 전기적으로 접속된 콘택플러그를 포함하는 반도체 소자의 배선
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 콘택플러그 및 상기 플러그 콘택홀 사이와, 상기 콘택플러그와 상기 도전성 패드 사이에 개재된확산방지금속막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 배선.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 제1 층간절연막 및 상기 제2 층간절연막 사이에 개재된식각저지막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 배선.
[청구항 4]
반도체 기판 상에 형성된 트랜지스터의 소오스영역 및 드레인 영역에 전기적으로 접속된 배선에 있어서,
상기 트랜지스터를 갖는 반도체 기판 상에 차례로 적층된 제1 층간절연막, 제2 층간절연막 및 제3 층간절연막
상기 제1 및 제2 층간절연막을 관통하여 상기 드레인 영역에 전기적으로 접속된 비트라인 플러그
상기 제1, 제2 및 제3 층간절연막을 관통하여 상기 소오스 영역에 전기적으로 접속된 스토리지 노드 플러그
상기 비트라인 비트라인 플러그 및 상기 제1 층간절연막 사이에 개재된 드레인 패드; 및
상기 스토리지 노드 플러그 및 상기 제1 층간절연막 사이에 개재된 소오스 패드를 포함하는 반도체 소자의 배선
[청구항 5]
제4 항에 있어서,상기제1 및 제2 층간절연막 사이에 개재된식각저지막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 배선.
[청구항 6]
제4 항에 있어서,상기 스토리지 노드 플러그와 상기제2 및 제3 층간절연막 사이에 개재된 확산방지금속층;및상기 비트라인 플러그와 상기 제2 층간절연막 사이에 개재된확산방지금속층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자의 배선.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
청구항 1의 반도체 소자의 배선 구성 요소 중, 패드 콘택홀의 내벽에 콘포말하게 형성되어 반도체 기판과 전기적으로 접속되는 구성 요소는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation청구항 1에서 패드 콘택홀의 내벽에 콘포말하게 형성되어 반도체 기판과 전기적으로 접속되는 구성 요소를 찾는다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 1의 구성 요소 중 패드 콘택홀, 반도체 기판, 도전성 패드, 콘택플러그 등의 정보를 추출한다.
- 상기 패드 콘택홀의 내벽에 콘포말하게 형성되어 상기 반도체 기판에 전기적으로 접속된 도전성 패드
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3근거 선택
evidence_selection질문의 조건(패드 콘택홀 내벽에 콘포말 형성, 반도체 기판과 전기적 접속)과 일치하는 구절을 선택한다.
- 상기 패드 콘택홀의 내벽에 콘포말하게 형성되어 상기 반도체 기판에 전기적으로 접속된 도전성 패드
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4논리 통합
logical_integration추출된 구절을 분석하면, '도전성 패드'가 패드 콘택홀 내벽에 콘포말하게 형성되어 기판과 접속된다는 사실을 알 수 있다.
- 상기 패드 콘택홀의 내벽에 콘포말하게 형성되어 상기 반도체 기판에 전기적으로 접속된 도전성 패드
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 직접적인 답변으로 '도전성 패드'를 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 구성 요소 명칭인 '도전성 패드'로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
도전성 패드
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 패드 콘택홀 내벽에 콘포말하게 형성된 도전성 패드를 통해 반도체 기판과 전기적 접속을 형성하는 반도체 소자의 배선 구조에 관한 것이다.