하전입자선에 의한 검사장치 및 그 검사장치를 사용한장치제조방법 document_id 1020027014570

[청구항 2] 제 1항에 있어서,검사대상을 보전하고, 상기 워킹챔버에 반출입하는반출입기구구비하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 3] 제 2항에 있어서,상기 반출입 기구에는 청정기체를 상기 검사대상에 흘려 상기 검사대상에의 먼지의 부착을 저지하는 미니 엔바이로먼트장치와, 상기 미니 엔바이로먼트장치와 상기 워킹챔버 사이에 배치되어 있어, 각각 독립하여 진공 분위기로 제어 가능하게 되어 있는 적어도 2개의 로딩챔버와, 상기 미니 엔바이로먼트장치와 상기 로딩챔버와의 사이에서 상기 검사대상을 이송 가능한 반송유닛 및 상기 하나의 로딩챔버내와 상기 스테이지장치상과의 사이에서 상기 검사대상을 이송 가능한 다른 반송유닛을 가지는 로우더를 구비하고, 상기 워킹챔버와 로딩챔버가 진동 차단장치를 거쳐있는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 4] 제 1항에 있어서,상기 워킹챔버내에 설치된 상기 검사대상에 하전입자를 조사하여 상기 검사대상의 대전 얼룩을 감소하는 프리차지유닛 및 상기 검사대상에 전위를 인가하는 전위 인가기구구비하고있는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 5] 제 3항에 있어서,상기로우더가 각각이 독립하여 분위기 제어 가능하게 되어 있는 제 1 로딩챔버 및 제 2 로딩챔버와, 상기검사대상을 제 1 로딩챔버내와 그 외부와의 사이에서 반송하는 제 1 반송유닛과, 상기 제 2 로딩챔버에 설치되어 있어 상기 검사대상을 상기 제 1 로딩챔버내와 상기 스테이지장치상과의 사이에서 반송하는제2반송유닛구비하고있는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 6] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 광학계에 대한 상기 검사대상의 위치 결정을 위하여 상기 검사대상의 표면을 관찰하여 얼라인먼트를 제어하는 얼라인먼트제어장치와, 상기 스테이지장치상의 상기 검사대상의 좌표를 검출하는 레이저 간섭 측거장치를 구비하고, 상기 얼라인먼트제어장치에 의하여 검사대상에 존재하는 패턴을 이용하여검사대상의좌표정하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 7] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 검사대상의 위치맞춤은, 상기 미니 엔바이로먼트 공간내에서 행하여지는 대략 위치맞춤과, 상기 스테이지장치상에서 행하여지는 xy방향의위치맞춤및회전방향의위치맞춤포함하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 8] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전자 광학계가 전계와 자계가 직교하는 곳에 의하여 상기 2차 하전입자를 상기 검출기방향으로 편향하는 e ×b 편향기와, 상기 대물렌즈와 상기 피검사 시료와의 사이에 배치되어 상기 빔의 조사광축에 대하여 대략 축대칭의 형상이고, 상기 피검사 시료의 상기 전자선의 조사면에 있어서의 전계강도를 제어하는전극구비한것을특징으로 하는검사장치. [청구항 9] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치가 하전입자와, 하전입자와는 대략 반대방향으로 진행하는 2차 하전입자가 입사되고, 상기 하전입자 또는 2차 하전입자를 선택적으로 편향시키는 e ×b 분리기로서 전계를 발생시키기 위한 전극이 3쌍 이상의 비자성 도전체 전극으로 구성되고, 대략 원통을 구성하도록 배치되는 e ×b분리기포함하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 10] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치가 검사직전의 피검사영역을 미리 하전입자에 의하여 조사하는 하전입자 조사부를구비한것을특징으로 하는검사장치. [청구항 11] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치가 상기 검사대상에 대전한 전하를 균일화 또는 저감화하는수단가지는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 12] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치가 적어도 상기 검출수단이 상기 2차 하전입자상을 검출하는 기간내에 상기 하전입자보다 저에너지를 가지는전자를상기시료공급하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 13] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스테이지가 xy 스테이지이고, 상기 xy 스테이지는 워킹챔버내에 수용되고, 또한 정압베어링에 의하여 워킹챔버에 대하여 비접촉으로 지지되어 있고, 상기 스테이지가 수용된 워킹챔버는 진공배기되고, 상기 하전입자빔장치의 상기 