문맥 (context)
[청구항 2]
제 1 항에 있어서,상기 상부 평판전극 및 상기 하부 평판전극은 티타늄질화막(tin), 탄탈륨질화막(tan) 및 티타늄텅스텐(tiw)으로 구성된 그룹중 선택되어진하나로이루어진것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 3]
제 1 항에 있어서,상기 하부 평판전극은 상기 반도체 기판의 전면에 덮여진하부유전막상배치된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 4]
제 1 항에 있어서,상기 커패시터 유전막은 상기 하부 평판전극 및 상기 층간절연막 사이와, 상기 하부 평판전극 및 상기 상부 평판전극 사이에 개재된 중간 유전막을 포함하되, 상기 하부전극 플러그는상기중간유전막관통하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 5]
제 4 항에 있어서,상기 중간 유전막은실리콘질화막실리콘 카바이드인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 6]
제 4 항에 있어서,상기 커패시터 유전막은,상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 7]
제 1 항에 있어서,상기 상부 평판전극 및 상기 층간절연막 사이에 콘포말하게 개재된 상부 유전막을 더 포함하되, 상기 상부전극 플러그는상기상부유전막관통하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 8]
제 7 항에 있어서,상기 상부 유전막은 상기 층간절연막과 식각 선택비를 갖는유전막인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 9]
제 1 항에 있어서,상기 하부 평판전극 및 상기 층간절연막 사이와, 상기 하부 평판전극 및 상기 상부 평판전극 사이에 개재되어 상기 커패시터 유전막을 구성하는 중간 유전막;및상기 중간 유전막 및 상기 층간절연막 사이와, 상기 상부 평판전극 및 상기 층간절연막 사이에 개재된상부유전막더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 10]
제 9 항에 있어서,상기 중간 유전막 및 상기 상부 유전막은동일물질인것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 11]
제 9 항에 있어서,상기 상부 유전막은 상기 상부 평판전극의 상부로부터 확장되어 상기 중간 유전막및상기층간절연막사이개재된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 12]
제 9 항에 있어서,상기 중간 유전막 및 상기 상부 유전막은 상기 층간절연막과 식각선택비를 갖는물질형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 13]
제 9 항에 있어서,상기 커패시터 유전막은 상기 중간 유전막 및 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 14]
제 9 항에 있어서,상기 하부 전극 비아는 상기 상부 유전막 및 상기 중간 유전막을 차례로 관통하고, 상기 상부 전극 비아는상기상부유전막관통하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 15]
제 1 항에 있어서,상기 상부전극 플러그 및 상기 하부전극 플러그는구리또는알루미늄형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 16]
제1 항에 있어서,상기 층간절연막은 fsg(fluorinated silicate glass)또는실리콘옥시카바이드형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 17]
제 1 항에 있어서,상기 층간절연막 상에 차례로 형성된 식각저지막 및 주형층(mold layer);및상기 주형층 및 상기 식각저지막을 차례로 관통하여 상기 상부전극 플러그 및 상기 하부전극 플러그에 각각 접속된금속배선더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 18]
제 17 항에 있어서,상기 주형층은 fsg(fluorinated silicate glass)또는실리콘옥시카바이드형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 19]
제 1 항에 있어서,상기 상부전극 플러그는 상기 상부 평판전극의 상기 하부 평판전극의 상부로부터 벗어난 영역에수직접속된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 20]
제 1 항에 있어서,상기 상부전극 플러그는 상기 하부 평판전극의 상부에서 상기 상부 평판전극에수직접속된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 21]
제 1 항에 있어서,상기 상부전극 플러그 및 상기 층간절연막 사이와, 상기 하부전극 플러그와 상기 층간절연막 사이에 개재된장벽금속층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 23]
제 22 항에 있어서,상기 상부 평판전극 및 상기 하부 평판전극은 티타늄질화막(tin), 탄탈륨질화막(tan) 및 티타늄텅스텐(tiw)로 구성된 그룹 중 선택된하나형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 24]
제 22 항에 있어서,상기 상부전극 플러그, 상기 하부전극 플러그 및 상기 배선 플러그는구리또는알루미늄형성된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 25]
제 22 항에 있어서,상기 커패시터 유전막은,상기 하부 평판전극 및 상기 상부 유전막 사이에 개재된 중간 유전막을 포함하되, 상기 하부전극 플러그는 상기 상부 유전막및상기중간유전막을차례관통하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 26]
제 25 항에 있어서,상기 중간 유전막은 확장되어 상기 하부 유전막 및 상기 상부 유전막 사이에 개재되고, 상기 배선 플러그는 상기 상부 유전막, 상기 중간 유전막및상기하부유전막을차례관통하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 27]
제 25 항에 있어서,상기 커패시터 유전막은 상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 28]
제 22 항에 있어서,상기 층간절연막 상에 차례로 형성된 식각저지막 및 주형층(mold layer);상기 주형층 및 상기 식각저지막을 차례로 관통하여 상기 배선 플러그, 상기 상부전극 플러그 및 상기 하부전극 플러그에 각각 접속된금속배선더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 29]
제 22 항에 있어서,상기 상부전극 플러그는 상기 상부 평판전극의 상기 하부 평판전극의 상부로부터 벗어난 영역에수직접속된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 30]
제 22 항에 있어서,상기 상부전극 플러그는 상기 하부 평판전극 상부에서 상기 상부 평판전극에수직접속된것을특징으로 하는반도체 소자.
[청구항 31]
제 22 항에 있어서,상기 배선 플러그, 상기 상부전극 플러그 및 상기 하부전극 플러그의 각각과 상기 층간절연막 사이에 개재된장벽금속층더포함하는것을특징으로 하는반도체 소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
반도체 소자의 커패시터 유전막 구성 요소 중 중간 유전막과 상부 평판전극 사이에 추가로 포함될 수 있는 구성은 무엇인가?
추론 과정 (compact_reasoning)
-
1과제 해석
task_interpretation반도체 소자의 커패시터 유전막 구성 중 '중간 유전막'과 '상부 평판전극' 사이에 추가로 포함될 수 있는 구성 요소를 찾는 것이다.
-
2정보 추출
information_extraction청구항 6, 13, 27에서 중간 유전막과 상부 평판전극 사이에 개재되는 구성에 대한 언급을 추출한다.
- 상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것
-
3근거 선택
evidence_selection질문에서 요구하는 위치(중간 유전막과 상부 평판전극 사이)와 일치하는 구절을 선택한다.
- 상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것
-
4논리 통합
logical_integration청구항 6, 13, 27은 모두 동일하게 중간 유전막과 상부 평판전극 사이에 '산화막 패턴'이 포함될 수 있음을 명시한다.
- 상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것
-
5결론 도출
conclusion_formulation추가될 수 있는 구성은 '산화막 패턴'임을 도출한다.
- 상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것
-
6답변 생성
answer_generation추출된 핵심 용어인 '산화막 패턴'을 최종 답변으로 작성한다.
- 상기 중간 유전막과 상기 상부 평판전극 사이에 개재된산화막패턴더포함하는것
최종 답변 (final_answer)
산화막 패턴
핵심 해석 (core_interpretation)
본 발명은 커패시터 유전막의 구조를 개선하기 위해 중간 유전막과 상부 평판전극 사이에 산화막 패턴을 추가로 배치할 수 있는 반도체 소자 구조를 제공한다.