회로 기판, 전기 광학 장치 및 전자 기기 document_id 1020030006377

[청구항 32] 기판과, 상기 기판의 위쪽에 배치된 능동소자와, 상기 능동소자를 구동하는 전기적 신호 또는 구동전력을 공급하는 배선과, 제 1 절연막을 포함하고, 상기 제 1 절연막은 상기 배선과 상기 능동소자와의 사이에 배치되고, 상기 제 1 절연막의 유전율은 상기 기판의 유전율보다 낮은 것을 특징으로 하는 회로 기판 [청구항 33] 기판과, 상기 기판의 위쪽에 배치된 능동소자와, 상기 능동소자를 구동하는 전기적 신호 또는 구동전력을 공급하는 배선과, 상기 능동소자에 접속된 화소전극과, 제 1 절연막을 포함하고, 상기 제 1 절연막은 상기 화소전극과 상기 기판과의 사이에 배치되고, 상기 제 1 절연막의 유전율은 상기 기판의 유전율보다 낮은 것을 특징으로 하는 회로 기판 [청구항 34] 기판과, 상기 기판의 위쪽에 배치된 능동소자와, 상기 능동소자를 구동하는 전기적 신호 또는 구동전력을 공급하는 배선과, 제 1 절연막과, 제 2 절연막을 포함하고, 상기 제 1 절연막은 상기 제 2 절연막과 상기 기판과의 사이에 배치되고, 상기 제 1 절연막의 유전율은 상기 기판의 유전율보다 낮은 것을 특징으로 하는 회로 기판 [청구항 35] 제 34 항에 있어서,상기 제 1 절연막과 상기 제 2 절연막nan은있는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 36] 제 34 항에 있어서,상기 제 2 절연막nan은상기능동소자있는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 37] 제 34 항에 있어서,화소 전극을 포함하고,상기 제 2 절연막은상기제1절연막과상기화소전극사이에있는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 38] 기판과, 상기 기판의 위쪽에 배치된 능동소자와, 상기 능동소자를 구동하는 전기적 신호 또는 구동전력을 공급하는 배선과, 제 1 절연막과, 제 3 절연막을 포함하고, 상기 제 3 절연막은 상기 제 1 절연막과 상기 기판과의 사이에 배치되고, 상기 제 1 절연막의 유전율은 상기 기판의 유전율보다 낮은 것을 특징으로 하는 회로 기판 [청구항 39] 제 34 항 또는 제 38 항에 있어서,상기 능동소자에 접속된 화소 전극을 더 구비하고,상기 화소전극과 상기 기판과의 사이에상기절연막배치된것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 40] 제 38 항에 있어서,상기 제 1 절연막nan은상기능동소자있는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 41] 기판과, 상기 기판의 위쪽에 배치된 능동소자와, 상기 능동소자를 구동하는 전기적 신호 또는 구동전력을 공급하는 배선과, 제 1 절연막을 포함하고, 상기 제 1 절연막은 다공질재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 회로 기판 [청구항 42] 제 32 항, 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 능동소자에 접속된 화소 전극을 더 포함하고,상기 제 1 절연막은 상기 화소전극과 상기 기판과의사이배치된것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 43] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 능동소자는트랜지스터인것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 44] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연막의 유전율은3이하인것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 45] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연막의 유전율nan은5이하인것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 46] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연막은, 다공질체, 에어로겔, 다공질 실리카, 플루오르화 마그네슘, 불소계 중합체,다공성중합체중적어도1개로이루어지는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 47] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연막은, 실리카 글라스, 알킬실록산 중합체, 알킬실세스키옥산 중합체, 수소화알킬실세스키옥산 중합체, 폴리아릴에테르 중의 어느 하나를 함유하는 스핀온글라스막, 다이아몬드막,불소화비정질탄소막중의적어도1개포함하는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 48] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연막은, 무기미립자 및 유기미립자 중의 적어도 어느 한쪽포함하는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 49] 제 32 항 내지 제 34 항, 제 38 항 또는 제 41 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 절연막은, 플루오르화 마그네슘의 미립자를 분산시킨겔포함하는것을특징으로 하는회로 기판. [청구항 50] 기판과, 제 1 전극과 제 2 전극과의 사이에 배치된 전기광학소자와, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중의 적어도 한 쪽과 상기 기판과의 사이에 배치된 제 1 절연막을 포함하고, 상기 제 1 절연막의 유전율은 4 이하인 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 [청구항 51] 기판과, 제 1 전극과 제 2 전극과의 사이에 배치된 전기광학소자와, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 중의 적어도 한 쪽과 상기 기판과의 사이에 배치된 제 1 절연막을 포함하고, 상기 제 1 절연막의 유전율은 상기 기판의 유전율보다 낮은 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치 [청구항 52] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,제 2 절연막을 더 포함하는 것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 53] 제 52 항에 있어서,상기 제 1 절연막은 상기 제 2 절연막과 상기 기판과의사이배치된것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 54] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 전기광학소자를 구동하는능동 소자더포함하고있는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 55] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 기판은 절연체재료로이루어지는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 56] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 제 1 절연막의 유전율은3이하인것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 57] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 제 1 절연막의 유전율nan은5이하인것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 58] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 제 1 절연막nan은다공질재료포함하는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 59] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 제 1 절연막은, 실리카 글라스, 알킬실록산 중합체, 알킬실세스키옥산 중합체, 수소화알킬실세스키옥산 중합체, 폴리아릴에테르 중의 어느 하나를 함유하는 스핀온글라스막, 다이아몬드막, 불소화 비정질 탄소막, 에어로겔, 플루오르화 마그네슘,무기미립자및유기미립자중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 60] 제 52 항에 있어서,상기 제 2 절연막nan은상기능동소자있는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 61] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 제 2 전극을 덮는보호층더포함하는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 62] 제 61 항에 있어서,상기 제 2 절연막 및 상기 보호층 중의 적어도 어느 한 쪽은, 건조제 및 화학흡착제 중의 적어도 어느 한쪽포함하는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 63] 제 61 항에 있어서,상기 제 2 절연막 및 상기 보호층 중의 적어도 어느 한 쪽은, 세라믹, 질화 규소, 산화 질화 규소,산화규소중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 64] 제 61 항에 있어서,상기 제 2 절연막 및 상기 보호층 중의 적어도 어느 한 쪽은, 붕소, 탄소, 질소 중의 적어도 1개와, 알루미늄, 인, 규소 중의 적어도 1개를 함유하거나, 또는 세륨, 이테르븀, 사마륨, 에르븀, 이트륨, 란탄, 가돌리늄, 디스프로슘, 네오듐 중의 적어도 1개와 알루미늄, 규소, 질소, 산소를 함유하거나, 또는 산화 바륨, 산화 칼슘, 활성탄,제올라이트중의적어도하나포함하는것을특징으로 하는전기 광학 장치. [청구항 65] 제 50 항 또는 제 51 항에 있어서,상기 전기 광학 소자는,유기일렉트로루미네선스소자인것을특징으로 하는전기 광학 장치.