티탄실리콘나이트라이드막의 성막방법,티탄실리콘나이트라이드막으로 이루어진 확산방지막,반도체장치 및 그 제조방법, 및티탄실리콘나이트라이드막의 성막장치 document_id 1020027007343

[청구항 17] 제16항에 있어서,상기tisin을 포함하는막포함하고있는것을특징으로 하는확산방지막. [청구항 18] 제16항에 있어서,상기tisin을 포함하는막포함하고있는것을특징으로 하는확산방지막. [청구항 19] 제16항에 있어서,상기tisin을 포함하는 막이, 산소의 확산을 방지하는막인것을특징으로 하는확산방지막. [청구항 20] 제16항에 있어서,상기tisin을 포함하는 막은, si층과 cu층사이배치되어있는것을특징으로 하는확산방지막. [청구항 24] 제23항에 있어서,상기 상부 전극층 및 하부 전극층중 적어도 한쪽nan은이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 25] 제23항 또는 제24항에 있어서,상기 상부 전극층이, 플라즈마 cvd 또는 열cvd에 의해 성막된막으로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 26] 제23항에 있어서,상기 상부 전극층상에 플라즈마 cvd 또는 열cvd에 의해 성막된 tisin을 포함하는 막으로 이루어진배리어층더갖춘것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 28] 제21항 내지 제27항중 어느 한 항에 있어서,상기 고유전율 재료는, (ba, sr)tio3, pb(zr, ti)o3, ta2o5 및 ruo로 이루어진 군으로부터 선택된하나재료로이루어진것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 29] 배선층과, 상기 배선층과 반도체기판 또는 그 상부에 형성된 확산층을 접속하는 매립 배선부, 상기 매립 배선부와 반도체기판 또는 그 상부에 형성된 확산층 사이에 형성됨과 더불어 플라즈마 cvd 또는 열cvd에 의해 성막된 tisin을 포함하는 막으로 이루어진 배리어층을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치 [청구항 30] 반도체기판과, 상기 반도체기판의 주면상에 절연층을 매개로 형성됨과 더불어, 배선층이 접속된 게이트 전극을 갖추고, 상기 게이트 전극은 플라즈마 cvd 또는 열cvd에 의해 성막된 tisin을 포함하는 막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체장치 [청구항 31] 제30항에 있어서,상기 게이트 전극은, 플라즈마 cvd 또는 열cvd에 의해 성막된 tisin을 포함하는 막으로 이루어진 하층과, 상기 하층상에 형성된 w로 이루어진상층구비한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 32] 제30항에 있어서,상기 게이트 전극은, 상기 반도체기판상에 형성됨과 더불어, (ba, sr)tio3, pb(zr, ti)o3, ta2o5, ruo로 이루어진 군으로부터 선택된 하나의 재료로 이루어진 절연층과,상기 절연층상에 형성된 tisin막으로 이루어진 배리어층 및,상기 배리어층상에 형성된도전층구비한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 33] 제32항에 있어서,상기 반도체기판과 상기 절연층 사이에 sioxny막으로 이루어진층더구비한것을특징으로 하는반도체장치. [청구항 37] 반도체기판상에 형성된 배선층상에 tisin막으로 이루어진 배리어층을 형성하는 단계와, 상기 배리어층상에 하부 전극층을 형성하는 단계, 상기 하부 전극층상에 고유전율 재료로 이루어진 절연층을 형성하는 단계 및, 상기 절연층상에 플라즈마 cvd 또는 열cvd에 의해 tisin을 포함하는 막으로 이루어진 상부 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 캐패시터부를 형성하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체장치의 제조방 [청구항 43] 피처리기판을 수용하는 챔버와, 상기 챔버내에서 상기 피처리기판을 지지하는 지지부재, 상기 챔버내에 성막가스를 도입하는 성막가스 도입기구 및, 상기 지지부재에 지지된 상기 피처리기판을 가열하는 가열기구를 구비하고, 상기 성막가스 도입기구는 ti함유 가스, si함유 가스 및 n함유 가스의 공급원을 갖추며, 상기 가열기구에 의해 가열된 피처리기판상에서 열cvd에 의해 기판상에 tisin을 포함하는 막을 형성하는 것을 특징으로 하는 성막장치