발광장치 및 그 제조방법 document_id 1020020084828

[청구항 1] 절연표면 위에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 위에 형성된 유기재료로 이루어진 제 2 절연막과, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막에 형성된 콘택홀과, 상기 제 2 절연막 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 3 절연막과, 상기 제 3 절연막 위에 형성된 제 1 전극, 유기 화합물층 및 제 2 전극으로 이루어진 발광소자와, 상기 콘택홀에 형성된 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 제 2 절연막의 일부분과 상기 제 3 절연막의 일부분 위로 연장되고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 배선을 통해 상기 제 1 전극과 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 발광장치 [청구항 2] 절연표면 위에 형성된 박막 트랜지스터와, 상기 박막 트랜지스터 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 위에 형성된 유기재료로 이루어진 제 2 절연막과, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막에 형성된 콘택홀과, 상기 제 2 절연막 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 3 절연막과, 상기 제 3 절연막 위에 형성된 제 1 전극, 유기 화합물층 및 제 2 전극으로 이루어진 발광소자와, 상기 콘택홀에 형성되어, 상기 박막 트랜지스터의 게이트 절연막, 제 1 절연막 및 제 2 절연막과 접속하는 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 제 2 절연막의 일부분과 상기 제 3 절연막의 일부분 위로 연장되고, 상기 박막 트랜지스터는 상기 배선을 통해 상기 제 1 전극과 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 발광장치 [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 무기재료는 질화산화실리콘막 또는 질화실리콘막이고,상기 무기재료의 실리콘 함유비율이 25.0 atomic% 이상 35.0 atomic% 이하이고, 상기 무기재료의 질소 함유비율이 35.0 atomic%이상이하인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 4] 제 2 항에 있어서,상기 무기재료는 질화산화실리콘막 또는 질화실리콘막이고,상기 무기재료의 실리콘 함유비율이 25.0 atomic% 이상 35.0 atomic% 이하이고, 상기 무기재료의 질소 함유비율이 35.0 atomic%이상이하인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 유기재료는 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드,폴리이미드아미드또는벤조시클로부텐인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 6] 제 2 항에 있어서,상기 유기재료는 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드,폴리이미드아미드또는벤조시클로부텐인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 발광장치는, 표시장치, 디지털 스틸 카메라, 노트북 컴퓨터, 모바일 컴퓨터, 기록매체를 구비한 휴대형 화상재생장치, 고글형 디스플레이, 비디오 카메라, 휴대전화로부터 선택된일종인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 8] 제 2 항에 있어서,상기 발광장치는, 표시장치, 디지털 스틸 카메라, 노트북 컴퓨터, 모바일 컴퓨터, 기록매체를 구비한 휴대형 화상재생장치, 고글형 디스플레이, 비디오 카메라, 휴대전화로부터 선택된일종인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 21] 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 위에 형성된 유기재료로 이루어진 제 2 절연막과, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막에 형성된 콘택홀과, 상기 제 2 절연막 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 3 절연막과, 상기 제 3 절연막 위에 형성되고 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극으로 이루어진 발광소자와, 상기 콘택홀에 형성된 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 제 2 절연막의 일부분과 상기 제 3 절연막의 일부분 위로 연장되고, 상기 스위칭 소자는 상기 배선을 통해 상기 제 1 전극과 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 발광장치 [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 스위칭 소자는기판위형성되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 23] 트랜지스터와, 상기 트랜지스터 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 위에 형성된 유기재료로 이루어진 제 2 절연막과, 상기 트랜지스터의 게이트 절연막, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막에 형성된 콘택홀과, 상기 제 2 절연막 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 3 절연막과, 상기 제 3 절연막 위에 형성된 제 1 전극, 발광층 및 제 2 전극으로 이루어진 발광소자와, 상기 콘택홀에 형성되고, 상기 콘택홀에서 상기 트랜지스터의 게이트 절연막, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막과 접하는 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 제 2 절연막의 일부분과 상기 제 3 절연막의 일부분 위로 연장되고, 상기 트랜지스터는 상기 배선을 통해 상기 제 1 전극과 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 발광장치 [청구항 24] 제 23 항에 있어서,상기 트랜지스터는박막 트랜지스터인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 25] 제 21 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 발광층은유기 화합물로이루어진것을특징으로 하는발광장치. [청구항 26] 제 21 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 무기재료는 질화산화실리콘막 또는 질화실리콘막이고,상기 무기재료의 실리콘 함유비율이 25.0 atomic% 이상 35.0 atomic% 이하이고, 상기 무기재료의 질소 함유비율이 35.0 atomic%이상이하인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 27] 제 21 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 유기재료는 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리이미드아미드 및 벤조시클로부텐으로 이루어진그룹선택되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 28] 제 21 항 또는 제 23 항에 있어서,상기 발광장치는, 표시장치, 디지털 스틸 카메라, 노트북 컴퓨터, 모바일 컴퓨터, 기록매체를 구비한 휴대형 화상재생장치, 고글형 디스플레이, 비디오 카메라, 및 휴대전화로 이루어진 그룹으로부터 선택된일종인것을특징으로 하는발광장치. [청구항 29] 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 1 절연막과, 상기 제 1 절연막 위에 형성된 유기재료로 이루어진 제 2 절연막과, 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막에 형성된 콘택홀과, 상기 제 2 절연막 위에 형성된 무기재료로 이루어진 제 3 절연막과, 발광소자의 제 1 전극과, 상기 콘택홀에 형성된 배선을 구비하고, 상기 배선은 상기 제 2 절연막의 일부분과 상기 제 3 절연막의 일부분 위로 연장되고, 상기 스위칭 소자는 상기 배선을 통해 상기 제 1 전극과 전기적으로 접속된 것을 특징으로 하는 디바이스 [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 스위칭 소자는기판위형성되는것을특징으로 하는디바이스. [청구항 31] 제 29 항에 있어서,상기 무기재료는 질화산화실리콘막 또는 질화실리콘막이고,상기 무기재료의 실리콘 함유비율이 25.0 atomic% 이상 35.0 atomic% 이하이고, 상기 무기재료의 질소 함유비율이 35.0 atomic%이상이하인것을특징으로 하는디바이스. [청구항 32] 제 29 항에 있어서,상기 유기재료는 아크릴, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리이미드아미드 및 벤조시클로부텐으로 이루어진그룹선택되는것을특징으로 하는디바이스. [청구항 33] 제 21항 또는 제 23 항에 있어서,상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 상기 배선 위에 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층은 상기 제 3 절연막으로 덮이지 않은상기제2절연막의일부접속되는것을특징으로 하는발광장치. [청구항 34] 제 29 항에 있어서,상기 제 1 전극의 가장자리를 덮는 상기 배선 위에 형성된 절연층을 더 포함하고, 상기 절연층은 상기 제 3 절연막으로 덮이지 않은상기제2절연막의일부접속되는것을특징으로 하는디바이스.