플라스마의 용적을 제어하는 방법 및 장치 document_id 1020027006164

[청구항 2] 제1항에 있어서,상기 제1자장의 일부는 상기 제2자장의 일부와 조합되며, 상기 조합은 상기 플라즈마 제한 자장을 발생시키고, 상기 플라즈마 제한 자장은 상기 플라즈마가 플라즈마 제한 자장을 통과하는 것을 방지하는데 효과적인 자장 강도갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 3] 제1항에 있어서,상기 제1자장과 제2자장에 의해 발생된 상기 플라즈마 제한 자장은 50 내지 100 가우스 범위의 조합된 자속갖는플라즈마 처리 장치. [청구항 4] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 제한 장치는 상기 기판이 상기 처리를 위해 상기 처리 챔버 내에 배치될 때 기판의 표면 근방에 자장발생시키지 않는플라즈마 처리 장치. [청구항 5] 제1항에 있어서,상기 제1자기 요소는 상기 처리 챔버의 축을 따라 간격을 두고 옵셋되고, 상기 제2자기 요소는 상기 처리 챔버의 축을 따라 간격셋되는플라즈마 처리 장치. [청구항 6] 제1항에 있어서,상기 복수의 제1자기 요소 중 제1자기 요소의 전체 숫자는 각 제1자기 요소가 대응하는 제2자기 요소를 갖도록 상기 다수의 제2자기 요소 중 제2자기 요소의 전체 숫자동일한플라즈마 처리 장치. [청구항 7] 제6항에 있어서,상기 제1자기 요소의 첨단은 대응하는 상기 제2자기 요소의 첨단과 축방향정렬되는플라즈마 처리 장치. [청구항 8] 제7항에 있어서,상기 제1자기 요소의 자기화 벡터는 대응하는 상기 제2자기 요소와 동일한 반경방향으로 향하는플라즈마 처리 장치. [청구항 9] 제8항에 있어서,상기 제1자기 요소의 자기화 벡터의 방향은 상기 처리 챔버의 축 둘레교차하는플라즈마 처리 장치. [청구항 10] 제1항에 있어서,상기 제1자기 요소와 제2자기 요소는 영구자석인플라즈마 처리 장치. [청구항 11] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 제한 장치는 다수의 자속 플레이트를 추가로 포함하고, 상기 자속 플레이트는 상기 제1자기 요소와 상기 제2자기 요소에 의해 발생된 표유(stray)자장제어하도록구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 12] 제11항에 있어서,상기 다수의 자속 플레이트는 상기 외부 자기 버킷의 외주부 둘레에 연속적으로 배치된 제1자속 플레이트를 포함하고, 상기 제1자속 플레이트는 상기 제1자기 요소인접한플라즈마 처리 장치. [청구항 13] 제12항에 있어서,상기 복수의 자속 플레이트는 상기 내부 자기 버킷의 일부 둘레에 배치된 제2자속 플레이트를 포함하고, 상기 제2자속 플레이트는 상기 기판이 처리 동안 상기 처리 챔버 내측에 배치될 때 상기 기판으로부터 멀어지는 방향으로상기표유자장의방향변경시키도록구성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 14] 제13항에 있어서,상기 제2자속 플레이트는 상기 내부 자기 버킷의 내부 및 상부 주변부 둘레에 연속적으로 배치되고, 상기 제2자속 플레이트는 상기 제2자기 요소인접한플라즈마 처리 장치. [청구항 15] 제11항에 있어서,상기 다수의 자속 플레이트는 높은 투자율을 갖는 재료형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 16] 제15항에 있어서,상기 다수의 자속 플레이트는 냉간 압연강형성되는플라즈마 처리 장치. [청구항 17] 제1항에 있어서,상기 처리 챔버 내측에 배치된 플라즈마 스크린 장치를 더 구비하며, 상기 플라즈마 스크린 장치는 플라즈마 스크린 및 플라즈마 스크린 지지부를 포함하고, 상기 플라즈마 스크린 지지부는 상기 처리 챔버에 부착되며, 상기 플라즈마 스크린은 상기 플라즈마 스크린 지지부접합되는플라즈마 처리 장치. [청구항 18] 제1항에 있어서,상기 플라즈마 처리 장치는 상기 원통형 처리 챔버의 내주부 내측에 배치된 원통형의 하우징을 추가로 포함하고, 상기 원통형의 하우징은 상기 원통형의 처리 챔버의 내경보다 작은 외경을 가지며, 상기 원통형의 하우징은 상기 원통형의 처리 챔버와 축방향으로 정렬되고, 상기 원통형의 처리 챔버의 내주부와 상기 원통형의 하우징의 외주부는 그 사이에 환형 간극을 형성하며, 상기 환형 간극은 원통형대칭되는플라즈마 처리 장치. [청구항 19] 제18항에 있어서,상기 기판은 상기 원통형의 하우징 상부배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 20] 제19항에 있어서,상기 내부 자기 버킷은 상기 원통형의 하우징 내측배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 21] 제20항에 있어서,상기 플라즈마 제한 자장은 상기 기판이 상기 처리를 위해 상기 처리 챔버 내에 배치될 때 상기 기판 아래배치되는플라즈마 처리 장치. [청구항 22] 제21항에 있어서,상기 원통형의 하우징은 처리 중에 기판을 유지하는 척 장치대표하는플라즈마 처리 장치. [청구항 23] 제18항에 있어서,상기 처리 챔버 내측에 배치된 플라즈마 스크린 장치를 더 구비하며, 상기 플라즈마 스크린 장치는 플라즈마 스크린과 플라즈마 스크린 지지부를 포함하고, 상기 플라즈마 스크린 지지부는 상기 하우징에 부착되고, 상기 플라즈마 스크린은 상기 플라즈마 스크린 