반도체 구조 document_id 1020027010314

[청구항 1] 단결정 산화물 재료, 및 상기 단결정 산화물 재료 위에 놓이게 형성된 제 1 타입의 단결정 화합물 반도체 재료를 포함하는, 반도체 구조 [청구항 2] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료 및 상기 제 1 타입의 단결정 화합물 반도체 재료 이에 형성된 템플레이트 층더 포함하는,반도체 구조. [청구항 3] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료 및 상기 제 1 타입의 단결정 화합물 반도체 재료 사이에 형성된 제 2 타입의 단결정 반도체 재료의 버퍼층더 포함하는,반도체 구조. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료 및 상기 제 2 타입의 단결정 반도체 재료의 버퍼층 사이에 형성된 템플레이트 층더 포함하는,반도체 구조. [청구항 5] 제 3 항에 있어서,상기 버퍼층은 게르마늄, gaasxp1-x 초격자, inyga1-yp 초격자, 및 ingaas 초격자로 구성된 그룹으로부터 선택된 단결정 반도체 재료포함하는,반도체 구조. [청구항 6] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료는 알카리 토금속 티타네이트들, 알카리 토금속 지르코네이트들, 알카리 토금속 하프네이트들, 알카리 토금속 탄탈레이트들, 알카리 토금속 루데네이트들, 알카리 토금속 니오베이트들, 알카리 토금속 바나데이트들, 알카리 토금속 주석 베이스의 페로브스카이트들, 란타늄 알루미네이트, 란타늄 스칸디움 산화물 및 가돌리윰 산화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 산화물포함하는,반도체 구조. [청구항 7] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료는 srzba1-ztio3를 포함하고, 여기서 z는 0 내지1 범위에 있는,반도체 구조. [청구항 8] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료는 페로브스카이트 산화물포함하는,반도체 구조. [청구항 9] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 화합물 반도체 재료는 ⅲ-ⅴ 화합물들, 혼합된 ⅲ-ⅴ 화합물들, ⅱ-ⅵ 화합물들, 및 혼합된 ⅱ-ⅵ 화합물들로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,반도체 구조. [청구항 10] 제 1 항에 있어서,상기 단결정 화합물 반도체 재료는 gaas, algaas, inp, ingaas, ingap, znse, alinas, cds, cdhgte, 및 znses로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,반도체 구조. [청구항 11] 제 1 특성을 가진 단결정 산화물 재료, 및 상기 단결정 산화물 재료상에 성장된 제 2 특정을 가진 단결정 화합물 반도체 재료를 포함하며 상기 제 1 및 제 2 특성들은 하기 그룹 즉, 상기 제 1 및 제 2 특성들은 격자 상수들이고, 상기 제 1 및 제 2 특성들은 실질적으로 정합됨, 및 상기 제 1 및 제 2 특성들은 상기 단결정 산화물 재료 및 단결정 화합물 반도체 재료의 결정 방향에 관련된 것이고, 상기 결정 방향들은 서로에 대해 회전됨으로 구성된 그룹으로부터 선택된 방식으로 서로 관련되는, 반도체 구조 [청구항 12] 제 11 항에 있어서,상기 단결정 화합물 반도체 재료는 gaas, algaas, inp, ingaas, ingap, znse, 및 znses로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,반도체 구조. [청구항 13] 제 11 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료는 알카리 토금속 티타네이트들, 알카리 토금속 