시료면상에 하전입자빔을 조사하는 부분의 주위에는 시료면상의 상기 하전입자빔이 조사되는 영역을 배기하는차동배기기구설치된것을특징으로 하는검사장치. [청구항 14] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 장치가 xy 스테이지에 시료를 탑재하고, 상기 시료를 진공 중에서 임의의 위치로 이동하여 시료면에 하전입자빔을 조사하는 장치를 가지고, 상기 xy 스테이지에는 정압베어링에 의한 비접촉 지지기구와 차동배기에 의한 진공 시일기구를 설치하고, 상기 시료면상의 하전입자빔이 조사되는 개소와, 상기 xy 스테이지의 정압베어링 지지부와의 사이에 컨덕턴스가 작아지는 칸막이를 설치하여 하전입자빔 조사영역과 정압베어링 지지부와의 사이에 압력차가 생기도록 한 것특징으로 하는검사장치. [청구항 15] 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 시료상에서 부분적으로 겹쳐지면서 서로로부터 변위된 복수의 피검사영역의 화상을 각각 취득하는 화상 취득수단과, 기준화상을 기억하는 기억수단과, 상기 화상 취득수단에 의하여 취득된 복수의 피검사영역의 화상과, 상기 기억수단에 기억된 상기 기준화상을 비교함으로써 상기 시료의 결함을 판단하는결함판단수단포함하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 18] 제 17항에 있어서,상기 피검사 시료의 종류에 따라 상기 전계강도를 제어하기 위하여 상기 전극에 인가하는전압제어하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 19] 제 17항에 있어서,상기 피검사 시료는 반도체 웨이퍼이고, 상기 전계강도를 제어하기 위하여 상기 전극에 인가하는 전압은상기반도체 웨이퍼의비어의유무제어하는것을특징으로 하는검사장치. [청구항 22] 제 21항에 있어서,자계를 발생시키는 평행 평판자극을 상기 3쌍 이상의 비자성 도전체전극이 구성하는 원통의 바깥쪽에 배치하고, 또한 상기 평행 평판전극의 대향면 주변부에돌기형성한것을특징으로 하는e ×b 분리기. [청구항 23] 제 22항에 있어서,발생한 자계의 자력선의 통로 중, 상기 평행 평판자극 사이 이외의 통로의 대부분은 상기 3쌍 이상의 비자성 도전체전극이 구성하는원통과동축의원통형상인것을특징으로 하는e ×b 분리기. [청구항 24] 제 22항 또는 제 23항에 있어서,상기 평행 평판자극은영구자석인것을특징으로 하는e ×b 분리기. [청구항 25] 제 21항 내지 제 24항 중 어느 한 항기재의 e ×b 분리기를 사용한 검사장치에 있어서,상기 제 1 하전입자선 또는 제 2 하전입자선의 한쪽이 피검사 시료에 조사하는 1차 하전입자선이고, 다른쪽이 상기 1차 하전입자선의 조사에 의하여 상기 시료로부터 발생하는2차하전입자선인것을특징으로 하는검사장치. [청구항 27] 제 26항에 있어서,상기 하전입자가 전자, 양또는음의이온플라즈마인것을특징으로 하는장치. [청구항 28] 제 26항 또는 제 27항에 있어서,상기 하전입자의 에너지가 1ooev이하인것을특징으로 하는장치. [청구항 29] 제 26항 또는 제 27항에 있어서,상기 하전입자의 에너지가 30ev이하인것을특징으로 하는장치. [청구항 32] 제 31항에 있어서,상기 수단이 상기 빔발생장치와 상기 대상과의 사이에 배치되어 있어 상기 대전한 전하를 제어 가능한전극구비하는것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 33] 제 31항에 있어서,상기 수단은 계측 타이밍의 빈 시간에 동작하도록 이루어져있는것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 34] 제 31항에 있어서,복수의 하전입자 빔을 상기 대상에 조사하는 적어도 1 이상의 1차 광학계와, 상기 대상으로부터 방출된 전자를 적어도 1 이상의 검출기로 유도하는 적어도 1 이상의 2차 광학계를 가지고, 상기 복수의 1차 하전입자빔은 서로 상기 2차 광학계의 거리 분해능보다 떨어진위치조사되는것을특징으로 하는촬상장치. [청구항 42] 제 41항에 있어서,상기 칸막이가차동배기구조내장하고있는것을특징으로 하는하전입자빔장치. [청구항 43] 제 41항 또는 제 42항에 있어서,상기 칸막이가콜드트랩기능있는것을특징으로 하는하전입자빔장치. [청구항 44] 제 41항 내지 제 43항 중 어느 한 항에 있어서,상기 칸막이가 하전입자빔 조사위치의 근방과,정압베어링근방의2개소설치되어있는것을특징으로 하는하전입자빔장치. [청구항 45] 제 41항 내지 제 44항 중 어느 한 항에 있어서,상기xy 스테이지의 정압베어링에 공급되는 가스가질소또는불활성가스인것을특징으로 하는하전입자빔장치. [청구항 46] 제 41항 내지 제 45항 중 어느 한 항에 있어서,상기xy 스테이지의 적어도 정압베어링에 면하는 부품 표면에 방출가스를 저감하기 위한표면처리실시한것을특징으로 하는하전입자빔장치. [청구항 56] 제 55항에 있어서,상기xy 스테이지의 정압베어링에 공급되는 가스는 질소 또는 불활성 가스이고, 상기 질소 또는 불활성 가스는 상기 스테이지를 수납하는 하우징으로부터 배기된 후 가압되고,다시상기정압베어링공급되는것을특징으로 하는하전입자빔장치.