배리어층을 갖는 집적회로와 그 제조방법 document_id 1020027004045

[청구항 1] 금속 옥사이드 물질의 유전성 박막(128, 328, 428, 528, 711, 764, 908); 상기 유전성 박막쪽으로 수소의 확산을 억제시키도록 위치되며, 탄탈 펜트옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 텅스텐 옥사이드 및 티타늄 옥사이드를 포함하는 그룹으로부터 선택된 옥사이드를 포함하는 수소 확산 배리어층(132, 332, 432, 532, 720, 750, 770, 912) 을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로(100, 200, 300, 400, 500, 700, 740, 900) [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층은 ta2o5, wo3, al2o3, 및 tio2를 포함하는 그룹으로부터 선택되는금속옥사이드포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층nan은포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 4] 제 1 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층의 부분nan은상기유전성박막의부분바로위위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층의 부분은 상기 유전성 박막으로부터측면위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 유전성 박막은 측면 부분을 가지며 상기 수소 확산 배리어층은상기측면부분커버하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 유전성 박막nan은강유전성물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 abo3-형페로브스키트포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 9] 제 7 항에 있어서,상기 강유전성 물질nan은적층초격자물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 10] 제 9 항에 있어서,상기 적층 초격자 물질은 스트론튬, 비스무스및탄탈포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 11] 제 9 항에 있어서,상기 적층 초격자 물질은 화학양론식 srabib(tacnbd)o[9+(a-1)+(b-2)(1.5)]에 상응하는 상대적인 몰 비율의 스트론튬, 비스무스, 탄탈 및 비오브를 포함하며,여기인것을특징으로 하는집적회로. [청구항 12] 제 11 항에 있어서,것을특징으로 하는집적회로. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,것을특징으로 하는집적회로. [청구항 14] 제 1 항에 있어서,상기 유전성 박막은 비강유전성, 고-유전상수물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 15] 제 14 항에 있어서,상기 유전성 박막nan은적층초격자물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 16] 제 1 항에 있어서,하부 전극 및 상부 전극을 더 포함하며, 상기 유전성 박막은 상기 하부 전극과 상부 전극간에 위치되며, 상기 수소 확산 배리어층은상부 전극바로위위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 17] 제 16 항에 있어서,하부 확산 배리어층을 더 포함하며, 상기 하부 확산 배리어층은상기하부 전극하부배치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 18] 제 17 항에 있어서,상기 하부 확산 배리어층nan은금속옥사이드포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 하부 확산 배리어층nan은포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,상기 하부 확산 배리어층은 탄탈 펜트옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 텅스텐 옥사이드 및 티타늄 옥사이드를 포함하는 그룹으로부터 선택되는옥사이드포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 21] 제 1 항에 있어서,세미컨덕터, 상기 세미컨덕터 기판에 채널 영역, 및 게이트 전극을 더 포함하며, 상기 유전성 박막은 강유전성 물질을 포함하며, 상기 채널 영역 바로 위에 위치되고, 상기 게이트 전극은상기유전성박막위위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 유전성 박막은 강유전성 fet메모리포함되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층은 ta2o5, wo3, al2o3, 및 tio2를 포함하는 그룹으로부터 선택된금속옥사이드포함하는것을특지으로 하는집적회로. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층nan은포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 25] 제 21 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층의 부분nan은상기유전성박막의적어도일부분바로위위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 26] 제 21 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층의 부분은 상기 유전성 박막으로부터측면위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 27] 제 21 항에 있어서,상기 유전성 박막은 측면 부분을 커버하고 상기 수소 확산 배리어층은상기측면부분커버하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 28] 제 21 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 abo3-형페로브스키트포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 29] 제 21 항에 있어서,상기 강유전성 물질nan은적층초격자물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 30] 제 29 항에 있어서,상기 적층 초격자 물질은 스트론튬, 비스무스및탄탈포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 31] 제 30 항에 있어서,상기 적층 초격자 물질은 화학양론식 srabib(tacnbd)o[9+(a-1)+(b-2)(1.5)]에 상응하는 상대적인 몰 비율의 스트론튬, 비스무스, 탄탈 및 니오브를 포함하며,여기인것을특징으로 하는집적회로. [청구항 32] 제 21 항에 있어서,상기 세미컨덕터 기판에 도핑 영역을 더 포함하며, 상기 수소 확산 배리어층은상기도핑 