반도체 장치 및 그 제조 방법 document_id 1020027013037

[청구항 2] 제 1 항에 있어서,적어도 1층 이상의 배선부가 소정 개소를 서로 층간 접속되어 형성됨과 동시에, 최상층의 배선부 혹은 최하층의 배선부에상기외부접속랜드형성되어이루어지는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 3] 제 2 항에 있어서,상기 배선부 내에, 박막 기술 혹은 후막 기술에 의해 성막 소자가 성막 형성되어성막소자내장형배선회로블록체구성하는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 4] 제 3 항에 있어서,상기 성막 소자가, 박막 기술에 의해서 성막 형성된 저항체 및 캐패시터와 후막 기술에 의해서 성막 형성된 인덕터로 이루어지는 수동 소자이며,고주파회로블록체구성하는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 5] 제 1 항에 있어서,상기 배선부 상에, 반도체 칩을 실장함과 동시에 이 반도체 칩을 봉지하는 봉지 수지층이 형성되어반도체장치구성하는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 6] 제 5 항에 있어서,상기 반도체 칩 및 봉지 수지층의 표면이 연마되어박형화되어있는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 7] 제 5 항에 있어서,상기 배선부에, 전극 패턴과, 금속막으로 이루어지는 다수개의 돌기 전극이 형성되고, 상기 봉지 수지층의 표면이 연마되어 상기 각돌기전극과반도체칩노출되어있는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 8] 제 7 항에 있어서,노출된 상기 각 돌기 전극에, 각각 금속 볼단자설치되어있는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 9] 제 5 항에 있어서,상기 배선부의 저면에, 표면 실장형 부품 및/또는 반도체 칩이 실장되는 동시에, 이들을 봉지하는봉지수지층형성되어있는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 10] 제 5 항에 있어서,상기 표면 실장형 부품및/또는 반도체 칩과 봉지 수지층이 연마되어박형화되어있는것을특징으로 하는,회로 블록체. [청구항 27] 제 26 항에 있어서,접속 랜드에 각각 포스트 범프가 형성됨과 동시에, 상기 베이스 기판의 주면에 상기 포스트 범프를 덮어 열가소성 수지재로 이루어지는 접착제층이 형성되어 이루어지고, 상기 회로 블록체가, 상기 베이스 기판의 주면 상에 포개진 상태에서 열 압착됨으로써 상기 각 포스트 범프가 접착제층을 통과하여 상기 접속 랜드와 접속되고, 상기 베이스 기판 상에 접합되어실장되는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 28] 제 26 항에 있어서,적어도 1층 이상의 배선부가 소정 개소를 서로 층간 접속되어 형성됨과 동시에, 최상층의 배선부 혹은 최하층의 배선부에상기외부접속랜드형성되어이루어지는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 29] 제 26 항에 있어서,상기 베이스 기판에, 알루미나, 유리 세라믹 알루미나이트라이드 혹은 뮬라이트로부터 선택된 재료를 기자재로 하는세라믹다층기판사용되는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 30] 제 26 항에 있어서,상기 베이스 기판에, 유리 에폭시, 폴리이미드, 비스말레이트트리아진 수지, 폴리페닐에틸렌 수지, 페놀 수지, 폴리올레핀 수지 혹은 폴리테트라플루오르에틸렌으로부터 선택된 재료를 기자재로 하는유기다층기판사용되는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 31] 제 29 항 또는 제 30 항에 있어서,상기 베이스 기판이, 적어도 한쪽의 주면에, 감광성 혹은 비감광성의 에폭시 수지, 폴리이미드 혹은 벤조사이클로부텐의 유전 수지재층과 금속 도금층에 의해서 고밀도 배선층이 형성된빌드업 기판사용되는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 32] 제 31항에 있어서,상기 회로 블록체가, 상기 빌드업 베이스 기판 상에 고주파 집적 회로 소자 혹은 집적 회로칩과 동시에 실장되고, 상기 빌드업 베이스 기판측으로부터전원혹은신호의공급받는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 33] 제 26 항에 있어서,상기 회로 블록체가, 상기 배선부 내에, 박막 기술 혹은 후막 기술에 의해 성막 소자가 성막 형성되어성막소자내장형배선회로블록체구성하는것을특징으로 하는배선 회로 장치. [청구항 34] 제 26 항에 있어서,상기 성막 소자가, 박막 기술에 의해서 성막 형성된 저항체 및 캐패시터와 후막 기술에 의해서 성막 형성된 인덕터로 이루어지는 수동 소자이고, 상기 회로 블록체가고주파회로블록체구성하는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 35] 제 26 항에 있어서,상기 회로 블록체의 배선부 상에,표면실장형부품혹은칩부품직접실장되어있는것을특징으로 하는,배선 회로 장치. [청구항 50] 제 49 항에 있어서,접속 랜드에 각각 포스트 범프가 형성됨과 동시에, 상기 베이스 기판의 주면에 상기 포스트 범프를 덮어 열가소성 수지재로 이루어지는 접착제층이 형성되어 이루어지고, 상기 회로 블록체가, 상기 베이스 기판의 주면 상에 포개진 상태로 열압착됨으로써 상기 각 포스트 범프가 접착제층을 통과하여상기접속랜드접속되는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 51] 제 49 항에 있어서,적어도 1층 이상의 배선부가 소정 개소를 서로 층간 접속되어 형성됨과 동시에, 상기 반도체 칩이 실장된 최상층의 배선부 혹은 최하층의 배선부에상기외부접속랜드형성되어이루어지는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 52] 제 49 항에 있어서,상기 베이스 기판에, 알루미나, 유리세라믹알루미나이트라이드 혹은 뮬라이트로부터 선택된 재료를 기자재로 하는세라믹다층기판사용되는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 53] 제 49 항에 있어서,상기 베이스 기판에, 유리 에폭시, 폴리이미드, 비스말레이트트리아진 수지, 폴리페닐에틸렌 수지, 페놀 수지, 폴리올레핀 수지 혹은 폴리테트라플루오르에틸렌으로부터 선택된 재료를 기자재로 하는유기다층기판사용되는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 54] 제 52항 또는 제 53 항에 있어서,상기 베이스 기판이, 적어도 한쪽의 주면에, 감광성 혹은 비감광성의 에폭시수지, 폴리이미드 혹은 벤조사이클로부텐의 유전 수지재층과 금속 도금층에 의해서 고밀도 배선층이 형성된빌드업 기판사용되는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 55] 제 49 항에 있어서,상기 반도체 칩 및 봉지 수지층의 표면이 연마되어박형화되어있는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 56] 제 49 항에 있어서,상기 배선부에, 전극 패턴과, 금속막으로 이루어지는 다수개의 돌기 전극이 형성되고, 상기 봉지 수지층의 표면이 연마되어 상기 각돌기전극과반도체칩노출되어있는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 57] 제 56 항에 있어서,노출된 상기 각 돌기 전극에, 각각 금속 볼단자설치되어있는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 58] 제 49 항에 있어서,상기 배선부의 저면에 표면 실장형 부품 및/또는 반도체 칩이 실장됨과 동시에, 이들을 봉지하는 봉지 수지층이 형성된상기회로블록체구비하는것을특징으로 하는,반도체 장치. [청구항 59] 제 50 항에 있어서,상기 반도체 칩과 봉지 수지층의 표면이 연마되어박형화되어있는것을특징으로 하는,반도체 장치.