문맥 (context)
[청구항 2]
제1 항에 있어서,상기 핀의 상부 모서리는 둥글게형성된것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 3]
제1 항에 있어서,상기 핀의 폭은 상부에서 하부로 갈수록점진적지는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 4]
제1 항에 있어서,상기 게이트 절연막이 형성된 상기 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되고, 상기 버퍼산화막이 형성된 상기 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록점진적지는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 5]
제1 항에 있어서,상기 게이트 절연막은, 상기 핀의 상부 측벽 및 상부면에 콘포말하게형성된것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 6]
제1 항에 있어서,상기 핀의 상부면 상에 패드 산화막 및 식각마스크막이 차례로 적층된 마스크 절연막을 더 포함하되, 상기 게이트 전극은상기마스크 절연막의상부가로지르는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 7]
제6 항에 있어서,상기 마스크 절연막은 패드산화막과 상기 핀의 상부면 사이에 개재된패드질화막더포함하는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 8]
제1 항에 있어서,상기 핀의 상부면 상에 산화막 및 질화막이 번갈아 적층되어 형성된 마스크 절연막을 더 포함하되, 상기 게이트 전극은상기마스크 절연막의상부가로지르는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 9]
제1 항에 있어서,상기 게이트 전극 양측의 상기 핀 내에 형성된 소오스/드레인 영역들;및 상기 게이트 전극 하부의 상기 핀 내에 형성된채널영역더포함하는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 11]
제10 항에 있어서,상기 핀의 상부 모서리는 둥글게형성된것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 12]
제10 항에 있어서,상기 핀의 폭은 상부에서 하부로 갈수록점진적지는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 13]
제10 항에 있어서,상기 게이트 절연막이 형성된 상기 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되고, 상기 버퍼산화막이 형성된 상기 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록점진적지는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 14]
제10 항에 있어서,상기 게이트 절연막은, 상기 필라의 상부 측벽 및 상부면에 콘포말하게형성된것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 15]
제10 항에 있어서,상기 필라의 상부면 상에 패드 산화막 및 식각마스크막이 적층된 마스크 절연막을 더 포함하되, 상기 게이트 전극은상기마스크 절연막의상부가로지르는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 16]
제15 항에 있어서,상기 마스크 절연막은 상기 패드산화막과 상기 필라의 상부면 사이에 개재된패드질화막더포함하는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 17]
제10 항에 있어서,상기 필라의 상부면 상에 산화막 및 질화막이 번갈아 적층되어 형성된 마스크 절연막을 더 포함하되, 상기 게이트 전극은상기마스크 절연막의상부가로지르는것을특징으로 하는트랜지스터.
[청구항 18]
제10 항에 있어서,상기 게이트 전극 양측의 상기 필라 내에 각각 형성된 소오스 영역 및 드레인 영역;및 상기 게이트 전극 하부의 상기 핀들 내에 형성된채널영역들더포함하는것을특징으로 하는트랜지스터.
지시문 (instruction)
주어진 특허 청구항을 읽고 발명의 구성요소와 구성을 파악하여 질문에 답하라. 근거를 종합하여 자연스러운 문장으로 설명하라.
질문 (question)
트랜지스터의 핀(또는 필라) 구조에서 게이트 절연막이 형성되는 영역의 폭 변화와 버퍼산화막이 형성되는 영역의 폭 변화는 각각 어떠한 특징을 갖는가?
추론 과정 (compact_reasoning)
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1과제 해석
task_interpretation트랜지스터의 핀(또는 필라) 구조에서 게이트 절연막 형성 영역의 폭과 버퍼산화막 형성 영역의 폭 변화 특징을 파악해야 한다.
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2정보 추출
information_extraction청구항 4와 청구항 13에서 게이트 절연막이 형성된 영역의 폭과 버퍼산화막이 형성된 영역의 폭에 관한 기술 내용을 추출한다.
- 상기 게이트 절연막이 형성된 상기 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되고, 상기 버퍼산화막이 형성된 상기 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록 점진적지는 것
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3근거 선택
evidence_selection게이트 절연막 영역의 폭은 일정하게 유지된다는 점과 버퍼산화막 영역의 폭은 하부로 갈수록 점진적으로 좁아진다는 구절을 선택한다.
- 상기 게이트 절연막이 형성된 상기 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되고, 상기 버퍼산화막이 형성된 상기 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록 점진적지는 것
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4논리 통합
logical_integration게이트 절연막은 핀의 상부에 형성되므로 상부 폭이 일정하게 유지되는 특징을 가지며, 버퍼산화막은 핀의 하부에 형성되므로 하부로 갈수록 폭이 좁아지는 특징을 가짐을 통합한다.
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5결론 도출
conclusion_formulation게이트 절연막 형성 영역의 폭은 일정하게 유지되고, 버퍼산화막 형성 영역의 폭은 하부로 갈수록 점진적으로 좁아진다는 결론을 도출한다.
- 상기 게이트 절연막이 형성된 상기 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되고, 상기 버퍼산화막이 형성된 상기 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록 점진적지는 것
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6답변 생성
answer_generation질문에 대하여 게이트 절연막 영역의 폭은 일정하게 유지되고, 버퍼산화막 영역의 폭은 하부로 갈수록 점진적으로 좁아진다고 답변을 생성한다.
- 상기 게이트 절연막이 형성된 상기 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되고, 상기 버퍼산화막이 형성된 상기 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록 점진적지는 것
최종 답변 (final_answer)
게이트 절연막이 형성된 핀의 상부 폭은 일정하게 유지되는 특징을 가지며, 버퍼산화막이 형성된 핀의 하부 폭은 하부로 갈수록 점진적으로 좁아지는 특징을 갖는다.
핵심 해석 (core_interpretation)
트랜지스터의 핀 구조에서 상부(게이트 절연막 영역)는 일정한 폭을 유지하고, 하부(버퍼산화막 영역)는 하부로 갈수록 좁아지는 형상을 가짐으로써 핀의 구조적 특징을 정의한다.