문맥 (context)
[청구항 2]
제1항에 있어서,상기 비질화막 스페이서는폴리실리콘막스페이서및산화막스페이서의이중막스페이서인것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 3]
제1항에 있어서,상기 조절 게이트의 양측벽에는질화막스페이서형성되어있는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 4]
제1항에 있어서,상기 제1 플로팅 게이트 및 제2 플로팅 게이트는 불순물이 도핑된폴리실리콘막구성하는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 5]
제1항에 있어서,상기 게이트 스택부의 절연막 패턴은 ono막 또는 no막구성하는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 6]
제1항에 있어서,상기 조절 게이트는 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 및 실리사이드막의 이중막으로 구성되며, 상기 소오스 및 드레인 상에는실리사이드막형성되어있는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 8]
제7항에 있어서,상기 조절 게이트의 양측벽에는질화막스페이서형성되어있는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 9]
제7항에 있어서,상기 제1 플로팅 게이트 및 제2 플로팅 게이트는 불순물이 도핑된폴리실리콘막구성하는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 10]
제7항에 있어서,상기 게이트 스택부의 절연막 패턴은 ono막 또는 no막구성하는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
[청구항 11]
제7항에 있어서,상기 조절 게이트는 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 및 실리사이드막의 이중막으로 구성되며, 상기 소오스 및 드레인 상에는실리사이드막형성되어있는것을특징으로 하는이피롬 소자의 셀 구조.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 문맥에 제시된 표현을 중심으로 답하라.
질문 (question)
이피롬(EPROM) 소자의 셀 구조에서 조절 게이트의 구성과 소오스 및 드레인 상에 형성된 막의 종류는 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation이피롬(EPROM) 소자의 조절 게이트 구성과 소오스 및 드레인 상의 막 종류를 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 6과 청구항 11에서 조절 게이트의 구성과 소오스/드레인 상의 막에 관한 정보를 확인한다.
- 상기 조절 게이트는 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 및 실리사이드막의 이중막으로 구성되며, 상기 소오스 및 드레인 상에는 실리사이드막 형성되어있는
-
3근거 선택
evidence_selection질문에 직접적으로 대응하는 '조절 게이트의 이중막 구성'과 '소오스 및 드레인의 실리사이드막' 구절을 선택한다.
- 상기 조절 게이트는 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 및 실리사이드막의 이중막으로 구성되며, 상기 소오스 및 드레인 상에는실리사이드막형성되어있는
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4논리 통합
logical_integration조절 게이트는 불순물이 도핑된 폴리실리콘막과 실리사이드막의 이중막이며, 소오스 및 드레인 상에는 실리사이드막이 형성되어 있음을 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에서 요구한 두 가지 구성 요소를 정리하여 답변을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation추출된 정보를 바탕으로 최종 답변을 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
조절 게이트는 불순물이 도핑된 폴리실리콘막 및 실리사이드막의 이중막으로 구성되며, 소오스 및 드레인 상에는 실리사이드막이 형성되어 있다.
핵심 해석 (core_interpretation)
이피롬 소자의 셀 구조에서 조절 게이트를 불순물이 도핑된 폴리실리콘막과 실리사이드막의 이중막으로 구성하고, 소오스 및 드레인에 실리사이드막을 형성하는 기술적 구성을 나타낸다.