지르코네이트들, 알카리 토금속 하프네이트들, 알카리 토금속 탄탈레이트들, 알카리 토금속 루데네이트들, 알카리 토금속 니오베이트들, 알카리 토금속 바나데이트들, 알카리 토금속 주석 베이스의 페로브스카이트들, 란타늄 알루미네이트들, 란타늄 스칸디움 산화물 및 가돌리윰 산화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 산화물포함하는,반도체 구조. [청구항 14] 제 11 항에 있어서,상기 단결정 산화물 재료는 srzba1-ztio3를 포함하고, 여기서 z는 0 내지1 범위에 있는,반도체 구조. [청구항 15] 제 11 항에 있어서,상기 결정 방향들은 서로에 대해 45 도 만큼회전되는,반도체 구조. [청구항 16] 제 1 격자 상수를 특징으로 하는 단결정 기판, 상기 단결정 기판 위에 놓이는 상기 제 1 격자 상수와 다른 제 2 격자 상수를 가진 단결정 질화물 층, 및 상기 단결정 질화물 층 위에 놓이는 상기 제 1 및 제 2 격자 상수들과 다른 제 3 격자 상수를 가진 단결정 화합물 반도체 층을 포함하는, 반도체 구조 [청구항 17] 제 16 항에 있어서,상기 단결정 질화물은 갈륨 질화물, 알루미늄 질화물 및 붕소 질화물로 구성된 그룹으로부터 선택된 재료포함하는,반도체 구조. [청구항 18] 실리콘을 포함하고, 제 1 지역 및 제 2 지역을 가진 제 1 단결정 반도체 기판, 상기 제 1 지역 위에 놓이는 실리콘 산화물을 포함하는 중간층, 상기 중간층 위에 놓이는 제 1 단결정 산화물 층, 상기 제 1 단결정 산화물 층 위에 놓이는 제 2 단결정 반도체 층, 상기 제 2 단결정 반도체 층 위에 놓이는 제 2 단결정 산화물 층, 및 상기 제 2 단결정 산화물 층 위에 놓이는 제 3 단결정 반도체 층을 포함하며 상기 제 2 단결정 반도체 층 및 제 3 반도체 층 중 적어도 하나는 화합물 반도체 재료를 포함하는, 반도체 구조 [청구항 19] 제 18 항에 있어서,상기 제 1 단결정 산화물 층 및 제 2 단결정 반도체 층 사이의 템플레이트 층을더 포함하는,반도체 구조. [청구항 20] 제 18 항에 있어서,제 2 지역에 적어도 부분적으로 배치된 액티브 반도체 구성요소더 포함하는,반도체 구조. [청구항 21] 제 20 항에 있어서,상기 제 2 단결정 반도체 층에 적어도 부분적으로 배치된 제 2 반도체 구성요소더 포함하는,반도체 구조. [청구항 22] 제 21 항에 있어서,상기 제 2 단결정 산화물 층은 상기 제 2 반도체 구성요소의 게이트 유전체포함하는,반도체 구조. [청구항 23] 제 21 항에 있어서,상기 액티브 반도체 구성요소 및 제 2 반도체 구성요소 사이에 전기적 상호접속더 포함하는,반도체 구조. [청구항 24] 제 21 항에 있어서,상기 제 2 단결정 반도체 층은 그룹 ⅲ-ⅴ 화합물을 포함하고, 상기 제 2 반도체 구성요소는 무선 주파수 증폭기에서의 구성요소포함하는,반도체 구조. [청구항 25] 단결정 반도체 기판, 상기 단결정 반도체 기판 위에 놓이는 sr z ba 1-z tio 3 를 포함하는 단결정 산화물 층을 포함하고, 여기서 z가 0 내지 1 범위에 있는, 상기 단결정 산화물 층, 및 상기 단결정 반도체 기판 및 단결정 산화물 층 사이에 배치된 비정질 층을 포함하는, 반도체 구조 [청구항 26] 제 25 항에 있어서,상기 단결정 반도체 기판은 그룹 ⅳ 원소포함하는,반도체 구조. [청구항 27] 제 25 항에 있어서,상기 단결정 산화물 층은 20 nm보다 더 큰 두께가지는,반도체 구조. [청구항 28] 제 25 항에 있어서,상기 비정질 층은 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 단결정 산화물 층에서의 스트레인을 경감시키기에 충분한 두께가지는,반도체 구조. [청구항 29] 제 25 항에 있어서,상기 비정질 층은 실리콘 산화물을 포함하고, 1.0 nm 보다 더 큰 두께가지는,반도체 구조. [청구항 30] 제 25 항에 있어서,상기 비정질 층은 실리콘 산화물을 포함하고, 0.5 내지 2.5nm의 두께가지는,반도체 구조.