지지부접합되는플라즈마 처리 장치. [청구항 32] 제26항에 있어서,상기 다수의 제1자기 요소 각각nan은상기다수의제2자기요소각각대응하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 대응하는 각각의 제1자기 요소 및 제2자기요소들은 축방향으로 정렬되고, 상기 대응하는 각각의 제1자기 요소 및 제2자기 요소들의 자기화 벡터는 동일한방향배향되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 34] 제26항에 있어서,상기 다수의 제1자기 요소는 상기 처리 챔버의 외측에 위치하고, 상기 다수의 제2자기 요소는상기처리챔버의내측위치하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 35] 제25항에 있어서,상기 자장의 적어도 일부분은, 상기 제1자기 버킷과 상기 제2자기 버킷 사이에 합성 자장을 발생시키기 위해 조합하도록 구성되며, 상기 합성 자장은, 적어도 상기 합성 자장에 의해서 형성된 용적 내에 상기 플라즈마를 제한하면서 상기 처리로부터의 부산물 가스가 통과될 수구성되는것을특징으로 하는플라즈마 제한 장치. [청구항 36] 제25항에 있어서,상기 기판의 상부면에 의해 형성된 상기 평면 아래에 상기 자장을 발생시키도록, 상기 기판의 상부면에 의해 형성된 평면 아래에상기제1자기요소와상기제2자기요소의적어도일부배치되는것을특징으로 하는플라즈마 제한 장치. [청구항 37] 제25항에 있어서,상기 다수의 제1자기 요소 각각은 상기 다수의 제2자기 요소 각각에 대응하고, 상기 대응하는 각각의 제1자기 요소 및 제2자기 요소는 축방향으로 정렬되며, 상기 대응하는 각각의 제1자기 요소 및 제2자기 요소의 자기화 벡터는 동일한방향배향되는것을특징으로 하는플라즈마 제한 장치. [청구항 38] 제25항에 있어서,상기 다수의 제1자기 요소는 상기 처리 챔버의 외측에 위치하고, 상기 다수의 제2자기 요소는상기처리챔버의내측위치하는것을특징으로 하는플라즈마 제한 장치. [청구항 39] 제25항에 있어서,다수의 자속 플레이트를 추가로 포함하며, 상기 자속 플레이트는 상기 제1자기 요소 및 상기 제2자기 요소 중 하나 또는 모두에 의해서 발생된 상기 자장을 조절하도록형성된것을특징으로 하는플라즈마 제한 장치. [청구항 40] 제25항에 있어서,상기 다수의 제1자기 요소 및 상기 다수의 제2자기 요소는 상기 처리 챔버의 축 둘레에 배치되고, 상기 다수의 제2자기 요소는 상기 다수의 제1자기 요소보다는상기처리챔버의상기축배치되는것을특징으로 하는플라즈마 제한 장치. [청구항 41] 제27항에 있어서,상기 기판이 처리를 위해 상기 처리 챔버의 내측에 배치될 때, 상기 자속 플레이트는, 상기 자장의 상기 일부분을 상기 기판으로부터 차단하거나 상기 기판으로부터 멀어지도록 방향을 변경시키도록구성되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 42] 제27항에 있어서,상기 처리 챔버 내측에 위치된 기판 홀더를 더 포함하고, 상기 기판 홀더는 상기 처리동안에 상기 기판을 수용하도록 구성된면구비하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 43] 제42항에 있어서,상기 자기 배열 및 상기 자속 플레이트는,상기기판 홀더의외주부내위치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 44] 제43항에 있어서,상기 기판이 상기 기판 홀더의 상기 면에 의해 수용될 때, 상기 자속 플레이트는, 상기 기판으로부터 멀어지도록 상기 자장의 상기 일부분을 차단하거나 방향을 변경시키도록상기자기배열과상기기판 홀더의상기면사이배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 45] 제27항에 있어서,상기 처리 챔버의 외측에 배치되고 상기 처리 챔버의 내측에 상기 플라즈마를 제한하기에 충분히 강한 제2자장을 발생시키도록 구성된 제2자기 배열; 및상기 처리 챔버의 외측에 배치되고 상기 제2자기 배열의 일부를 둘러싸는 제2자속 플레이트를 추가로 포함하며, 상기 제2자속 플레이트는, 상기 제2자속 플레이트에 의해서 둘러싸인 상기 제2자기 배열의 상기 일부에 형성된 상기 제2자장의 일부분를 차단하거나 그 방향을 변경시키도록구성된것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 46] 제45항에 있어서,상기 자속 플레이트는, 상기 제2자기 배열을 지향하는 방향으로 상기 자장의 상기 일부분을 차단하거나 방향 변경시키도록 구성되며, 상기 제2자속 플레이트는, 상기 제1자기 배열을 지향하는 방향으로 상기 제2자장의 상기 일부분을 차단하거나 그 방향을 변경시키도록구성된것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 47] 제45항에 있어서,상기 자기 배열은, 상기 처리 챔버의 축 둘레에 배치된 다수의 자기 요소를 포함하고, 상기 제2자기 배열은, 상기 처리 챔버의 축 둘레에 배치된다수의제2자기요소포함하는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치. [청구항 48] 제47항에 있어서,상기 자속 플레이트는, 상기 자기 배열의 내주부 및 상부 주변부에 연속적으로 배치되고, 상기 제2자속 플레이트는, 상기 제2자기 배열의 외주부 둘레에연속적배치되는것을특징으로 하는플라즈마 처리 장치.