문맥 (context)
[청구항 2]
제 1항에 있어서,상기 반도체층 위에 설치되고, 상기 베이스층 및 상기 에미터층에 접하는 콘택부를 갖는 에미터 전극과,상기 반도체층 위에 설치되고, 상기 콘택부의 양측에 설치된 게이트 전극을 구비하고,상기 콘택부의 종단부는, 상기 에미터층에 의해 둘러싸여 설치된상기베이스층의제1노출부있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 3]
제 2항에 있어서,상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것에 의해, 상기 콘택부의 상기 종단부의 양측에 설치된 상기 게이트 전극 바로 아래의 상기 베이스층에채널영역설치된것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 4]
제 3항에 있어서,상기 콘택부의 상기 종단부는, 상기 대들보부의 종단부에 설치된상기비계부있는것을특징으로 하는반도체장치.
[청구항 5]
제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,보부와 상기 비계부에 의해 둘러싸여 구성된 상기 베이스층의 제 2 노출부를 구비하고,상기 제 1 노출부의 상기 대들보부를 따른 길이는, 상기 제 2 노출부의 상기 대들보부를 따른 길이보다도 긴 것특징으로 하는반도체장치.
[청구항 6]
제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 노출부를 둘러싸는 상기 에미터층의 농도는, 상기 에미터층의 그 이외의 부분의 농도보다 낮은 것특징으로 하는반도체장치.
[청구항 7]
제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 노출부를 둘러싸는 상기 대들보부의 폭은, 상기 제 2 노출부를 둘러싸는 상기 대들보부의 폭보다 좁은 것특징으로 하는반도체장치.
[청구항 8]
제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 노출부를 둘러싸는 상기 비계부의 폭은, 상기 에미터층에서의 다른 상기 비계부의 폭보다 좁은 것특징으로 하는반도체장치.
[청구항 9]
제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 베이스층의 상기 제 1 노출부의 농도는, 상기 베이스층의 상기 제 2 노출부의 농도보다도 진한 것특징으로 하는반도체장치.
[청구항 10]
제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 반도체층 위에 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막을 구비하고, 상기 제 1 노출부를 형성하는 상기 대들보부와 상기 반도체층 사이에 설치된 상기 베이스층 위의 상기 게이트 절연막의 두께는, 상기 제 2 노출부를 둘러싸는 상기 대들보부와 상기 반도체층 사이에 설치된 상기 베이스층 위의 상기 게이트 절연막의 두께보다도 두꺼운 것특징으로 하는반도체장치.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체장치에서 에미터 전극의 콘택부 종단부 양측에 설치된 게이트 전극 바로 아래의 베이스층에 채널영역이 설치되기 위해 필요한 조건은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation에미터 전극 콘택부 종단부 양측 게이트 전극 아래 베이스층에 채널영역이 설치되기 위한 조건을 찾는 것이다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 3에서 게이트 전극 아래 베이스층에 채널영역이 설치되는 상황과 그 원인을 설명하는 문구를 추출한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것에 의해, 상기 콘택부의 상기 종단부의 양측에 설치된 상기 게이트 전극 바로 아래의 상기 베이스층에채널영역설치된것을특징으로 하는반도체장치
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3근거 선택
evidence_selection채널영역 설치의 직접적인 조건인 전극들의 전위 설정에 관한 구절을 선택한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것
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4논리 통합
logical_integration에미터 전극, 게이트 전극, 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 설정하는 행위가 채널영역 설치의 조건임을 연결한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것에 의해
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 대한 답변으로 에미터 전극, 게이트 전극, 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것을 도출한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것
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6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 조건을 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
- 상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것
최종 답변 (final_answer)
상기 에미터 전극과 상기 게이트 전극과 상기 콜렉터 전극을 각각 소정 전위로 하는 것이다.
핵심 해석 (core_interpretation)
반도체장치에서 에미터, 게이트, 콜렉터 전극에 각각 적절한 전위를 인가함으로써 게이트 전극 하부의 베이스층에 채널영역이 형성되도록 하는 기술적 조건을 정의하고 있다.