영역바로위않는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 33] 제 21 항에 있어서,상기 유전성 박막과 상기 채널 영역간에 위치되는게이트 절연층더포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 34] 제 33 항에 있어서,상기 게이트 절연층은 탄탈 펜트옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 텅스텐 옥사이드 및 티타늄 옥사이드를 포함하는 그룹으로부터 선택되는옥사이드포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 35] 환원 공정에 노출될 때 개선되는 전기적 특성을 갖는 제 1 전자 엘리먼트 환원 공정에 노출될 때 저하되는 전기적 특성을 갖는 제 2 전자 엘리먼트 상기 환원 공정으로부터 보호하도록 상기 제 2 엘리먼트를 완전히 뒤덮으며 상기 환원 공정에 노출되는 상기 제 1 엘리먼트를 남겨놓는 비-전도성 배리어층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 [청구항 37] 제 35 항에 있어서,상기 제 2 전자 엘리먼트는캐패시터인것을특징으로 하는집적회로. [청구항 38] 제 37 항에 있어서,상기 집적회로는 유전층과, 상기 유전층을 뒤덮는 상부 전극을 구비하는 복수의 캐패시터를 포함하며, 상기 상부 전극은 상기 복수의 캐패시터에 공통인 단일, 연속의 공통 전도층에 의해형성되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 39] 제 38 항에 있어서,각각의 상기 캐패시터에서 상기 유전층은 상기 복수의 캐패시터에 공통인 단일, 연속의 유전층에 의해형성되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 40] 제 38 항에 있어서,상기 제 1 전자 엘리먼트는 트랜지스터이되, 복수의 트랜지스터이며, 각각의 상기 트랜지스터들은 복수의 캐패시터중 하나와 연관되며, 각각의 상기 캐패시터는 그 연관 트랜지스터로부터 측면으로 대치되어상기트랜지스터바로위위치되지않는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 41] 제 37 항에 있어서,상기 제 1 전자 엘리먼트는 트랜지스터이며 상기 캐패시터는 상기 트랜지스터로부터 측면으로 대치되어상기트랜지스터의임의의부분바로위위치되지않는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 42] 제 37 항에 있어서,상기 캐패시터는 측면 부분을 가지며 상기 비-전도성 환원 공정 배리어층은상기측면부분의측면더위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 43] 제 35 항에 있어서,상기 배리어층은 탄탈 펜트옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 텅스텐 옥사이드 및 티타늄 옥사이드를 포함하는 그룹으로부터 선택된옥사이드포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 44] 제 35 항에 있어서,상기 제 2 전자 엘리먼트는강유전성물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 45] 제 44 항에 있어서,상기 강유전성 물질은 abo3-형페로브스키트포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 46] 제 44 항에 있어서,상기 강유전성 물질nan은적층초격자물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 47] 제 46 항에 있어서,상기 적층 초격자 물질을 스트론튬, 비스무스및탄탈포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 48] 제 46 항에 있어서,상기 적층 초격자 물질은 화학양론식 srabib(tacnbd)o[9+(a-1)+(b-2)(1.5)]에 상응하는 상대적인 몰 비율의 스트론튬, 비스무스, 탄탈 및 니오브를 포함하며,여기인것을특징으로 하는집적회로. [청구항 49] 제 48 항에 있어서,것을특징으로 하는집적회로. [청구항 50] 제 48 항에 있어서,것을특징으로 하는집적회로. [청구항 51] 제 35 항에 있어서,상기 제 2 전자 엘리먼트는 비강유전성, 고-유전상수물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 52] 제 51 항에 있어서,상기 비강유전성, 고-유전상수 물질은 적층 초격자 물질과 abo3-형 페로브스키트 물질를 포함하는 그룹으로부터 선택된물질포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 53] 하부 전극; 공통 플레이트 상부 전극; 상기 하부 전극과 공통 플레이트 상부 전극간에 배치되는 유전성 박막; 및 상기 유전성 박막을 완전히 뒤덮는 수소 확산 배리어층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 [청구항 54] 제 53 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층은 상기 유전성 박막으로부터측면더위치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 55] 제 53 항에 있어서,상기 하부 전극 하에 배치되는하부확산 배리어층더포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 56] 제 53 항에 있어서,복수의 하부 전극을 더 포함하며, 상기 유전성 박막은상기하부 전극과공통플레이트상부 전극간배치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,상기 유전성 박막은 상기 하부 전극중 하나와 공통 플레이트 상부 전극간에 위치되는 복수의 캐패시터 부분을 가지며, 상기 수소 확산 배리어층은각각의상기캐패시터부분완전히뒤덮는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 58] 제 57 항에 있어서,상기 수소 확산 배리어층은 각각의 상기 캐패시터 부분위에서연속적인것을특징으로 하는집적회로. [청구항 59] 제 58 항에 있어서,복수의 하부 확산 배리어층을 더 포함하며, 상기 하부 확산 배리어층은상기하부 전극하배치되는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 60] 하부 전극; 상부 전극; 상기 하부 전극과 상부 전극간에 배치되는 유전성 박막; 및 상기 유전성 박막의 하부를 형성하며, 탄탈 펜트옥사이드, 알루미늄 옥사이드, 텅스텐 옥사이드, 티타늄 옥사이드 및 이리듐 옥사이드를 포함하는 그룹으로부터 선택된 옥사이드를 포함하는 확산 배리어층 을 포함하는 것을 특징으로 하는 집적회로 [청구항 61] 제 60 항에 있어서,상기 확산 배리어층은 ta2o5, wo3, al2o3, tio2, 및 iro2를 포함하는 그룹으로부터 선택된금속옥사이드포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 62] 제 60 항에 있어서,상기 확산 배리어층nan은포함하는것을특징으로 하는집적회로. [청구항 63] 제 60 항에 있어서,상기 확산 배리어층nan은상기하부 전극의하부형성되는것을특징으로 하는집적회로.