문맥 (context)
[청구항 27]
제 26 항에 있어서,상기 리세스된 스페이서막 패턴 및 상기 제1 불순물 영역 사이와 상기 리세스된 스페이서막 패턴 및 상기 제1 게이트 패턴들 사이에 개재된 스트레스 완충산화막을 더 포함하되, 상기 스트레스 완충산화막은 연장되어 상기 제1 게이트 패턴들의 표면들, 상기 제2 불순물 영역의 표면, 상기 소자분리막의 표면, 상기 제2 게이트 패턴의 표면 및 상기 엘디디형의 소오스/드레인 영역들의표면들덮는것을특징으로 하는반도체 집적회로.
[청구항 28]
제 26 항에 있어서,상기 식각저지막 상에 형성된층간절연막더포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로.
[청구항 29]
제 28 항에 있어서,상기 식각저지막은 상기 층간절연막에 대하여 식각 선택비를 갖는절연막인것을특징으로 하는반도체 집적회로.
[청구항 30]
제 28 항에 있어서,상기 층간절연막 및 상기 식각저지막을 관통하여 상기 제2 불순물 영역, 상기 제2 게이트 패턴 및 상기 엘디디형의 소오스/드레인 영역들과 접촉하는금속콘택플러그들더포함하는것을특징으로 하는반도체 집적회로.
[청구항 32]
제 31 항에 있어서,상기 소자분리막은 상기 셀 어레이 영역 내에 형성된 셀 소자분리막; 및 상기 주변회로 영역 내에 형성되고 상기 셀 소자분리막보다 더 깊은주변회로소자분리막포함하는것을특징으로 하는플래쉬 메모리소자.
[청구항 33]
제 31 항에 있어서,상기 리세스된 스페이서막 패턴들 및 상기 공통 소오스 영역들 사이와 상기 리세스된 스페이서막 패턴들 및 상기 적층 게이트 패턴들 사이에 개재된 스트레스 완충산화막을 더 포함하되, 상기 스트레스 완충산화막은 연장되어 상기 적층 게이트 패턴들의 표면들, 상기 드레인 영역들의 표면들, 상기 소자분리막의 표면, 상기 주변회로 게이트 전극의 표면 및 상기 엘디디형의 소오스/드레인 영역들의표면들덮는것을특징으로 하는플래쉬 메모리소자.
[청구항 34]
제 31 항에 있어서,상기 식각저지막 상에 형성된층간절연막더포함하는것을특징으로 하는플래쉬 메모리소자.
[청구항 35]
제 34 항에 있어서,상기 식각저지막은 상기 층간절연막에 대하여 식각 선택비를 갖는절연막인것을특징으로 하는플래쉬 메모리소자.
[청구항 36]
제 34 항에 있어서,상기 층간절연막 및 상기 식각저지막을 관통하여 상기 드레인 영역들, 상기 주변회로 게이트 전극 및 상기 엘디디형의 소오스/드레인 영역들과 접촉하는금속콘택플러그들더포함하는것을특징으로 하는플래쉬 메모리소자.
지시문 (instruction)
주어진 본문을 읽고 관련 정보를 분석하여 질문에 답하라.
질문 (question)
제28항 및 제30항의 구성을 바탕으로 할 때, 금속콘택플러그가 접촉하는 대상 영역들은 무엇이며, 이들은 어떤 층들을 관통하여 형성되는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation제28항과 제30항을 참조하여 금속콘택플러그가 접촉하는 대상 영역과 관통하는 층을 추출해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction제30항에서 금속콘택플러그가 접촉하는 대상은 제2 불순물 영역, 제2 게이트 패턴, 엘디디형의 소오스/드레인 영역이다.
- 상기 제2 불순물 영역, 상기 제2 게이트 패턴 및 상기 엘디디형의 소오스/드레인 영역들과 접촉하는금속콘택플러그들
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3근거 선택
evidence_selection금속콘택플러그가 관통하는 층에 대한 근거인 '층간절연막 및 상기 식각저지막을 관통하여' 구절을 선택한다.
- 상기 층간절연막 및 상기 식각저지막을 관통하여
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4논리 통합
logical_integration접촉 대상 영역(제2 불순물 영역, 제2 게이트 패턴, 엘디디형의 소오스/드레인 영역)과 관통하는 층(층간절연막, 식각저지막)을 결합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation질문에 따라 접촉 대상 영역 리스트와 관통하는 층 리스트를 정리하여 결론을 도출한다.
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6답변 생성
answer_generation최종 답변을 리스트 형식으로 작성한다.
최종 답변 (final_answer)
금속콘택플러그가 접촉하는 대상 영역은 제2 불순물 영역, 제2 게이트 패턴, 엘디디형의 소오스/드레인 영역이며, 이들은 층간절연막 및 식각저지막을 관통하여 형성된다.
핵심 해석 (core_interpretation)
금속콘택플러그가 층간절연막과 식각저지막을 관통하여 특정 영역(제2 불순물 영역, 제2 게이트 패턴, 엘디디형 소오스/드레인 영역)에 접촉함으로써 전기적 연결을 형성하는 구조를 나타낸다.